本文由 濱松光子學(xué)商貿(mào)（中國(guó)）有限公司 整理匯編

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• 帶放大器的光電二極管陣列 S13885-128G產(chǎn)品樣冊(cè)

  X射線探測(cè)用光電二極管陣列（帶信號(hào)處理IC） S13885系列光電二極管陣列帶放大器，且在感光面上粘貼了磷片，用于X射線探測(cè)。通過(guò)改善信號(hào)處理IC，相較于公司之前的產(chǎn)品（S11865系列）有更高的靈敏度。信號(hào)處理電路的芯片由CMOS工藝制造，集成了信號(hào)發(fā)生器、移位寄存器、電荷放大陣列、鉗位電路和保持電路，因此可簡(jiǎn)化外部電路配置。通過(guò)將多個(gè)陣列排列起來(lái)，可配置出長(zhǎng)窄型傳感器。產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)率：1MHz max ● 象元間距大：0.4mm間距×128通道 ● 3.3 V電源供電 ?● 用電荷積分陣列同步積分 ● 零偏置光電二極管，因此暗電流低 ● 集成了鉗位電路，使其噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍寬 ● 集成了時(shí)序發(fā)生器，可在兩種脈沖時(shí)序下工作 ● 可探測(cè)能量范圍：30 k to 100 keV

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  產(chǎn)品樣冊(cè)

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• 帶放大器的光電二極管陣列 S13885-128G產(chǎn)品樣冊(cè)

  X射線探測(cè)用光電二極管陣列（帶信號(hào)處理IC） S13885系列光電二極管陣列帶放大器，且在感光面上粘貼了磷片，用于X射線探測(cè)。通過(guò)改善信號(hào)處理IC，相較于公司之前的產(chǎn)品（S11865系列）有更高的靈敏度。信號(hào)處理電路的芯片由CMOS工藝制造，集成了信號(hào)發(fā)生器、移位寄存器、電荷放大陣列、鉗位電路和保持電路，因此可簡(jiǎn)化外部電路配置。通過(guò)將多個(gè)陣列排列起來(lái)，可配置出長(zhǎng)窄型傳感器。產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)率：1MHz max ● 象元間距大：0.4mm間距×128通道 ● 3.3 V電源供電 ?● 用電荷積分陣列同步積分 ● 零偏置光電二極管，因此暗電流低 ● 集成了鉗位電路，使其噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍寬 ● 集成了時(shí)序發(fā)生器，可在兩種脈沖時(shí)序下工作 ● 可探測(cè)能量范圍：30 k to 100 keV [詳細(xì)]

  2020-03-10 12:38

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• 帶放大器的光電二極管陣列 S13886-128G產(chǎn)品樣冊(cè)

  帶信號(hào)處理IC的光電二極管陣列，用于X射線檢測(cè)

  S13886-128G是帶有放大器的光電二極管陣列系列，放大器具有附著到光敏區(qū)域的熒光片以進(jìn)行X射線檢測(cè)。 與以前的產(chǎn)品S11865系列相比，信號(hào)處理IC芯片的改進(jìn)大幅度地提高了產(chǎn)品的靈敏度。 信號(hào)處理IC芯片由CMOS工藝構(gòu)成，內(nèi)含定時(shí)發(fā)生器，移位寄存器，電荷放大器陣列，鉗位電路和保持電路等復(fù)雜設(shè)置，所以當(dāng)客戶在連接外部電路時(shí)十分簡(jiǎn)單方便。 該產(chǎn)品還可以通過(guò)在一行中排列多個(gè)陣列來(lái)配置長(zhǎng)而窄的圖像傳感器。

  產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)速率：Zda1 MHz● 元件間距：0.8 mm pitch×128 ch● 3.3 V電源供電● 使用電荷放大器陣列的同時(shí)積分方法● 零偏置光電二極管操作，暗電流低● 集成鉗位電路，噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍寬。● 集成定時(shí)發(fā)生器可以在兩個(gè)不同的脈沖定時(shí)下工作。● 可檢測(cè)的能量范圍：30 k至100 keV

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• 帶放大器的光電二極管陣列 S13885-256G產(chǎn)品樣冊(cè)

