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使用Nexera-e 和光電二極管陣列檢測(cè)器SPD-M30A 對(duì)紅葡萄
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2024-09-28 00:27 485閱讀次數(shù)
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使用Nexera-e 和光電二極管陣列檢測(cè)器SPD-M30A 對(duì)紅葡萄
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使用Nexera-e 和光電二極管陣列檢測(cè)器SPD-M30A 對(duì)紅葡萄
- 使用Nexera-e 和光電二極管陣列檢測(cè)器SPD-M30A 對(duì)紅葡萄[詳細(xì)]
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2024-09-28 00:27
專利
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使用Nexera-e 和光電二極管陣列檢測(cè)器SPD-M30A 測(cè)定葛根
- 使用Nexera-e 和光電二極管陣列檢測(cè)器SPD-M30A 測(cè)定葛根[詳細(xì)]
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2014-12-09 00:00
標(biāo)準(zhǔn)
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使用Nexera-e和光電二極管陣列檢測(cè)器SPD-M30A測(cè)定葛根湯
- 使用Nexera-e和光電二極管陣列檢測(cè)器SPD-M30A測(cè)定葛根湯[詳細(xì)]
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2024-09-28 21:32
期刊論文
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使用配置高靈敏度檢測(cè)池的光電二極管陣列檢測(cè)器SPD-M30A 進(jìn)行雜質(zhì)分析
- 使用配置高靈敏度檢測(cè)池的光電二極管陣列檢測(cè)器SPD-M30A 進(jìn)行雜質(zhì)分析[詳細(xì)]
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2014-02-13 00:00
專利
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使用Nexera-e 對(duì)紅辣椒中的類胡蘿卜素進(jìn)行全二維分離
- 使用Nexera-e 對(duì)紅辣椒中的類胡蘿卜素進(jìn)行全二維分離[詳細(xì)]
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2015-07-13 00:00
應(yīng)用文章
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光電二極管陣列檢測(cè)器新分析方法i-DReC的原理及概要
- 光電二極管陣列檢測(cè)器新分析方法i-DReC的原理及概要[詳細(xì)]
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2014-02-12 00:00
期刊論文
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甲基黃嘌呤的測(cè)定-質(zhì)譜檢測(cè)器和二極管陣列檢測(cè)器
- 甲基黃嘌呤的測(cè)定-質(zhì)譜檢測(cè)器和二極管陣列檢測(cè)器[詳細(xì)]
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2016-06-27 00:00
標(biāo)準(zhǔn)
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二極管陣列檢測(cè)器產(chǎn)品樣冊(cè)
- 二極管陣列檢測(cè)器產(chǎn)品樣冊(cè)[詳細(xì)]
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2016-10-19 17:11
產(chǎn)品樣冊(cè)
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硅光電二極管陣列 S11299-121產(chǎn)品樣冊(cè)
