什么是多肽芯片？

多肽芯片是一種新型的生物芯片，是研究蛋白質(zhì)與蛋白質(zhì)或其他物質(zhì)（如核酸、多糖、化合物）之間相互作用最直觀的研究技術(shù)。多肽芯片在諸多領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景，如疫苗開發(fā)、藥物研發(fā)和篩選、臨床檢測(cè)以及蛋白質(zhì)的基礎(chǔ)功能研究。

多肽芯片如何制備

多肽芯片是將已知的蛋白序列或任意設(shè)計(jì)的氨基酸序列分解成包含重疊氨基酸的多肽片段，將這些多肽片段按一定次序固定在經(jīng)特殊處理過(guò)的載體基質(zhì)上，每張芯片包含成千上萬(wàn)甚至更多的肽鏈。將待測(cè)物與芯片反應(yīng)，經(jīng)過(guò)免疫檢測(cè)技術(shù)發(fā)現(xiàn)與待測(cè)物有結(jié)合反應(yīng)的位點(diǎn)/域，經(jīng)過(guò)圖像數(shù)據(jù)處理與分析，尋找蛋白質(zhì)/氨基酸與待測(cè)物的結(jié)合部位。

多肽芯片技術(shù)及儀器

l  多肽芯片技術(shù)可高通量點(diǎn)樣，多肽芯片上承載大量的多肽片段，可快速高效的找到相應(yīng)結(jié)合位點(diǎn)/域；

l  點(diǎn)樣技術(shù)穩(wěn)定可靠，多肽芯片上固載的多肽片段包含蛋白全序列，相對(duì)于原大分子蛋白質(zhì)而言更穩(wěn)定，不易分解失活，采集的數(shù)據(jù)更為準(zhǔn)確；

l  點(diǎn)樣靈活多樣，多肽片段可不局限于已知的蛋白結(jié)構(gòu)，構(gòu)成多肽分子的氨基酸可以是進(jìn)行過(guò)化學(xué)修飾的非天然氨基酸，在藥物研發(fā)和篩選方面具有很強(qiáng)的靈活性；

l  Aurora多肽芯片點(diǎn)樣儀：Aurora集團(tuán)30年來(lái)致力于制造生物醫(yī)藥領(lǐng)域自動(dòng)化高通量設(shè)備。Aurora多肽芯片點(diǎn)樣儀采用化學(xué)固相合成法，可按需制備穩(wěn)定的多肽微陣列芯片，如新冠病毒原始毒株及其突變體奧密克戎S蛋白、N蛋白的微陣列芯片，更多產(chǎn)品詳情可進(jìn)一步了解產(chǎn)品價(jià)格或技術(shù)參數(shù)等信息

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硅光是以光子和電子為信息載體的硅基電子大規(guī)模集成技術(shù)，能夠突破傳統(tǒng)電子芯片的極限性能，是5G通信、大數(shù)據(jù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新型產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)支撐。光纖到硅基耦合是芯片設(shè)計(jì)十分重要的一環(huán)，耦合質(zhì)量決定著集成硅光芯片上光信號(hào)和外部信號(hào)互聯(lián)質(zhì)量。耦合過(guò)程中最困難的地方在于兩者光模式尺寸不匹配，硅光芯片中光模式約為幾百納米，而光纖中則為幾個(gè)微米，幾何尺寸上巨大差異造成模場(chǎng)的嚴(yán)重失配。準(zhǔn)確測(cè)量耦合位置質(zhì)量及硅光芯片內(nèi)部鏈路情況，對(duì)硅光芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)都變得十分有意義。

光纖微裂紋診斷儀（OLI）對(duì)硅光芯片耦合質(zhì)量和內(nèi)部裂紋損傷檢測(cè)，非常有優(yōu)勢(shì)，可精準(zhǔn)探測(cè)到光鏈路中每個(gè)事件節(jié)點(diǎn)，具有靈敏度高、定位精準(zhǔn)、穩(wěn)定性高、簡(jiǎn)單易用等特點(diǎn)，是硅光芯片檢測(cè)不二選擇。

OLI測(cè)試硅光芯片耦合連接處質(zhì)量

使用OLI測(cè)量硅光芯片耦合連接處質(zhì)量，分別測(cè)試正常和異常樣品，圖1為硅光芯片耦合連接處實(shí)物圖。

圖1硅光芯片耦合連接處實(shí)物圖

OLI測(cè)試結(jié)果如圖2所示，圖2（a）為耦合正常樣品，圖2（b）為耦合異常樣品。從圖中可以看出第一個(gè)峰值為光纖到硅基波導(dǎo)耦合處反射，第二個(gè)峰值為硅基波導(dǎo)到空氣處反射，對(duì)比兩幅圖可以看出耦合正常的回?fù)p約為-61dB，耦合異常，耦合處回?fù)p較大，約為-42dB，可以通過(guò)耦合處回?fù)p值來(lái)判斷耦合質(zhì)量。

（a）耦合正常樣品

（b）耦合異常樣品

圖2 OLI測(cè)試耦合連接處結(jié)果

OLI測(cè)試硅光芯片內(nèi)部裂紋

使用OLI測(cè)量硅光芯片內(nèi)部情況，分別測(cè)試正常和內(nèi)部有裂紋樣品，圖3為耦合硅光芯片實(shí)物圖。

圖3.耦合硅光芯片實(shí)物圖

OLI測(cè)試結(jié)果如圖4所示，圖4（a）為正常樣品，圖中第一個(gè)峰值為光纖到波導(dǎo)耦合處反射，第二個(gè)峰值為連接處到硅光芯片反射，第三個(gè)峰為硅光芯片到空氣反射；圖4（b）為內(nèi)部有裂紋樣品，相較于正常樣品再硅光芯片內(nèi)部多出一個(gè)峰值，為內(nèi)部裂紋表現(xiàn)出的反射。使用OLI能精準(zhǔn)測(cè)試出硅光芯片內(nèi)部裂紋反射和位置信息。

（b）內(nèi)部有裂紋樣品

圖4.OLI測(cè)試耦合硅光芯片結(jié)果

因此，使用光纖微裂紋診斷儀（OLI）測(cè)試能快速評(píng)估出硅光芯片耦合質(zhì)量，并精準(zhǔn)定位硅光芯片內(nèi)部裂紋位置及回?fù)p信息。OLI以亞毫米級(jí)別分辨率探測(cè)硅光芯片內(nèi)部，可廣泛用于光器件、光模塊損傷檢測(cè)以及產(chǎn)品批量出貨合格判定。