  X射線探測(cè)用光電二極管陣列（帶信號(hào)處理IC） S13885系列光電二極管陣列帶放大器，且在感光面上粘貼了磷片，用于X射線探測(cè)。通過(guò)改善信號(hào)處理IC，相較于公司之前的產(chǎn)品（S11865系列）有更高的靈敏度。信號(hào)處理電路的芯片由CMOS工藝制造，集成了信號(hào)發(fā)生器、移位寄存器、電荷放大陣列、鉗位電路和保持電路，因此可簡(jiǎn)化外部電路配置。通過(guò)將多個(gè)陣列排列起來(lái)，可配置出長(zhǎng)窄型傳感器。產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)率：1MHz max ● 象元間距大：0.2 mm pitch × 256 ch ● 3.3V電源供電 ● 用電荷積分陣列同步積分 ● 零偏置光電二極管，因此暗電流低 ● 集成了鉗位電路，使其噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍寬 ● 集成了時(shí)序發(fā)生器，可在兩種脈沖時(shí)序下工作 ● 可探測(cè)能量范圍：30 k to 100 keV

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• 帶放大器的光電二極管陣列 S11866-64G-02產(chǎn)品樣冊(cè)

  X射線探測(cè)用光電二極管陣列（帶信號(hào)處理IC）這種光電二極管陣列帶放大器，且在感光面上粘貼了磷片，用于X射線探測(cè)。與之前的產(chǎn)品（S8865/S8866系列）相比，X射線耐受性有所提高。信號(hào)處理電路的芯片由CMOS工藝制造，集成了信號(hào)發(fā)生器、移位寄存器、電荷放大陣列、鉗位電路和保持電路，通過(guò)將多個(gè)陣列排列起來(lái)，可配置出外部電路配置。還提供專用驅(qū)動(dòng)電路C9118系列（單獨(dú)出售）。產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)率：1MHz max● 象元間距大：1.6 mm間距×64通道● 5V電源供電● 用電荷積分陣列同步積分● 零偏置光電二極管，因此暗電流低● 集成了鉗位電路，使其噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍寬● 集成了時(shí)序發(fā)生器，可在兩種脈沖時(shí)序下工作● 可探測(cè)能量范圍：30 k to 100 keV

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• 帶放大器的光電二極管陣列 S11866-64-02產(chǎn)品樣冊(cè)

  結(jié)合了信號(hào)處理IC的光電二極管陣列這些硅光電二極管結(jié)合了信號(hào)處理IC芯片。此芯片由CMOS工藝制造，集成了信號(hào)發(fā)生器、移位寄存器、電荷放大陣列、鉗位電路和保持電路，因此可簡(jiǎn)化外部電路配置。通過(guò)將多個(gè)陣列排列起來(lái)，可配置出長(zhǎng)窄型傳感器。濱松還未X射線探測(cè)應(yīng)用提供感光面上粘貼了磷片的傳感器。C9118是其專用驅(qū)動(dòng)電路。產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)率：Zda1 MHz● 象元間距大：0.4mm間距×64通道● 5V電源供電● 用電荷積分陣列同步積分● 移位寄存器串行讀出● 零偏置光電二極管，因此暗電流低● 集成了鉗位電路，使其噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍寬● 集成了時(shí)序發(fā)生器，可在兩種脈沖時(shí)序下工作結(jié)合了信號(hào)處理IC的光電二極管陣列這些硅光電二極管結(jié)合了信號(hào)處理IC芯片。此芯片由CMOS工藝制造，集成了信號(hào)發(fā)生器、移位寄存器、電荷放大陣列、鉗位電路和保持電路，因此可簡(jiǎn)化外部電路配置。通過(guò)將多個(gè)陣列排列起來(lái)，可配置出長(zhǎng)窄型傳感器。濱松還未X射線探測(cè)應(yīng)用提供感光面上粘貼了磷片的傳感器。C9118是其專用驅(qū)動(dòng)電路。產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)率：Zda1 MHz● 象元間距大：0.4mm間距×64通道● 5V電源供電● 用電荷積分陣列同步積分● 移位寄存器串行讀出● 零偏置光電二極管，因此暗電流低● 集成了鉗位電路，使其噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍寬● 集成了時(shí)序發(fā)生器，可在兩種脈沖時(shí)序下工作● 為X射線探測(cè)提供感光面粘貼了了磷片的類型（S11865-64G/-128G, S11866-64G-02/-128G-02）

