廣西師范大學(xué)RIE反應(yīng)離子刻蝕機順利驗收

近日，NANO-MASTER工程師至廣西師范大學(xué)，順利安裝驗收NRE-3000型RIE反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)！

詳細參數(shù)：

1.  腔體：10”直徑的圓柱形腔體；陽極氧化鋁材質(zhì)，抗腐蝕性強；上下蓋設(shè)計，氣動升降頂蓋，一鍵實現(xiàn)上蓋的開啟/閉合；淋浴頭設(shè)計，最佳的氣流均勻分布

2. 樣品臺：4”樣品臺；冷卻功能；偏壓功能，支持各向異性的垂直刻蝕；

3. 質(zhì)量流量控制器：4路氣體，每路包含MFC、氣動截止閥和不銹鋼管路氣體

4. 真空系統(tǒng)：分子泵與機械泵，4分鐘內(nèi)可達10-4Torr的高工藝真空度，12小時抽氣后，干凈腔體中的壓力可達極限真空6x10-7 Torr；分子泵與工藝腔體采用直連設(shè)計方案，具有最佳的真空傳導(dǎo)率

5. 射頻電源：13.56MHz，300W，反射功率≤5W，配套自動調(diào)諧器，穩(wěn)定輸出功率為95%

6. 控制系統(tǒng)：Lab View軟件控制；四級密碼授權(quán)訪問；壓力、流量、功率等主要參數(shù)指標實時顯示；20”的監(jiān)控屏幕

7. 系統(tǒng)信息：26”×26”占地面積；鋁質(zhì)柜體；完全的安全聯(lián)鎖

8. 主要工藝參數(shù)

（1）應(yīng)用范圍：有機物刻蝕、硅的化合物刻蝕、光刻膠去膠等；

（2）工藝參數(shù)：4”片為例；

（3）刻蝕均勻性優(yōu)于：+/-3%；

（4）Si3N4的刻蝕速率：≥50nm/min；

（5）對PR選擇比：≥1.5:1；

（6）陡直度：≥82°；

（7）SiO2的刻蝕速率：≥40nm/min；

（8）對PR選擇比：≥1.5:1；

（9）陡直度：≥85°。

浙江師范大學(xué)生化學(xué)院種子資源庫及低溫實驗操作間項目于6月22日順利通過驗收！

福州大學(xué)離子束刻蝕機順利驗收

烈日炎炎，熱情滿心間！后疫情時代，NANO-MASTER工程師步履不停，一站接一站為客戶提供設(shè)備安裝調(diào)試服務(wù)。首站福州大學(xué)，那諾-馬斯特工程師已順利安裝驗收NIE-3500型離子束刻蝕機！

性能配置：

• 離子束刻蝕機用于刻蝕金屬和介質(zhì)，z大可支持6”晶圓。

• 配套美國考夫曼-羅賓遜 KDC160離子槍，650mA，100-1200V?？涛g速率：~250A/min對Au；刻蝕均勻度：對4”片，片內(nèi)均勻性優(yōu)于±3%，重復(fù)性優(yōu)于±3%。

• 樣品臺可旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速0-30RPM精確可控；可任意角度傾斜，支持斜齒刻蝕；帶水冷功能，刻蝕后易去除光刻膠。

• 極限真空12小時可達6x10-7Torr，15分鐘可達10-6Torr量級的真空；采用雙真空計，長期可靠，使用穩(wěn)定。

• 14”不銹鋼立方腔體，配套一臺主控計算機，20”觸摸屏監(jiān)控，配合Labview軟件，實現(xiàn)計算機全自動工藝控制，并可在電源中斷情況下安全恢復(fù)；完全的安全聯(lián)鎖；支持百級超凈間使用。

  
  

