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電弧熔融石英坩堝

NIEGOUKONG 2012-01-05 04:11:02 562  瀏覽
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參與評論

全部評論(2條)

  • 嗯爹i 2012-01-06 00:00:00
    人,一定不能太賤。你是要電弧坩堝,還是生產(chǎn)電弧坩堝?是使用電弧坩堝還是要電弧坩堝的碎片?你要是不說清楚,我們大家都不知道你要問什么,你這個題目浪費了我們的時間。所以,人,不能太賤。

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    評論

  • brokerwen888 2012-01-06 00:00:00
    多少錢一噸呢?各大單晶廠,你去看看吧?,F(xiàn)在不景氣的時期,一切都要主動些。

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電弧等離子體沉積系統(tǒng)

■  雙電弧等離子體源共沉積制備新型GX鉑鎳催化劑

    N. Todoroki[1]等人以高活性氧還原反應(oxygen reduction reaction,ORR)為目標,設計了一種新型基于鉑-鎳合金納米顆粒堆疊薄膜(nanoparticle-stacking thin film,NPSTF)結構的電催化劑。合成所得鉑-鎳NPSTF的質量活性比商用碳負載的鉑催化劑要高十倍。鉑-鎳NPSTF顯著的ORR活性增強被歸因于:
1)由底層鎳原子誘導的表面鉑富集層的電子性質修飾;
2)由鉑-鎳納米顆粒堆疊而實現(xiàn)的活性表面區(qū)域的增加。
    本實驗利用日本Advance Riko公司的APD電弧等離子體沉積系統(tǒng)完成。
(a)由APD共沉積獲得的Pt2Ni8薄膜截面的HAADF-STEM圖像;(b)脫合金后得到的Pt2Ni8薄膜截面圖像;(c)脫合金后獲得的Pt2Ni8納米結構示意圖 
 

參考文獻:

[1]N. Todoroki, et al., Pt?Ni Nanoparticle-Stacking Thin Film: Highly Active Electrocatalysts for Oxygen Reduction Reaction. ACS Catal., 2015, 5, 2209-2212.
 
詳情請點擊: 雙電弧等離子體源共沉積制備新型GX鉑鎳催化劑 
 
 
■  電弧等離子體源與分子束外延技術的集成
 
    在先進電子與光電子器件領域, C族-Ⅳ族半導體材料是頗受關注的一種重要材料。特別地,碳含量在4%~11%的Ge1-xCx外延層被認為具有直接帶隙結構、且能夠補償由硅襯底晶格失配引起的固有應變。然而,目前尚未獲知穩(wěn)定的GeC相晶體材料,而且體材Ge中極低的C原子溶解度(平衡態(tài)下為108 atoms/cm3)也阻礙了獲取結晶良好且含碳量高的GeC外延層。目前已有部分利用MBE或CVD生長GeC外延層的報道,相關研究人員目前的研究ZD之一是提升外延層Ge1-xCx中替位C含量x的數(shù)值。近期,有研究人員利用超高真空考夫曼型寬離子束源,在200 ℃~500 ℃的生長溫度下,在Ge(001)襯底上獲得了x≤2%的Ge1-xCx外延層。
    在M. Okinaka等人[1]的工作中,為了進一步增強非平衡生長,首次采用了電弧等離子體槍作為新型C源,在Si(001)襯底上利用MBE制備了GeC外延層。結果表明,對于在硅表面利用MBE生長GeC外延層來說,電弧等離子體槍的使用以及非平衡生長的增強,對于外延層中C的摻入以及YZ外延層中C團簇的形成具有重要作用。
以電弧等離子體作為碳源在Si(001)襯底表面生長的碳膜的AFM圖像,薄膜表面非常平整,粗糙度為納米級
 

參考文獻:
[1] M. Okinaka, et al., MBE growth mode and C incorporation of GeC epilayers on Si(001) substrates using an arc plasma gun as a novel C source. J. Cryst. Growth, 2003, 249, 78-86.

[2] G. Yu, et al., Ion velocities in vacuum arc plasmas. J. Appl. Phys., 2000, 88, 5618.
 
詳情請點擊: 電弧等離子體沉積技術的特殊應用案例——電弧等離子體源與分子束外延技術的集成
 
 
更多應用案例,請您致電010-85120280 或 寫信至 info@qd-china.com獲取。


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