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  X射線探測(cè)用光電二極管陣列（帶信號(hào)處理IC）這種光電二極管陣列帶放大器，且在感光面上粘貼了磷片，用于X射線探測(cè)。與之前的產(chǎn)品（S8865/S8866系列）相比，X射線耐受性有所提高。信號(hào)處理電路的芯片由CMOS工藝制造，集成了信號(hào)發(fā)生器、移位寄存器、電荷放大陣列、鉗位電路和保持電路，通過(guò)將多個(gè)陣列排列起來(lái)，可配置出外部電路配置。還提供專用驅(qū)動(dòng)電路C9118系列（單獨(dú)出售）。產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)率：1MHz max● 象元間距大：0.4mm間距×128通道● 5V電源供電● 用電荷積分陣列同步積分● 零偏置光電二極管，因此暗電流低● 集成了鉗位電路，使其噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍寬● 集成了時(shí)序發(fā)生器，可在兩種脈沖時(shí)序下工作● 可探測(cè)能量范圍：30 k to 100 keV

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• 帶放大器的光電二極管陣列 S11866-128-02產(chǎn)品樣冊(cè)

  結(jié)合了信號(hào)處理IC的光電二極管陣列這些硅光電二極管結(jié)合了信號(hào)處理IC芯片。此芯片由CMOS工藝制造，集成了信號(hào)發(fā)生器、移位寄存器、電荷放大陣列、鉗位電路和保持電路，因此可簡(jiǎn)化外部電路配置。通過(guò)將多個(gè)陣列排列起來(lái)，可配置出長(zhǎng)窄型傳感器。濱松還未X射線探測(cè)應(yīng)用提供感光面上粘貼了磷片的傳感器。C9118是其專用驅(qū)動(dòng)電路。產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)率：Zda1 MHz● 象元間距大：0.4mm間距×128通道● 5V電源供電● 用電荷積分陣列同步積分● 移位寄存器串行讀出● 零偏置光電二極管，因此暗電流低● 集成了鉗位電路，使其噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍寬● 集成了時(shí)序發(fā)生器，可在兩種脈沖時(shí)序下工作● 為X射線探測(cè)提供感光面粘貼了了磷片的類型（S11865-64G/-128G, S11866-64G-02/-128G-02）

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• 帶放大器的光電二極管陣列 S11865-256G產(chǎn)品樣冊(cè)

  X射線探測(cè)用光電二極管陣列（帶信號(hào)處理IC）這種光電二極管陣列帶放大器，且在感光面上粘貼了磷片，用于X射線探測(cè)。與之前的產(chǎn)品（S8865/S8866系列）相比，X射線耐受性有所提高。X信號(hào)處理電路的芯片由CMOS工藝制造，集成了信號(hào)發(fā)生器、移位寄存器、電荷放大陣列、鉗位電路和保持電路，因此可簡(jiǎn)化外部電路配置。通過(guò)將多個(gè)陣列排列起來(lái)，可配置出外部電路配置。

  產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)率：1MHz max● 象元間距大：0.2mm間距×256通道● 5V電源供電● 用電荷積分陣列同步積分● 零偏置光電二極管，因此暗電流低 ● 集成了鉗位電路，使其噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍寬 ● 集成了時(shí)序發(fā)生器，可在兩種脈沖時(shí)序下工作 ● 可探測(cè)能量范圍：30 k to 100 keV

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• 帶放大器的光電二極管陣列 S11865-256產(chǎn)品樣冊(cè)

  結(jié)合了信號(hào)處理IC的光電二極管陣列這些硅光電二極管結(jié)合了信號(hào)處理IC芯片。此芯片由CMOS工藝制造，集成了信號(hào)發(fā)生器、移位寄存器、電荷放大陣列、鉗位電路和保持電路，因此可簡(jiǎn)化外部電路配置。通過(guò)將多個(gè)陣列排列起來(lái)，可配置出長(zhǎng)窄型傳感器。濱松還未X射線探測(cè)應(yīng)用提供感光面上粘貼了磷片的傳感器。產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)率：Zda1 MHz● 象元間距大：0.2mm間距×256通道● 5V電源供電● 用電荷積分陣列同步積分● 移位寄存器串行讀出● 零偏置光電二極管，因此暗電流低● 集成了鉗位電路，使其噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍寬● 集成了時(shí)序發(fā)生器，可在兩種脈沖時(shí)序下工作● 為X射線探測(cè)提供感光面粘貼了了磷片的類型（S11865-265G）

