本文由 濱松光子學(xué)商貿(mào)（中國(guó)）有限公司 整理匯編

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• MPPC 陣列 S13615-1050N-04產(chǎn)品樣冊(cè)

  芯片尺寸封裝的MPPCs，通過采用TSV結(jié)構(gòu)小型化,4×4 ch陣列,像素間距:50μmS13615系列是一種采用TSV (through-silicon via)和CSP (chip size package，芯片尺寸封裝)技術(shù)，用于精密測(cè)量的微加工MPPC(多像素光計(jì)數(shù)器)陣列。采用TSV結(jié)構(gòu)，可以消除光敏區(qū)側(cè)布線，結(jié)構(gòu)緊湊，死區(qū)少。相比之前的產(chǎn)品S13361系列，其光敏面積小(1×1毫米)，因此提供了一種高空間分辨率。四面支撐結(jié)構(gòu)，可并排布置多個(gè)設(shè)備，制造大面積設(shè)備。它適用于醫(yī)學(xué)和無損檢測(cè)，環(huán)境分析，高能物理實(shí)驗(yàn)，以及其他需要光子計(jì)數(shù)測(cè)量的應(yīng)用。產(chǎn)品特性● 減少串?dāng)_和暗計(jì)數(shù)(與以前的產(chǎn)品相比)● 優(yōu)良的光子計(jì)數(shù)能力(zhuo越的檢測(cè)效率與入射光子數(shù))● 低串?dāng)_● 低剩余脈沖● 低壓(VBR=53 V typ.)運(yùn)行● 小感光面積:1×1毫米*詳情請(qǐng)與我們聯(lián)絡(luò)。 [詳細(xì)]

  2020-03-10 12:37

  產(chǎn)品樣冊(cè)

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• MPPC陣列 S14161-6050HS-04產(chǎn)品樣冊(cè)

  用于閃爍探測(cè)器的低擊穿電壓型MPPC與其它MPPC相比，S14161系列具有更高的PDE(光子檢測(cè)效率)和更低的工作電壓，適用于PET和輻射監(jiān)測(cè)應(yīng)用。它們利用HWB(孔線鍵合)技術(shù)(ZL申請(qǐng)中)在光敏區(qū)實(shí)現(xiàn)小的死區(qū)。光敏區(qū)邊緣到封裝邊緣的距離僅為0.2 mm。該方案實(shí)現(xiàn)了四面對(duì)接布置。產(chǎn)品特性● PDE更高(50% at λp, Vop=VBR + 2.7 V)● 低壓(VBR=38 V typ.)運(yùn)行● 光敏區(qū)死區(qū)小● 低串?dāng)_，低后脈沖● 高增益：106 order● 高時(shí)間分辨率● 不受磁場(chǎng)影響 [詳細(xì)]

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  產(chǎn)品樣冊(cè)

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• MPPC陣列 S14161-3050HS-06產(chǎn)品樣冊(cè)

  用于閃爍探測(cè)器的低擊穿電壓型MPPC與其它MPPC相比，S14161系列具有更高的PDE(光子檢測(cè)效率)和更低的工作電壓，適用于PET和輻射監(jiān)測(cè)應(yīng)用。它們利用HWB(孔線鍵合)技術(shù)(ZL申請(qǐng)中)在光敏區(qū)實(shí)現(xiàn)小的死區(qū)。光敏區(qū)邊緣到封裝邊緣的距離僅為0.2 mm。該方案實(shí)現(xiàn)了四面對(duì)接布置。產(chǎn)品特性● PDE更高(50% at λp, Vop=VBR + 2.7 V)● 低壓(VBR=38 V typ.)運(yùn)行● 光敏區(qū)死區(qū)小● 低串?dāng)_，低后脈沖● 高增益：106 order● 高時(shí)間分辨率● 不受磁場(chǎng)影響 [詳細(xì)]

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• MPPC陣列 S14161-3050HS-08產(chǎn)品樣冊(cè)