- 用于X射線無損檢測(cè)的背照式光電二極管陣列 細(xì)長(zhǎng)板類型 S11299-121是一款專用于X射線無損檢查的背照式16象元光電二極管陣列。它比我們之前的S5668系列相比,具有更高的靈敏度一致性和更小的象元變化。該背照式二極管更加易于使用,更便于和閃爍體耦合,由于它在背部沒有光敏面,也沒有焊接線,因此不需要擔(dān)心對(duì)線的損壞。 S11299 系列支持雙能成像,因此可以與S11212系列結(jié)合使用(板上尺寸:25.4 (W) ×20.0 (H) mm),組成上兩層的雙層結(jié)構(gòu),同步檢測(cè)高、低X射線。產(chǎn)品特性● 象元尺寸:1.175 (W) × 2.0 (H) mm / 單象元 ● 象元間距:1.575 mm (× 16 pixels) ?● 板上尺寸:25.4 (W) × 10.2 (H) mm● 多陣列,長(zhǎng)而窄的設(shè)計(jì)版式● 支持雙能成像(上下兩層結(jié)合使用時(shí)) [詳細(xì)]
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2020-03-10 12:38
產(chǎn)品樣冊(cè)
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硅光電二極管陣列 S11212-421產(chǎn)品樣冊(cè)
- 用于X射線無損檢測(cè)的背照式光電二極管陣列 S11212-421 是一款專用于X射線無損檢查的背照式16象元光電二極管陣列。它比我們之前的S5668系列相比,具有更高的靈敏度一致性和更小的象元變化。該背照式二極管更加易于使用,更便于和閃爍體耦合,由于它在背部沒有光敏面,也沒有焊接線,因此不需要擔(dān)心對(duì)線的損壞。由于它們的封裝尺寸和管腳連接都相同,它可以替代S5668系列。產(chǎn)品特性● 象元尺寸:1.175 (W) × 2.0 (H) mm / 單象元 ● 象元間距:1.575 mm (× 16 pixels) ● 板上尺寸:25.4 (W) ×20.0 (H) mm● 多陣列,長(zhǎng)而窄的設(shè)計(jì)版式● 支持雙能成像(上下兩層結(jié)合使用時(shí)) [詳細(xì)]
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2020-03-10 12:38
產(chǎn)品樣冊(cè)
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硅光電二極管陣列 S11212-321產(chǎn)品樣冊(cè)
- 用于X射線無損檢測(cè)的背照式光電二極管陣列 S11212-321是一款專用于X射線無損檢查的背照式16象元光電二極管陣列。它比我們之前的S5668系列相比,具有更高的靈敏度一致性和更小的象元變化。該背照式二極管更加易于使用,更便于和閃爍體耦合,由于它在背部沒有光敏面,也沒有焊接線,因此不需要擔(dān)心對(duì)線的損壞。由于它們的封裝尺寸和管腳連接都相同,它可以替代S5668系列。產(chǎn)品特性● 板上尺寸:25.4 (W) ×20.0 (H) mm● 多陣列,長(zhǎng)而窄的設(shè)計(jì)版式● 支持雙能成像(上下兩層結(jié)合使用時(shí)) [詳細(xì)]
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2020-03-10 12:38
產(chǎn)品樣冊(cè)
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硅光電二極管陣列 S13620-02產(chǎn)品樣冊(cè)
- 用于X射線無損檢測(cè)的背照式光電二極管陣列,適合于平面結(jié)構(gòu)S13620-02是一款8×8硅光電二極管陣列,具有背照式結(jié)構(gòu),用于X射線無損檢測(cè)。背照式光電二極管陣列具有方便操作的特點(diǎn),因?yàn)槠湓谌肷浔砻鏇]有接合線或光敏區(qū)域。你可以在不用損壞任何導(dǎo)線的情況下貼上一個(gè)閃爍體。此外,它的設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)還在于產(chǎn)品周圍不可利用的區(qū)域減少,產(chǎn)品耦合空間增大,而且不會(huì)產(chǎn)生任何串?dāng)_。產(chǎn)品特性● 二維數(shù)組(8×8元素)● 光譜響應(yīng)范圍:400 ~ 1100 nm● 包裝尺寸:24(W)×24(H)毫米● 元節(jié)距:3.0毫米×64元素● 易于與閃爍體耦合由于光敏區(qū)沒有導(dǎo)線,且與閃爍體的光耦合效率可以Zda化,因此適合于無損x射線檢測(cè)設(shè)備。 [詳細(xì)]
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2020-03-10 12:38
產(chǎn)品樣冊(cè)
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硅光電二極管陣列 S11212-121產(chǎn)品樣冊(cè)