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• 帶放大器的光電二極管陣列 S11865-128產(chǎn)品樣冊(cè)

  帶信號(hào)處理IC的光電二極管陣列S11865/S11866系列是帶信號(hào)處理IC芯片的硅光電二極管陣列。與之前的產(chǎn)品（S8865/S8866系列）相比，X射線耐受性有所提高。此芯片由CMOS工藝制造，集成了信號(hào)發(fā)生器、移位寄存器、電荷放大陣列、鉗位電路和保持電路，通過(guò)將多個(gè)陣列排列起來(lái)，可配置出外部電路。濱松還為X射線探測(cè)應(yīng)用提供感光面上粘貼了磷片的傳感器。C9118系列（單獨(dú)出售）是其專用驅(qū)動(dòng)電路。產(chǎn)品特性● 據(jù)率：Zda1 MHz● 象元間距大：0.4mm間距×128通道● 5V電源供電● 用電荷積分陣列同步積分● 移位寄存器串行讀出● 零偏置光電二極管，因此暗電流低● 集成了鉗位電路，使其噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍寬● 集成了時(shí)序發(fā)生器，可在兩種脈沖時(shí)序下工作● 為X射線探測(cè)提供感光面粘貼了了磷片的類型（S11865-64G/-128G, S11866-64G-02/-128G-02）

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  帶信號(hào)處理IC的光電二極管陣列，用于X射線檢測(cè)S13886-128G是帶有放大器的光電二極管陣列系列，放大器具有附著到光敏區(qū)域的熒光片以進(jìn)行X射線檢測(cè)。 與以前的產(chǎn)品S11865系列相比，信號(hào)處理IC芯片的改進(jìn)大幅度地提高了產(chǎn)品的靈敏度。 信號(hào)處理IC芯片由CMOS工藝構(gòu)成，內(nèi)含定時(shí)發(fā)生器，移位寄存器，電荷放大器陣列，鉗位電路和保持電路等復(fù)雜設(shè)置，所以當(dāng)客戶在連接外部電路時(shí)十分簡(jiǎn)單方便。 該產(chǎn)品還可以通過(guò)在一行中排列多個(gè)陣列來(lái)配置長(zhǎng)而窄的圖像傳感器。產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)速率：Zda1 MHz● 元件間距：0.8 mm pitch×128 ch● 3.3 V電源供電● 使用電荷放大器陣列的同時(shí)積分方法● 零偏置光電二極管操作，暗電流低● 集成鉗位電路，噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍寬。● 集成定時(shí)發(fā)生器可以在兩個(gè)不同的脈沖定時(shí)下工作?！?可檢測(cè)的能量范圍：30 k至100 keV [詳細(xì)]

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  X射線探測(cè)用光電二極管陣列（帶信號(hào)處理IC） S13885系列光電二極管陣列帶放大器，且在感光面上粘貼了磷片，用于X射線探測(cè)。通過(guò)改善信號(hào)處理IC，相較于公司之前的產(chǎn)品（S11865系列）有更高的靈敏度。信號(hào)處理電路的芯片由CMOS工藝制造，集成了信號(hào)發(fā)生器、移位寄存器、電荷放大陣列、鉗位電路和保持電路，因此可簡(jiǎn)化外部電路配置。通過(guò)將多個(gè)陣列排列起來(lái)，可配置出長(zhǎng)窄型傳感器。產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)率：1MHz max ● 象元間距大：0.2 mm pitch × 256 ch ● 3.3V電源供電 ● 用電荷積分陣列同步積分 ● 零偏置光電二極管，因此暗電流低 ● 集成了鉗位電路，使其噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍寬 ● 集成了時(shí)序發(fā)生器，可在兩種脈沖時(shí)序下工作 ● 可探測(cè)能量范圍：30 k to 100 keV [詳細(xì)]

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  X射線探測(cè)用光電二極管陣列（帶信號(hào)處理IC）這種光電二極管陣列帶放大器，且在感光面上粘貼了磷片，用于X射線探測(cè)。與之前的產(chǎn)品（S8865/S8866系列）相比，X射線耐受性有所提高。信號(hào)處理電路的芯片由CMOS工藝制造，集成了信號(hào)發(fā)生器、移位寄存器、電荷放大陣列、鉗位電路和保持電路，通過(guò)將多個(gè)陣列排列起來(lái)，可配置出外部電路配置。還提供專用驅(qū)動(dòng)電路C9118系列（單獨(dú)出售）。產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)率：1MHz max● 象元間距大：1.6 mm間距×64通道● 5V電源供電● 用電荷積分陣列同步積分● 零偏置光電二極管，因此暗電流低● 集成了鉗位電路，使其噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍寬● 集成了時(shí)序發(fā)生器，可在兩種脈沖時(shí)序下工作● 可探測(cè)能量范圍：30 k to 100 keV [詳細(xì)]