驗收培訓(xùn)：

安裝調(diào)試視頻：

反應(yīng)離子刻蝕機是一款獨立式RIE反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)，配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品。具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔，便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口：一個帶有2"的視窗,另一個空置用于診斷。反應(yīng)離子刻蝕機可以支持zui大到12"的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計，并且根據(jù)配套的真空泵可以達到10-6 Torr 或更小的極限真空。反應(yīng)離子刻蝕機系統(tǒng)可以在20mTorr到8Torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節(jié)流閥，一個250l/s的渦輪分子泵，濾網(wǎng)過濾器，以及一個10cfm的機械泵(帶Formblin泵油)。RF射頻功率通過600W，13.56MHz的電源和自動調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓，該自偏壓可以高達-500V，這對于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。

反應(yīng)離子刻蝕機是基于PC控制的全自動系統(tǒng)。系統(tǒng)真空壓力及DC直流偏壓將以圖形格式實時顯示，流量及功率則以數(shù)字形式實時顯示。系統(tǒng)提供密碼保護的四級訪問功能:操作員級、工程師級、工藝人員級，以及維護人員級。允許半自動模式(工程師模式)、寫程序模式(工藝模式)，和全自動執(zhí)行程序模式(操作模式)運行系統(tǒng)?；谌詣拥目刂疲撓到y(tǒng)具有高度的可重復(fù)性。
   
反應(yīng)離子刻蝕機檢驗操作及判斷
    1. 確認萬用表工作正常，量程置于200mV。
    2.冷探針連接電壓表的正電極，熱探針與電壓表的負極相連。
    3.用冷、熱探針接觸硅片一個邊沿不相連的兩個點，電壓表顯示這兩點間的電壓為正值，說明導(dǎo)電類型為P 型，刻蝕合格。相同的方法檢測另外三個邊沿的導(dǎo)電類型是否為P型。
    4.如果經(jīng)過檢驗，任何一個邊沿沒有刻蝕合格，則這一批硅片需要重新裝片，進行刻蝕。

反應(yīng)離子刻蝕

概述：

反應(yīng)離子腐蝕技術(shù)是一種各向異性很強、選擇性高的干法腐蝕技術(shù)。它是在真空系統(tǒng)中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的，利用了離子誘導(dǎo)化學(xué)反應(yīng)來實現(xiàn)各向異性刻蝕，即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學(xué)反應(yīng)，同時離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。主要用于Si、SiO2、SiNx、半導(dǎo)體材料、聚合物、金屬的刻蝕以及光刻膠的去除等，廣泛應(yīng)用于物理，生物，化學(xué)，材料，電子等領(lǐng)域。

工作原理：

通常情況下，反應(yīng)離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側(cè)面的接地屏蔽罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個反應(yīng)室。對反應(yīng)腔中的腐蝕氣體, 加上大于氣體擊穿臨界值的高頻電場, 在強電場作用下, 被高頻電場加速的雜散電子與氣體分子或原子進行隨機碰撞, 當電子能量大到一定程度時, 隨機碰撞變?yōu)榉菑椥耘鲎? 產(chǎn)生二次電子發(fā)射, 它們又進一步與氣體分子碰撞, 不斷激發(fā)或電離氣體分子。這種激烈碰撞引起電離和復(fù)合。當電子的產(chǎn)生和消失過程達到平衡時, 放電能繼續(xù)不斷地維持下去。由非彈性碰撞產(chǎn)生的離子、電子及及游離基(游離態(tài)的原子、分子或原子團) 也稱為等離子體, 具有很強的化學(xué)活性, 可與被刻蝕樣品表面的原子起化學(xué)反應(yīng), 形成揮發(fā)性物質(zhì), 達到腐蝕樣品表層的目的。同時, 由于陰極附近的電場方向垂直于陰極表面, 高能離子在一定的工作壓力下, 垂直地射向樣品表面, 進行物理轟擊, 使得反應(yīng)離子刻蝕具有很好的各向異性。所以，反應(yīng)離子刻蝕包括物理和化學(xué)刻蝕兩者的結(jié)合。

