磁控濺射儀為一種用于物理學(xué)領(lǐng)域的分析儀器，于2015年05月25日啟用。

磁控濺射為物理氣相沉積的一種。金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料的制備通常會采用一般的濺射法，其的特點為有著較為簡單的設(shè)備，控制起來不困難，有著較大的鍍膜面積以及有著較強的附著力等。在上世紀 70 年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是使高速、低溫、低損傷得以實現(xiàn)。由于高速濺射是在低氣壓下進行，必須要使氣體的離化率得到有效地提高。磁控濺射利用將磁場往靶陰極表面引入，通過磁場約束帶電粒子來使得等離子體密度提高進而使得濺射率增加。

磁控濺射的基本原理

通過 Ar一O2混合氣體中的等離子體在電場和交變磁場的作用下，被加速的高能粒子對靶材表面進行轟擊，在交換了能量以后，靶材表面的原子從原晶格脫離以后而逸出，往基體表面轉(zhuǎn)移而成膜。

磁控濺射的特點為有著較高的成膜速率，較低的基片溫度，較好的膜的粘附性，能夠使得大面積鍍膜實現(xiàn)。該技術(shù)包括直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。

磁控濺射設(shè)備的主要用途

1、例如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的各種功能性薄膜。比如低溫沉積氮化硅減反射膜被用來使太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率得以提高。

2、裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用，例如手機外殼，鼠標(biāo)等應(yīng)用全反射膜及半透明膜等。

3、在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù)，主要在化學(xué)氣相沉積（CVD）或金屬有機應(yīng)用。

4、化學(xué)氣相沉積應(yīng)用于不易生長以及對不適用的材料薄膜沉積，并且能夠使大面積非常均勻的薄膜獲得。