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  結(jié)合了信號(hào)處理IC的光電二極管陣列這些硅光電二極管結(jié)合了信號(hào)處理IC芯片。此芯片由CMOS工藝制造，集成了信號(hào)發(fā)生器、移位寄存器、電荷放大陣列、鉗位電路和保持電路，因此可簡(jiǎn)化外部電路配置。通過(guò)將多個(gè)陣列排列起來(lái)，可配置出長(zhǎng)窄型傳感器。濱松還未X射線探測(cè)應(yīng)用提供感光面上粘貼了磷片的傳感器。C9118是其專用驅(qū)動(dòng)電路。產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)率：Zda1 MHz● 象元間距大：0.4mm間距×64通道● 5V電源供電● 用電荷積分陣列同步積分● 移位寄存器串行讀出● 零偏置光電二極管，因此暗電流低● 集成了鉗位電路，使其噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍寬● 集成了時(shí)序發(fā)生器，可在兩種脈沖時(shí)序下工作● 為X射線探測(cè)提供感光面粘貼了了磷片的類型（S11865-64G/-128G, S11866-64G-02/-128G-02） [詳細(xì)]

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• 帶放大器的光電二極管陣列 S11866-128G-02產(chǎn)品樣冊(cè)

  X射線探測(cè)用光電二極管陣列（帶信號(hào)處理IC）這種光電二極管陣列帶放大器，且在感光面上粘貼了磷片，用于X射線探測(cè)。與之前的產(chǎn)品（S8865/S8866系列）相比，X射線耐受性有所提高。信號(hào)處理電路的芯片由CMOS工藝制造，集成了信號(hào)發(fā)生器、移位寄存器、電荷放大陣列、鉗位電路和保持電路，通過(guò)將多個(gè)陣列排列起來(lái)，可配置出外部電路配置。還提供專用驅(qū)動(dòng)電路C9118系列（單獨(dú)出售）。產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)率：1MHz max● 象元間距大：0.4mm間距×128通道● 5V電源供電● 用電荷積分陣列同步積分● 零偏置光電射線探測(cè)用光電二極管陣列（帶信號(hào)處理IC）這種光電二極管陣列帶放大器，且在感光面上粘貼了磷片，用于X射線探測(cè)。與之前的產(chǎn)品（S8865/S8866系列）相比，X射線耐受性有所提高。信號(hào)處理電路的芯片由CMOS工藝制造，集成了信號(hào)發(fā)生器、移位寄存器、電荷放大陣列、鉗位電路和保持電路，通過(guò)將多個(gè)陣列排列起來(lái)，可配置出外部電路配置。還提供專用驅(qū)動(dòng)電路C9118系列（單獨(dú)出售）。產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)率：1MHz max● 象元間距大：0.4mm間距×128通道● 5V電源供電● 用電荷積分陣列同步積分● 零偏置光電二極管，因此暗電流低● 集成了鉗位電路，使其噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍寬● 集成了時(shí)序發(fā)生器，可在兩種脈沖時(shí)序下工作● 可探測(cè)能量范圍：30 k to 100 keV [詳細(xì)]

  2020-03-10 12:38

  產(chǎn)品樣冊(cè)

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• 帶放大器的光電二極管陣列 S11866-128-02產(chǎn)品樣冊(cè)

  結(jié)合了信號(hào)處理IC的光電二極管陣列這些硅光電二極管結(jié)合了信號(hào)處理IC芯片。此芯片由CMOS工藝制造，集成了信號(hào)發(fā)生器、移位寄存器、電荷放大陣列、鉗位電路和保持電路，因此可簡(jiǎn)化外部電路配置。通過(guò)將多個(gè)陣列排列起來(lái)，可配置出長(zhǎng)窄型傳感器。濱松還未X射線探測(cè)應(yīng)用提供感光面上粘貼了磷片的傳感器。C9118是其專用驅(qū)動(dòng)電路。產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)率：Zda1 MHz● 象元間距大：0.4mm間距×128通道● 5V電源供電● 用電荷積分陣列同步積分● 移位寄存器串行讀出● 零偏置光電二極管，因此暗電流低● 集成了鉗位電路，使其噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍寬● 集成了時(shí)序發(fā)生器，可在兩種脈沖時(shí)序下工作● 為X射線探測(cè)提供感光面粘貼了了磷片的類型（S11865-64G/-128G, S11866-64G-02/-128G-02） [詳細(xì)]