- 用于X射線無損檢測(cè)的背照式光電二極管陣列 S11212-121是一款專用于X射線無損檢查的背照式16象元光電二極管陣列。它比我們之前的S5668系列相比,具有更高的靈敏度一致性和更小的象元變化。該背照式二極管更加易于使用,更便于和閃爍體耦合,由于它在背部沒有光敏面,也沒有焊接線,因此不需要擔(dān)心對(duì)線的損壞。由于它們的封裝尺寸和管腳連接都相同,它可以替代S5668系列。產(chǎn)品特性● 象元尺寸:1.175 (W) × 2.0 (H) mm / 單象元 ● 象元間距:1.575 mm (× 16 pixels) ● 板上尺寸:25.4 (W) ×20.0 (H) mm● 多陣列,長(zhǎng)而窄的設(shè)計(jì)版式● 支持雙能成像(上下兩層結(jié)合使用時(shí)) [詳細(xì)]
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2024-09-14 21:06
產(chǎn)品樣冊(cè)
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硅光電二極管陣列 S11299-421產(chǎn)品樣冊(cè)
- 用于X射線無損檢測(cè)的背照式光電二極管陣列 細(xì)長(zhǎng)板類型 S11299-021 是一款專用于X射線無損檢查的背照式16象元光電二極管陣列。它比我們之前的S5668系列相比,具有更高的靈敏度一致性和更小的象元變化。該背照式二極管更加易于使用,更便于和閃爍體耦合,由于它在背部沒有光敏面,也沒有焊接線,因此不需要擔(dān)心對(duì)線的損壞。 S11299 系列支持雙能成像,因此可以與S11212系列結(jié)合使用(板上尺寸:25.4 (W) ×20.0 (H) mm),組成上兩層的雙層結(jié)構(gòu),同步檢測(cè)高、低X射線。產(chǎn)品特性● 象元尺寸:1.175 (W) × 2.0 (H) mm / 單象元 ● 象元間距:1.575 mm (× 16 pixels) ● 板上尺寸:25.4 (W) × 10.2 (H) mm● 多陣列,長(zhǎng)而窄的設(shè)計(jì)版式● 支持雙能成像(上下兩層結(jié)合使用時(shí)) [詳細(xì)]
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2024-09-16 12:20
產(chǎn)品樣冊(cè)
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硅光電二極管陣列 S11212-021產(chǎn)品樣冊(cè)
- 用于X射線無損檢測(cè)的背照式光電二極管陣列 ?S11212-021 是一款專用于X射線無損檢查的背照式16象元光電二極管陣列。它比我們之前的S5668系列相比,具有更高的靈敏度一致性和更小的象元變化。該背照式二極管更加易于使用,更便于和閃爍體耦合,由于它在背部沒有光敏面,也沒有焊接線,因此不需要擔(dān)心對(duì)線的損壞。由于它們的封裝尺寸和管腳連接都相同,它可以替代S5668系列。產(chǎn)品特性● 板上尺寸:25.4 (W) ×20.0 (H) mm● 多陣列,長(zhǎng)而窄的設(shè)計(jì)版式● ?支持雙能成像(上下兩層結(jié)合使用時(shí)) [詳細(xì)]
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2024-09-28 01:21
產(chǎn)品樣冊(cè)
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光電二極管陣列檢測(cè)新型分析方法i-PDeA
- 光電二極管陣列檢測(cè)新型分析方法i-PDeA[詳細(xì)]
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2014-02-11 00:00
產(chǎn)品樣冊(cè)
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帶放大器的光電二極管陣列 S13886-128G產(chǎn)品樣冊(cè)
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帶信號(hào)處理IC的光電二極管陣列,用于X射線檢測(cè)
S13886-128G是帶有放大器的光電二極管陣列系列,放大器具有附著到光敏區(qū)域的熒光片以進(jìn)行X射線檢測(cè)。 與以前的產(chǎn)品S11865系列相比,信號(hào)處理IC芯片的改進(jìn)大幅度地提高了產(chǎn)品的靈敏度。 信號(hào)處理IC芯片由CMOS工藝構(gòu)成,內(nèi)含定時(shí)發(fā)生器,移位寄存器,電荷放大器陣列,鉗位電路和保持電路等復(fù)雜設(shè)置,所以當(dāng)客戶在連接外部電路時(shí)十分簡(jiǎn)單方便。 該產(chǎn)品還可以通過在一行中排列多個(gè)陣列來配置長(zhǎng)而窄的圖像傳感器。
產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)速率:Zda1 MHz● 元件間距:0.8 mm pitch×128 ch● 3.3 V電源供電● 使用電荷放大器陣列的同時(shí)積分方法● 零偏置光電二極管操作,暗電流低● 集成鉗位電路,噪聲低,動(dòng)態(tài)范圍寬?!?集成定時(shí)發(fā)生器可以在兩個(gè)不同的脈沖定時(shí)下工作?!?可檢測(cè)的能量范圍:30 k至100 keV