  用于閃爍探測(cè)器的低擊穿電壓型MPPC與其它MPPC相比，S14161系列具有更高的PDE(光子檢測(cè)效率)和更低的工作電壓，適用于PET和輻射監(jiān)測(cè)應(yīng)用。它們利用HWB(孔線鍵合)技術(shù)(ZL申請(qǐng)中)在光敏區(qū)實(shí)現(xiàn)小的死區(qū)。光敏區(qū)邊緣到封裝邊緣的距離僅為0.2 mm。該方案實(shí)現(xiàn)了四面對(duì)接布置。產(chǎn)品特性● PDE更高(50% at λp, Vop=VBR + 2.7 V)● 低壓(VBR=38 V typ.)運(yùn)行● 光敏區(qū)死區(qū)小● 低串?dāng)_，低后脈沖● 高增益：106 order● 高時(shí)間分辨率● 不受磁場(chǎng)影響 [詳細(xì)]

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• MPPC陣列 S14161-3050HS-04產(chǎn)品樣冊(cè)

  用于閃爍探測(cè)器的低擊穿電壓型MPPC與其它MPPC相比，S14161系列具有更高的PDE(光子檢測(cè)效率)和更低的工作電壓，適用于PET和輻射監(jiān)測(cè)應(yīng)用。它們利用HWB(孔線鍵合)技術(shù)(ZL申請(qǐng)中)在光敏區(qū)實(shí)現(xiàn)小的死區(qū)。光敏區(qū)邊緣到封裝邊緣的距離僅為0.2 mm。該方案實(shí)現(xiàn)了四面對(duì)接布置。產(chǎn)品特性● PDE更高(50% at λp, Vop=VBR + 2.7 V)● 低壓(VBR=38 V typ.)運(yùn)行● 光敏區(qū)死區(qū)小● 低串?dāng)_，低后脈沖● 高增益：106 order● 高時(shí)間分辨率● 不受磁場(chǎng)影響 [詳細(xì)]

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• MPPC 陣列 S13615-1025N-04產(chǎn)品樣冊(cè)

  芯片尺寸封裝的MPPCs，通過采用TSV結(jié)構(gòu)小型化,4×4 ch陣列,像素間距:25μmS13615系列是一種采用TSV (through-silicon via)和CSP (chip size package，芯片尺寸封裝)技術(shù)，用于精密測(cè)量的微加工MPPC(多像素光計(jì)數(shù)器)陣列。采用TSV結(jié)構(gòu)，可以消除光敏區(qū)側(cè)布線，結(jié)構(gòu)緊湊，死區(qū)少。相比之前的產(chǎn)品S13361系列，其光敏面積小(1×1毫米)，因此提供了一種高空間分辨率。四面支撐結(jié)構(gòu)，可并排布置多個(gè)設(shè)備，制造大面積設(shè)備。它適用于醫(yī)學(xué)和無損檢測(cè)，環(huán)境分析，高能物理實(shí)驗(yàn)，以及其他需要光子計(jì)數(shù)測(cè)量的應(yīng)用。 產(chǎn)品特性● 減少串?dāng)_和暗計(jì)數(shù)(與以前的產(chǎn)品相比)● 優(yōu)良的光子計(jì)數(shù)能力(zhuo越的檢測(cè)效率與入射光子數(shù))● 低串?dāng)_● 低剩余脈沖● 低壓(VBR=53 V typ.)運(yùn)行● 小感光面積:1×1毫米*詳情請(qǐng)與我們聯(lián)絡(luò)。 [詳細(xì)]

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• MPPC 陣列 S13615-1025N-16產(chǎn)品樣冊(cè)

  芯片尺寸封裝的MPPCs，通過采用TSV結(jié)構(gòu)小型化,16×16 ch陣列,像素間距:25μmS13615系列是一種采用TSV (through-silicon via)和CSP (chip size package，芯片尺寸封裝)技術(shù)，用于精密測(cè)量的微加工MPPC(多像素光計(jì)數(shù)器)陣列。采用TSV結(jié)構(gòu)，可以消除光敏區(qū)側(cè)布線，結(jié)構(gòu)緊湊，死區(qū)少。相比之前的產(chǎn)品S13361系列，其光敏面積小(1×1毫米)，因此提供了一種高空間分辨率。四面支撐結(jié)構(gòu)，可并排布置多個(gè)設(shè)備，制造大面積設(shè)備。它適用于醫(yī)學(xué)和無損檢測(cè)，環(huán)境分析，高能物理實(shí)驗(yàn)，以及其他需要光子計(jì)數(shù)測(cè)量的應(yīng)用。產(chǎn)品特性● 減少串?dāng)_和暗計(jì)數(shù)(與以前的產(chǎn)品相比)● 優(yōu)良的光子計(jì)數(shù)能力(zhuo越的檢測(cè)效率與入射光子數(shù))● 低串?dāng)_● 低剩余脈沖● 低壓(VBR=53 V typ.)運(yùn)行● 小感光面積:1×1毫米*詳情請(qǐng)與我們聯(lián)絡(luò)。 [詳細(xì)]