  2020-03-10 12:38

  產(chǎn)品樣冊(cè)

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• 帶放大器的光電二極管陣列 S11865-64G產(chǎn)品樣冊(cè)

  X射線探測(cè)用光電二極管陣列（帶信號(hào)處理IC）這種光電二極管陣列帶放大器，且在感光面上粘貼了磷片，用于X射線探測(cè)。與之前的產(chǎn)品（S8865/S8866系列）相比，X射線耐受性有所提高。信號(hào)處理電路的芯片由CMOS工藝制造，集成了信號(hào)發(fā)生器、移位寄存器、電荷放大陣列、鉗位電路和保持電路，通過(guò)將多個(gè)陣列排列起來(lái)，可配置出外部電路配置。還提供專用驅(qū)動(dòng)電路C9118（單獨(dú)出售）系列。產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)率：1MHz max● 象元間距大：0.4mm間距×64通道● 5V電源供電● 用電荷積分陣列同步積分● 零偏置光電二極管，因此暗電流低● 集成了鉗位電路，使其噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍寬● 集成了時(shí)序發(fā)生器，可在兩種脈沖時(shí)序下工作● 可探測(cè)能量范圍：30 k to 100 keV [詳細(xì)]

  2020-03-10 12:38

  產(chǎn)品樣冊(cè)

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• 帶放大器的光電二極管陣列 S11865-64產(chǎn)品樣冊(cè)

  結(jié)合了信號(hào)處理IC的光電二極管陣列這些硅光電二極管結(jié)合了信號(hào)處理IC芯片。此芯片由CMOS工藝制造，集成了信號(hào)發(fā)生器、移位寄存器、電荷放大陣列、鉗位電路和保持電路，因此可簡(jiǎn)化外部電路配置。通過(guò)將多個(gè)陣列排列起來(lái)，可配置出長(zhǎng)窄型傳感器。濱松還未X射線探測(cè)應(yīng)用提供感光面上粘貼了磷片的傳感器。C9118是其專用驅(qū)動(dòng)電路。產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)率：Zda1 MHz● 象元間距大：0.4mm間距×64通道● 5V電源供電● 用電荷積分陣列同步積分● 移位寄存器串行讀出● 零偏置光電二極管，因此暗電流低● 集成了鉗位電路，使其噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍寬● 集成了時(shí)序發(fā)生器，可在兩種脈沖時(shí)序下工作● 為X射線探測(cè)提供感光面粘貼了了磷片的類型（S11865-64G/-128G, S11866-64G-02/-128G-02） [詳細(xì)]

  2020-03-10 12:38

  產(chǎn)品樣冊(cè)

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• 帶放大器的光電二極管陣列 S11865-256G產(chǎn)品樣冊(cè)

  X射線探測(cè)用光電二極管陣列（帶信號(hào)處理IC）這種光電二極管陣列帶放大器，且在感光面上粘貼了磷片，用于X射線探測(cè)。與之前的產(chǎn)品（S8865/S8866系列）相比，X射線耐受性有所提高。X信號(hào)處理電路的芯片由CMOS工藝制造，集成了信號(hào)發(fā)生器、移位寄存器、電荷放大陣列、鉗位電路和保持電路，因此可簡(jiǎn)化外部電路配置。通過(guò)將多個(gè)陣列排列起來(lái)，可配置出外部電路配置。產(chǎn)品特性● 數(shù)據(jù)率：1MHz max● 象元間距大：0.2mm間距×256通道● 5V電源供電● 用電荷積分陣列同步積分● 零偏置光電二極管，因此暗電流低 ● 集成了鉗位電路，使其噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍寬 ● 集成了時(shí)序發(fā)生器，可在兩種脈沖時(shí)序下工作 ● 可探測(cè)能量范圍：30 k to 100 keV [詳細(xì)]

  2020-03-10 12:38

  產(chǎn)品樣冊(cè)

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