刻蝕氣體的選擇

對于多晶硅柵電極的刻蝕，腐蝕氣體可用Cl2或SF6，要求對其下層的柵氧化膜具有高的選擇比?？涛g單晶硅的腐蝕氣體可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2；刻蝕SiO2的腐蝕氣體可用CHF3或CF4/H2；刻蝕Si3N4的腐蝕氣體可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2；刻蝕Al（或Al-Si-Cu合金）的腐蝕氣體可用Cl2、BCl3或SiCl4；刻蝕W的腐蝕氣體可用SF6或CF4；刻蝕光刻膠的腐蝕氣體可用氧氣。

對于石英材料, 可選擇氣體種類較多, 比如CF4、CF4+ H2、CHF3 等。我們選用CHF3 氣體作為石英的腐蝕氣體。其反應(yīng)過程可表示為：CHF3 + e——CHF+2 + F (游離基) + 2e，SiO 2 + 4F SiF4 (氣體) + O 2 (氣體)。SiO 2 分解出來的氧離子在高壓下與CHF+2 基團反應(yīng)， 生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多種揮發(fā)性氣體。

對于鍺材料、選用含F(xiàn) 的氣體是十分有效的。然而, 當氣體成份中含有氫時, 刻蝕將受到嚴重阻礙, 這是因為氫可以和氟原子結(jié)合, 形成穩(wěn)定的HF, 這種雙原子HF 是不參與腐蝕的。實驗證明, SF6 氣體對Ge 有很好的腐蝕作用。反應(yīng)過程可表示為：SF6 + e——SF+5 + F (游離基) + 2e，Ge + 4F——GeF4 (揮發(fā)性氣體)   。

設(shè)備：

典型的（平行板）RIE系統(tǒng)包括圓柱形真空室，晶片盤位于室的底部。晶片盤與腔室的其余部分電隔離。氣體通過腔室頂部的小入口進入，并通過底部離開真空泵系統(tǒng)。所用氣體的類型和數(shù)量取決于蝕刻工藝;例如，六氟化硫通常用于蝕刻硅。通過調(diào)節(jié)氣體流速和/或調(diào)節(jié)排氣孔，氣體壓力通常保持在幾毫托和幾百毫托之間的范圍內(nèi)。

存在其他類型的RIE系統(tǒng)，包括電感耦合等離子體（ICP）RIE。在這種類型的系統(tǒng)中，利用RF供電的磁場產(chǎn)生等離子體。雖然蝕刻輪廓傾向于更加各向同性，但可以實現(xiàn)非常高的等離子體密度。

平行板和電感耦合等離子體RIE的組合是可能的。在該系統(tǒng)中，ICP被用作高密度離子源，其增加了蝕刻速率，而單獨的RF偏壓被施加到襯底（硅晶片）以在襯底附近產(chǎn)生定向電場以實現(xiàn)更多的各向異性蝕刻輪廓。

操作方法：

通過向晶片盤片施加強RF（射頻）電磁場，在系統(tǒng)中啟動等離子體。該場通常設(shè)定為13.56兆赫茲的頻率，施加在幾百瓦特。振蕩電場通過剝離電子來電離氣體分子，從而產(chǎn)生等離子體 。

在場的每個循環(huán)中，電子在室中上下電加速，有時撞擊室的上壁和晶片盤。同時，響應(yīng)于RF電場，更大質(zhì)量的離子移動相對較少。當電子被吸收到腔室壁中時，它們被簡單地送到地面并且不會改變系統(tǒng)的電子狀態(tài)。然而，沉積在晶片盤片上的電子由于其DC隔離而導(dǎo)致盤片積聚電荷。這種電荷積聚在盤片上產(chǎn)生大的負電壓，通常約為幾百伏。由于與自由電子相比較高的正離子濃度，等離子體本身產(chǎn)生略微正電荷。

由于大的電壓差，正離子傾向于朝向晶片盤漂移，在晶片盤中它們與待蝕刻的樣品碰撞。離子與樣品表面上的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，但也可以通過轉(zhuǎn)移一些動能來敲除（濺射）某些材料。由于反應(yīng)離子的大部分垂直傳遞，反應(yīng)離子蝕刻可以產(chǎn)生非常各向異性的蝕刻輪廓，這與濕化學(xué)蝕刻的典型各向同性輪廓形成對比。