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  芯片尺寸封裝的MPPCs，通過采用TSV結(jié)構(gòu)小型化,8×8 ch陣列,像素間距:50μmS13615系列是一種采用TSV (through-silicon via)和CSP (chip size package，芯片尺寸封裝)技術(shù)，用于精密測(cè)量的微加工MPPC(多像素光計(jì)數(shù)器)陣列。采用TSV結(jié)構(gòu)，可以消除光敏區(qū)側(cè)布線，結(jié)構(gòu)緊湊，死區(qū)少。相比之前的產(chǎn)品S13361系列，其光敏面積小(1×1毫米)，因此提供了一種高空間分辨率。四面支撐結(jié)構(gòu)，可并排布置多個(gè)設(shè)備，制造大面積設(shè)備。它適用于醫(yī)學(xué)和無損檢測(cè)，環(huán)境分析，高能物理實(shí)驗(yàn)，以及其他需要光子計(jì)數(shù)測(cè)量的應(yīng)用。產(chǎn)品特性● 減少串?dāng)_和暗計(jì)數(shù)(與以前的產(chǎn)品相比)● 優(yōu)良的光子計(jì)數(shù)能力(zhuo越的檢測(cè)效率與入射光子數(shù))● 低串?dāng)_● 低剩余脈沖● 低壓(VBR=53 V typ.)運(yùn)行● 小感光面積:1×1毫米*詳情請(qǐng)與我們聯(lián)絡(luò)。 [詳細(xì)]

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• MPPC 陣列 S13615-1050N-16產(chǎn)品樣冊(cè)

  芯片尺寸封裝的MPPCs，通過采用TSV結(jié)構(gòu)小型化,16×16 ch陣列,像素間距:50μmS13615系列是一種采用TSV (through-silicon via)和CSP (chip size package，芯片尺寸封裝)技術(shù)，用于精密測(cè)量的微加工MPPC(多像素光計(jì)數(shù)器)陣列。采用TSV結(jié)構(gòu)，可以消除光敏區(qū)側(cè)布線，結(jié)構(gòu)緊湊，死區(qū)少。相比之前的產(chǎn)品S13361系列，其光敏面積小(1×1毫米)，因此提供了一種高空間分辨率。四面支撐結(jié)構(gòu)，可并排布置多個(gè)設(shè)備，制造大面積設(shè)備。它適用于醫(yī)學(xué)和無損檢測(cè)，環(huán)境分析，高能物理實(shí)驗(yàn)，以及其他需要光子計(jì)數(shù)測(cè)量的應(yīng)用。產(chǎn)品特性● 減少串?dāng)_和暗計(jì)數(shù)(與以前的產(chǎn)品相比)● 優(yōu)良的光子計(jì)數(shù)能力(zhuo越的檢測(cè)效率與入射光子數(shù))● 低串?dāng)_● 低剩余脈沖● 低壓(VBR=53 V typ.)運(yùn)行● 小感光面積:1×1毫米*詳情請(qǐng)與我們聯(lián)絡(luò)。 [詳細(xì)]

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• MPPC陣列 S13361-6050NE-04產(chǎn)品樣冊(cè)

  4 x4 ch通道組件，像素間距：50 μm S13361系列是一個(gè)用于精密測(cè)量的MPPC陣列產(chǎn)品，它繼承其前代產(chǎn)品的低后脈沖的性能，并且具有低串?dāng)_和低暗計(jì)數(shù)的優(yōu)點(diǎn)。該MPPC組件使用了硅穿孔（TSV：Through Silicon Via）技術(shù)，以此將敏感區(qū)的死區(qū)部分縮減至Z小。四邊可拼接的結(jié)構(gòu)，方便以狹小的拼接縫隙向兩個(gè)維度拼組更多元素。 產(chǎn)品特性● 減少了干擾和暗計(jì)數(shù)（較以前產(chǎn)品）?● 低后脈沖?● 的光子計(jì)數(shù)能力?（對(duì)入射光的光子探測(cè)效率極高）?● 采用COB(chip on board)類型封裝，減少死區(qū)● 更大的感光面積?● 的均一性?● 低工作電壓*想要了解更多的詳細(xì)信息，請(qǐng)聯(lián)系我們 [詳細(xì)]