[詳細(xì)]
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2020-03-10 12:37
產(chǎn)品樣冊(cè)
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帶放大器的光電二極管陣列 S13885-256G產(chǎn)品樣冊(cè)
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X射線探測(cè)用光電二極管陣列(帶信號(hào)處理IC) S13885系列光電二極管陣列帶放大器,且在感光面上粘貼了磷片,用于X射線探測(cè)。通過改善信號(hào)處理IC,相較于公司之前的產(chǎn)品(S11865系列)有更高的靈敏度。信號(hào)處理電路的芯片由CMOS工藝制造,集成了信號(hào)發(fā)生器、移位寄存器、電荷放大陣列、鉗位電路和保持電路,因此可簡(jiǎn)化外部電路配置。通過將多個(gè)陣列排列起來,可配置出長(zhǎng)窄型傳感器。產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)率:1MHz max ● 象元間距大:0.2 mm pitch × 256 ch ● 3.3V電源供電 ● 用電荷積分陣列同步積分 ● 零偏置光電二極管,因此暗電流低 ● 集成了鉗位電路,使其噪聲低,動(dòng)態(tài)范圍寬 ● 集成了時(shí)序發(fā)生器,可在兩種脈沖時(shí)序下工作 ● 可探測(cè)能量范圍:30 k to 100 keV
[詳細(xì)]
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2020-03-10 12:37
產(chǎn)品樣冊(cè)
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帶放大器的光電二極管陣列 S13885-128G產(chǎn)品樣冊(cè)
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X射線探測(cè)用光電二極管陣列(帶信號(hào)處理IC) S13885系列光電二極管陣列帶放大器,且在感光面上粘貼了磷片,用于X射線探測(cè)。通過改善信號(hào)處理IC,相較于公司之前的產(chǎn)品(S11865系列)有更高的靈敏度。信號(hào)處理電路的芯片由CMOS工藝制造,集成了信號(hào)發(fā)生器、移位寄存器、電荷放大陣列、鉗位電路和保持電路,因此可簡(jiǎn)化外部電路配置。通過將多個(gè)陣列排列起來,可配置出長(zhǎng)窄型傳感器。產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)率:1MHz max ● 象元間距大:0.4mm間距×128通道 ● 3.3 V電源供電 ?● 用電荷積分陣列同步積分 ● 零偏置光電二極管,因此暗電流低 ● 集成了鉗位電路,使其噪聲低,動(dòng)態(tài)范圍寬 ● 集成了時(shí)序發(fā)生器,可在兩種脈沖時(shí)序下工作 ● 可探測(cè)能量范圍:30 k to 100 keV
[詳細(xì)]
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2020-03-10 12:37
產(chǎn)品樣冊(cè)
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帶放大器的光電二極管陣列 S11866-64G-02產(chǎn)品樣冊(cè)
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X射線探測(cè)用光電二極管陣列(帶信號(hào)處理IC)這種光電二極管陣列帶放大器,且在感光面上粘貼了磷片,用于X射線探測(cè)。與之前的產(chǎn)品(S8865/S8866系列)相比,X射線耐受性有所提高。信號(hào)處理電路的芯片由CMOS工藝制造,集成了信號(hào)發(fā)生器、移位寄存器、電荷放大陣列、鉗位電路和保持電路,通過將多個(gè)陣列排列起來,可配置出外部電路配置。還提供專用驅(qū)動(dòng)電路C9118系列(單獨(dú)出售)。產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)率:1MHz max● 象元間距大:1.6 mm間距×64通道● 5V電源供電● 用電荷積分陣列同步積分● 零偏置光電二極管,因此暗電流低● 集成了鉗位電路,使其噪聲低,動(dòng)態(tài)范圍寬● 集成了時(shí)序發(fā)生器,可在兩種脈沖時(shí)序下工作● 可探測(cè)能量范圍:30 k to 100 keV
[詳細(xì)]
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2020-03-10 12:37
產(chǎn)品樣冊(cè)
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