RIE系統(tǒng)中的蝕刻條件很大程度上取決于許多工藝參數(shù)，例如壓力，氣體流量和RF功率。 RIE的改進版本是深反應(yīng)離子蝕刻，用于挖掘深部特征。

季華實驗室磁控濺射系統(tǒng)順利驗收

近日，NANO-MASTER工程師至季華實驗室，順利安裝驗收NSC-3500型磁控濺射系統(tǒng)！

磁控濺射系統(tǒng)主要用于半導(dǎo)體應(yīng)用，同時也可以用于各種需要進行微納工藝濺射鍍膜的情形?？捎糜诮饘俨牧希ń?、銀、銅、鎳、鉻等）的直流濺射、直流共濺射，絕緣材料（如陶瓷等）的射頻濺射，以及反應(yīng)濺射能力。基片可支持硅片，氧化硅片，玻璃片，以及對溫度敏感的有機柔性基片等。

設(shè)備優(yōu)勢

01鍍膜均勻性

對于最關(guān)鍵的鍍膜的均勻性方面，對于6”硅片的金屬材料鍍膜，NANO-MASTER可以達到優(yōu)于3%的鍍膜均勻度，而一些設(shè)備只能穩(wěn)定在5%甚至更高。

02設(shè)備制造工藝

在配備相似等級的分子泵及機械泵的情況下，NANO-MASTER具有更快的抽真空速率，比如可以在20-25分鐘左右就達到高真空工藝，而一些設(shè)備則需要30-40分鐘。腔體真空的穩(wěn)定度影響鍍膜的性能。

03工藝的可重復(fù)性

NANO-MASTER設(shè)備在工藝控制方面，有更高的自動化能力，通過PC控制，減少人工干預(yù)造成的工藝偏差。而一些設(shè)備要求人工配合，導(dǎo)致不同人采用同樣的工藝做出來的效果不同，甚至同一個人在不同時間運行相同的工藝做出來的效果也不同。

04設(shè)備緊湊性

一些設(shè)備在滿足相同性能情況下，由于加工的精密度方面的差距，造成設(shè)備比較龐大，占地面積較大，使得實驗室寶貴的空間被占用嚴重。而NANO-MASTER設(shè)備相對而言具有更緊湊的設(shè)計，占地面積也較小。

05設(shè)備穩(wěn)定性

進口設(shè)備的維護率較低，可以保證設(shè)備較長時間的穩(wěn)定運行，而一些設(shè)備的故障率高，不利于設(shè)備的穩(wěn)定使用，經(jīng)常因為故障影響實驗的正常進行，影響科研進度。

近日，延邊朝鮮族自治州檢驗檢測中心（國家參茸產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心）與青軟青之合作建設(shè)的實驗室信息管理系統(tǒng)（LIMS）項目順利驗收，該項目有機結(jié)合了先進的信息化技術(shù)和實驗室管理手段，立足于公共實驗平臺建設(shè)和使用的需要，以實現(xiàn)檢測工作的管理規(guī)范化和運作現(xiàn)代化。

基于前期對延邊朝鮮族自治州檢驗檢測中心（國家參茸產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心）進行的全面實地調(diào)研和需求分析，青軟青之組建了經(jīng)驗豐富的開發(fā)團隊，全力配合項目進行實驗室信息管理系統(tǒng)開發(fā)工作，為用戶建立了多基地、多專業(yè)的檢測信息管理系統(tǒng)。