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• MPPC陣列 S13361-3050AE-08產(chǎn)品樣冊(cè)

  8x8通道組件，像素大?。?0μm，帶連接器?S13361系列是一個(gè)用于精密測(cè)量的MPPC（硅PM）產(chǎn)品，它繼承其前代產(chǎn)品極好的低殘留脈沖的性能，并且具有低串?dāng)_和低暗計(jì)數(shù)的優(yōu)點(diǎn)。該MPPC組件使用了TSV（硅穿孔）技術(shù)，以此將敏感區(qū)的死區(qū)部分縮減至Z小。四邊可拼接的結(jié)構(gòu)，方便以狹小的拼接縫隙向兩個(gè)維度拼組更多元素。產(chǎn)品特性● 降低了串?dāng)_和暗計(jì)數(shù)（相對(duì)于前代產(chǎn)品）?●?低殘留脈沖?●?出色的光子計(jì)數(shù)能力（對(duì)入射光的光子探測(cè)效率極高）?●?COB封裝，將死區(qū)Z小?●?更大敏感區(qū)域?●?出色的一致性?●?低工作電壓*如需了解產(chǎn)品詳細(xì)信息，敬請(qǐng)聯(lián)系我們。 [詳細(xì)]

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• MPPC陣列 S13361-3050NE-08產(chǎn)品樣冊(cè)

  8x8通道陣列，像素間距：50 μm S13360系列是一個(gè)用于精密測(cè)量用的MPPC（SiPM）產(chǎn)品，繼承了以往產(chǎn)品的低殘留脈沖的特性外，同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了低串?dāng)_、低暗計(jì)數(shù)的性能。該MPPC組件使用了TSV（硅穿孔）技術(shù)，以此將敏感區(qū)的死區(qū)部分縮減至Z小。四邊可拼接的結(jié)構(gòu)，方便以狹小的拼接縫隙向兩個(gè)維度拼組更多元素。 ?產(chǎn)品特性● 減少了干擾和暗計(jì)數(shù)（較以前產(chǎn)品）?● 低后脈沖?● 的光子計(jì)數(shù)能力?（對(duì)入射光的光子探測(cè)效率極高）?● 采用COB(chip on board)類型封裝，減少死區(qū)● 更大的感光面積?● 的均一性?● 低工作電壓*想要了解更多的詳細(xì)信息，請(qǐng)聯(lián)系我們 [詳細(xì)]

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  4x4通道組件，像素大?。?0μm，帶連接器 S13361系列是一個(gè)用于精密測(cè)量的MPPC（硅PM）產(chǎn)品，它繼承其前代產(chǎn)品極好的低殘留脈沖的性能，并且具有低串?dāng)_和低暗計(jì)數(shù)的優(yōu)點(diǎn)。該MPPC組件使用了TSV（硅穿孔）技術(shù)，以此將敏感區(qū)的死區(qū)部分縮減至Z小。四邊可拼接的結(jié)構(gòu)，方便以狹小的拼接縫隙向兩個(gè)維度拼組更多元素。產(chǎn)品特性● 降低了串?dāng)_和暗計(jì)數(shù)（相對(duì)于前代產(chǎn)品） ● 低殘留脈沖 ● 出色的光子計(jì)數(shù)能力（對(duì)入射光的光子探測(cè)效率極高） ● COB封裝，將死區(qū)Z小 ● 更大敏感區(qū)域 ● 出色的一致性 ● 低工作電壓*如需了解產(chǎn)品詳細(xì)信息，敬請(qǐng)聯(lián)系我們。 [詳細(xì)]

