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GBT 2423.1-1989 環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 低溫試驗(yàn)方法
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GBT2423.1-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)A低溫試驗(yàn)方法.pdf
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GBT 2423.1-1989 環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 低溫試驗(yàn)方法
- GBT2423.1-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)A低溫試驗(yàn)方法.pdf[詳細(xì)]
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2018-10-05 10:00
產(chǎn)品樣冊(cè)
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GBT 2423.1-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)A低溫試驗(yàn)方法
- GBT 2423.1-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)A低溫試驗(yàn)方法[詳細(xì)]
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2014-05-22 00:00
安裝說(shuō)明
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GBT 2423.1-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)A低溫試驗(yàn)方法
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2014-03-04 00:00
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2014-12-11 00:00
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GBT 2423電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 A低溫試驗(yàn)方法
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2018-10-23 10:31
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2014-02-20 00:00
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2018-09-03 10:00
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2018-09-13 10:00
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GB2423.1-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn) A 低溫試驗(yàn)方法
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2018-10-05 10:00
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GB2423.1-1989環(huán)境試驗(yàn) 低溫試驗(yàn)方法
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2018-10-05 10:00
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GB2423.1-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn) A 低溫試驗(yàn)方法.pdf
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2015-01-05 00:00
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GJB150.4-86 環(huán)境試驗(yàn)方法 低溫試驗(yàn)-低溫試驗(yàn)箱
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2018-08-19 10:00
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GJB150.4-86 設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法 低溫試驗(yàn)
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2018-09-01 10:00
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GJB150.4設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法-低溫試驗(yàn)
- GJB150.4設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法-低溫試驗(yàn)低溫試驗(yàn)箱技術(shù)參數(shù):1、溫度范圍:0℃、-20℃、-40℃、-60℃、-70℃~RT(室溫)2、溫度波動(dòng)度:≤±0.5℃(空載時(shí))3、溫度均勻度:≤±2℃(空載時(shí))4、升溫速率:1.0~3.0℃/min(升溫速率可按客戶要求特殊定制)5、降溫速率:0.7~1.2℃/min(降溫速率可按客戶要求特殊定制)6、低溫試驗(yàn)箱溫度偏差:≤±2℃7、時(shí)間設(shè)定范圍:0~999h8、樣品托架:2層(標(biāo)配)如需參考低溫試驗(yàn)箱的技術(shù)資料請(qǐng)瀏覽:[詳細(xì)]
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2018-09-03 10:00
產(chǎn)品樣冊(cè)
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G150-4設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法 低溫試驗(yàn).
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2018-09-04 10:00
產(chǎn)品樣冊(cè)
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