通過青之實驗室信息管理系統(tǒng)King'sLIMS的建設(shè)，協(xié)同完成了國家參茸產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心業(yè)務(wù)模式與質(zhì)檢中心綜合性檢驗檢測業(yè)務(wù)的可視化展示，實現(xiàn)自動化、流程化、標準化，形成互聯(lián)互通、信息共享、業(yè)務(wù)協(xié)同的管理模式。通過LIMS系統(tǒng)對業(yè)務(wù)資源的整合，實現(xiàn)對全局系統(tǒng)各實驗室的資源（包括人員、設(shè)備、實驗材料、實驗環(huán)境、檢測技術(shù)能力等）、檢驗檢測業(yè)務(wù)工作流程、電子原始記錄、微信服務(wù)、數(shù)據(jù)查詢與統(tǒng)計等實行統(tǒng)籌管理，使其能更好地為科學(xué)檢驗提供可靠的實驗數(shù)據(jù)和精準的決策信息，有效提高技術(shù)保障水平和工作效率，實現(xiàn)了檢測中心管理水平和行業(yè)競爭力的全面提升。 

近日，由青軟青之承接的寧德市產(chǎn)品質(zhì)量檢驗所實驗室信息管理系統(tǒng)（LIMS）項目完成竣工驗收工作。

項目背景

寧德市產(chǎn)品質(zhì)量檢驗所作為專業(yè)從事產(chǎn)品檢測、質(zhì)量鑒定、技術(shù)咨詢、監(jiān)督抽查、標準制修定等工作的權(quán)威質(zhì)檢機構(gòu)，同時需要滿足市場監(jiān)管總局的食品國抽的任務(wù)。隨著各項業(yè)務(wù)的快速開展，實驗室的業(yè)務(wù)量也不斷增加，實現(xiàn)檢測業(yè)務(wù)的“規(guī)范化、自動化、信息化、整體化”成為檢驗所的重中之重。

實施目標

青軟青之與寧德市產(chǎn)品質(zhì)量檢驗所歷經(jīng)4個月的緊密合作，搭建的青之LIMS平臺經(jīng)歷了項目啟動、需求調(diào)研、藍圖設(shè)計、配置實現(xiàn)、功能測試、試運行與上線等一系列工作，為寧德市產(chǎn)品質(zhì)量檢驗所建立起了一套完整全面的、適用于其自身發(fā)展的實驗室信息管理平臺，實現(xiàn)了實驗室全流程的自動化、無紙化辦公。

通過本次項目的成功實施，實現(xiàn)了對檢測結(jié)果的記錄、存儲、查詢以及質(zhì)量追溯等多維度需求，寧德市產(chǎn)品質(zhì)量檢驗所檢驗業(yè)務(wù)的自動化程度和規(guī)范化管理水平均得到有效提升。

       近日，青軟青之與新疆生產(chǎn)建設(shè)兵團第三師食品藥品檢驗所共建的實驗室信息管理系統(tǒng)(LIMS)項目順利完成驗收工作。

       青軟青之與新疆生產(chǎn)建設(shè)兵團第三師食品藥品檢驗所經(jīng)過三個多月的緊密合作，目前，搭建的LIMS平臺已順利完成測試、上線、驗收等一系列工作。

       本次LIMS平臺項目實施范圍主要涉及新疆生產(chǎn)建設(shè)兵團第三師食品藥品檢驗所的樣本部、檢測部、驗證報告部等部門。青之LIMS系統(tǒng)通過檢驗業(yè)務(wù)流程管理、實驗室資源管理、質(zhì)量保證和質(zhì)量控制管理、客戶服務(wù)平臺、統(tǒng)計查詢等功能，全面覆蓋新疆生產(chǎn)建設(shè)兵團第三師食品藥品檢驗所各領(lǐng)域、各類型的檢驗檢測業(yè)務(wù)，顯著提升實驗室食品藥品檢驗檢測工作的效率，助力新疆生產(chǎn)建設(shè)兵團第三師食品藥品檢驗所實現(xiàn)實驗室一體化管理，為新疆生產(chǎn)建設(shè)兵團第三師食品藥品檢驗所推動實驗室信息化建設(shè)、提高檢驗業(yè)務(wù)規(guī)范化管理水平打下堅實的基礎(chǔ)。 

近日，NANO-MASTER工程師至浙江中寧硅業(yè)有限公司，順利安裝驗收NPE-3500型PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備！