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  芯片尺寸封裝的MPPCs，通過采用TSV結(jié)構(gòu)小型化,8×8 ch陣列,像素間距:25μmS13615系列是一種采用TSV (through-silicon via)和CSP (chip size package，芯片尺寸封裝)技術(shù)，用于精密測(cè)量的微加工MPPC(多像素光計(jì)數(shù)器)陣列。采用TSV結(jié)構(gòu)，可以消除光敏區(qū)側(cè)布線，結(jié)構(gòu)緊湊，死區(qū)少。相比之前的產(chǎn)品S13361系列，其光敏面積小(1×1毫米)，因此提供了一種高空間分辨率。四面支撐結(jié)構(gòu)，可并排布置多個(gè)設(shè)備，制造大面積設(shè)備。它適用于醫(yī)學(xué)和無損檢測(cè)，環(huán)境分析，高能物理實(shí)驗(yàn)，以及其他需要光子計(jì)數(shù)測(cè)量的應(yīng)用。產(chǎn)品特性● 減少串?dāng)_和暗計(jì)數(shù)(與以前的產(chǎn)品相比)● 優(yōu)良的光子計(jì)數(shù)能力(zhuo越的檢測(cè)效率與入射光子數(shù))● 低串?dāng)_● 低剩余脈沖● 低壓(VBR=53 V typ.)運(yùn)行● 小感光面積:1×1毫米*詳情請(qǐng)與我們聯(lián)絡(luò)。 [詳細(xì)]

  2024-09-28 15:53

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  4 x4 ch通道組件，像素間距：50 μm，帶連接器 S13361系列是一個(gè)用于精密測(cè)量的MPPC陣列產(chǎn)品，它繼承其前代產(chǎn)品的低后脈沖的性能，并且具有低串?dāng)_和低暗計(jì)數(shù)的優(yōu)點(diǎn)。該MPPC組件使用了硅穿孔（TSV：Through Silicon Via）技術(shù)，以此將敏感區(qū)的死區(qū)部分縮減至Z小。四邊可拼接的結(jié)構(gòu)，方便以狹小的拼接縫隙向兩個(gè)維度拼組更多元素。產(chǎn)品特性● 減少了干擾和暗計(jì)數(shù)（較以前產(chǎn)品） ● 低后脈沖 ● 的光子計(jì)數(shù)能力 （對(duì)入射光的光子探測(cè)效率極高） ● 采用COB(chip on board)類型封裝，減少死區(qū)● 更大的感光面積 ● 的均一性 ● 低工作電壓*想要了解更多的詳細(xì)信息，請(qǐng)聯(lián)系我們 [詳細(xì)]

  2024-10-01 08:09

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• MPPC陣列 S13361-2050NE-04產(chǎn)品樣冊(cè)

  4 x4 ch通道組件，像素間距： 50 μm S13361系列是用于精密測(cè)量的MPPC陣列產(chǎn)品，它繼承其前代產(chǎn)品的低后脈沖的性能，并且具有低串?dāng)_和低暗計(jì)數(shù)的優(yōu)點(diǎn)。該MPPC組件使用了硅穿孔（TSV：Through Silicon Via）技術(shù)，以此將敏感區(qū)的死區(qū)部分縮減至Z小。四邊可拼接的結(jié)構(gòu)，方便以狹小的拼接縫隙向兩個(gè)維度拼組更多元素。產(chǎn)品特性● 減少了干擾和暗計(jì)數(shù)（較以前產(chǎn)品） ● 低后脈沖 ● 的光子計(jì)數(shù)能力 （對(duì)入射光的光子探測(cè)效率極高） ● 采用COB(chip on board)類型封裝，減少死區(qū)● 更大的感光面積 ● 的均一性 ● 低工作電壓*想要了解更多的詳細(xì)信息，請(qǐng)聯(lián)系我們 [詳細(xì)]

  2024-09-11 18:00

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• MPPC陣列 S13361-2050AE-04產(chǎn)品樣冊(cè)

