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- 簭翉aZ蹛P 2017-05-08 00:00:00
- 二氧化硅（SiO2）薄膜是一種性能優(yōu)良，應(yīng)用廣泛的介質(zhì)薄膜。隨著微電子技術(shù)和集成電路的快速發(fā)展，SiO2薄膜由于其穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)和電絕緣性質(zhì)，在集成器件中作為表面鈍化膜和多層布線層間介質(zhì)膜，更顯示出它的重要地位，SiO2薄膜的制備工藝也成為集成電路制造技術(shù)重要內(nèi)容。 SiO2薄膜的制備方法得到了發(fā)展與應(yīng)用，主要有物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、氧化法、溶膠凝膠法和液相沉積法等。其中物理氣相沉積(PVD)物理氣相沉積主要分為蒸發(fā)鍍膜、離子鍍膜和濺射鍍膜三大類。 Z新發(fā)展起來的磁控射頻濺射技術(shù)，能達(dá)到快速和低溫的要求，不僅彌補了射頻濺射的缺點，大大減小了電子對襯底表面直接轟擊造成的損傷，且能在較低的功率和氣壓下工作。絕緣體和導(dǎo)體均可濺射，工藝簡單，襯底溫度低，薄膜厚度的可控性、重復(fù)性及均勻性與其他薄膜制備方法相比有明顯的改善和提高，因而得到了廣泛使用。 你可以參考一下以下文獻(xiàn)： 許生，侯曉波，范垂禎，等.硅靶中頻反應(yīng)磁控濺射二氧化硅薄膜的特性研究[J].真空，2001，(5):1～6.[8] 鄭祥欽，郭新立，廖良生，等.脈沖激光沉積硅基二氧化硅薄膜的藍(lán)光發(fā)射[J].半導(dǎo)體學(xué)報，1998，19:21～24
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