  4 x4 通道陣列，像素間距：75 μm，帶連接器 S13361系列是用于精密測(cè)量的MPPC陣列產(chǎn)品，它繼承其前代產(chǎn)品的低后脈沖的性能，并且具有低串?dāng)_和低暗計(jì)數(shù)的優(yōu)點(diǎn)。該MPPC組件使用了硅穿孔（TSV：Through Silicon Via）技術(shù)，以此將敏感區(qū)的死區(qū)部分縮減至Z小。四邊可拼接的結(jié)構(gòu)，方便以狹小的拼接縫隙向兩個(gè)維度拼組更多元素。產(chǎn)品特性● 減少了干擾和暗計(jì)數(shù)（較以前產(chǎn)品） ● 低后脈沖 ● 的光子計(jì)數(shù)能力 （對(duì)入射光的光子探測(cè)效率極高） ● 采用COB(chip on board)類型封裝，減少死區(qū) ● 更大的感光面積 ● 的均一性 ● 低工作電壓*想要了解更多的詳細(xì)信息，請(qǐng)聯(lián)系我們。 [詳細(xì)]

  2024-09-11 17:47

  產(chǎn)品樣冊(cè)

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• MPPC陣列 S13361-3050NE-04產(chǎn)品樣冊(cè)

  4x4通道組件，像素大?。?0μm S13361系列是一個(gè)用于精密測(cè)量的MPPC（硅PM）產(chǎn)品，它繼承其前代產(chǎn)品極好的低殘留脈沖的性能，并且具有低串?dāng)_和低暗計(jì)數(shù)的優(yōu)點(diǎn)。該MPPC組件使用了TSV（硅穿孔）技術(shù)，以此將敏感區(qū)的死區(qū)部分縮減至Z小。四邊可拼接的結(jié)構(gòu)，方便以狹小的拼接縫隙向兩個(gè)維度拼組更多元素。 產(chǎn)品特性● 降低了串?dāng)_和暗計(jì)數(shù)（相對(duì)于前代產(chǎn)品） ● 低殘留脈沖 ● 出色的光子計(jì)數(shù)能力（對(duì)入射光的光子探測(cè)效率極高） ● COB封裝，將死區(qū)Z小 ● 更大敏感區(qū)域 ● 出色的一致性 ● 低工作電壓*如需了解產(chǎn)品詳細(xì)信息，敬請(qǐng)聯(lián)系我們。 [詳細(xì)]

  2024-09-11 17:56

  產(chǎn)品樣冊(cè)

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• MPPC S14160-6050HS產(chǎn)品樣冊(cè)

  用于閃爍探測(cè)器的低擊穿電壓型MPPC與其它MPPC相比，S14160系列具有更高的PDE(光子檢測(cè)效率)和更低的工作電壓，適用于PET和輻射監(jiān)測(cè)應(yīng)用。它們利用HWB(孔線鍵合)技術(shù)(ZL申請(qǐng)中)在光敏區(qū)實(shí)現(xiàn)小的死區(qū)。光敏區(qū)邊緣到封裝邊緣的距離僅為0.2 mm。該方案實(shí)現(xiàn)了四面對(duì)接布置。產(chǎn)品特性● PDE更高(50% at λp, Vop=VBR + 2.7 V)● 低壓(VBR=38 V typ.)運(yùn)行● 光敏區(qū)死區(qū)小● 低串?dāng)_，低后脈沖● 高增益：106 order● 高時(shí)間分辨率● 不受磁場(chǎng)影響 [詳細(xì)]

  2020-03-10 12:37

  產(chǎn)品樣冊(cè)

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• MPPC S14160-4050HS產(chǎn)品樣冊(cè)

  用于閃爍探測(cè)器的低擊穿電壓型MPPC與其它MPPC相比，S14160系列具有更高的PDE(光子檢測(cè)效率)和更低的工作電壓，適用于PET和輻射監(jiān)測(cè)應(yīng)用。它們利用HWB(孔線鍵合)技術(shù)(ZL申請(qǐng)中)在光敏區(qū)實(shí)現(xiàn)小的死區(qū)。光敏區(qū)邊緣到封裝邊緣的距離僅為0.2 mm。該方案實(shí)現(xiàn)了四面對(duì)接布置。產(chǎn)品特性● PDE更高(50% at λp, Vop=VBR + 2.7 V)● 低壓(VBR=38 V typ.)運(yùn)行● 光敏區(qū)死區(qū)小● 低串?dāng)_，低后脈沖● 高增益：106 order● 高時(shí)間分辨率● 不受磁場(chǎng)影響 [詳細(xì)]

  2020-03-10 12:37

  產(chǎn)品樣冊(cè)

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