NANO-MASTER的PECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2、Si3N4、CNT、DLC和SiC等薄膜?？蓱?yīng)用于等離子誘導(dǎo)表面改性、等離子清洗、等離子聚合等。根據(jù)不同應(yīng)用，可選用RF、HCP、ICP或MW微波等多種規(guī)格的離子源。標準樣品臺尺寸有6”和8”可選，最高可定制到16”或者其他更大的尺寸，樣品臺可提供RF、Pulse DC或DC偏壓。樣品臺可提供電阻加熱或紅外燈加熱。

系統(tǒng)標配渦輪分子泵和機械泵，極限真空到5*10-7Torr，腔體壓力調(diào)節(jié)通過PC自動控制渦輪速度而全自動調(diào)節(jié)，快速穩(wěn)定。

工藝過程通過觸摸監(jiān)控屏幕和Labview軟件，可實現(xiàn)全自動的PC控制，具有高度的可重復(fù)性。系統(tǒng)具有完整的安全聯(lián)鎖，提供四級密碼授權(quán)訪問保護。能直接研發(fā)和量產(chǎn)應(yīng)用。

NANO-MASTER的PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積選配項

驗收培訓(xùn)

        近日，黃岡大別山檢測認證有限公司對青之實驗室信息管理系統(tǒng)(LIMS)升級改造進行了驗收測試。

       本次LIMS系統(tǒng)升級針對黃岡大別山檢測認證有限公司實際業(yè)務(wù)提供了面向?qū)I(yè)第三方檢測機構(gòu)且集檢測業(yè)務(wù)管理，資源管理，質(zhì)控管理，數(shù)據(jù)管理，報告管理等諸多模塊為一體的實驗室信息管理系統(tǒng)。同時，成功對接國抽數(shù)據(jù)上報系統(tǒng)，解決了實驗室人員在數(shù)據(jù)錄入時的重復(fù)工作問題，大幅度提高了工作效率， 高 效 便捷的縮短了任務(wù)周期。在整個實驗室信息管理系統(tǒng)（LIMS）升級的過程中，平臺功能、性能和穩(wěn)定性，數(shù)據(jù)安全性方面都有了很大提升和完善，青之LIMS系統(tǒng)通過對檢測各關(guān)鍵環(huán)節(jié)的信息化管理融入黃岡大別山檢測認證有限公司經(jīng)營管理的環(huán)節(jié)中，將會全面提高合規(guī)水平與客戶服務(wù)能力。

客戶簡介：

       黃岡大別山檢測認證有限公司于2016年03月08日成立，是經(jīng)湖北省財政廳和湖北省質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局批準同意的具有獨立法人資格的國有綜合性檢驗檢測機構(gòu)。2018年7月30日，經(jīng)黃岡市財政局和國資委批準，成為黃岡白潭湖投資發(fā)展有限公司的全資子公司。黃岡大別山檢測認證有限公司擁有一批技術(shù)優(yōu)良、結(jié)構(gòu)合理、具有敬業(yè)創(chuàng)新精神的技術(shù)團隊與服務(wù)人員，為客戶提供公正、快捷、優(yōu)質(zhì)、 高 效 的技術(shù)服務(wù)，能夠為政府部門、企業(yè)、消費者提供一站式的全面質(zhì)量解決方案，滿足其對產(chǎn)品品質(zhì)的更高要求。公司專業(yè)從事產(chǎn)品的檢測、檢驗及授權(quán)仲裁鑒定、認證咨詢服務(wù)。檢驗?zāi)芰w食品 及相關(guān)產(chǎn)品、輕工日用品、能源化工產(chǎn)品、機械電氣、建筑及裝飾材料等30大類，具備1288個檢驗產(chǎn)品，3795個檢驗參數(shù)，檢驗?zāi)芰ξ痪雍笔z驗機構(gòu)前列。

       近日，湖北省普林標準技術(shù)服務(wù)有限公司與青軟青之共建的實驗室信息管理系統(tǒng)(LIMS)項目順利通過驗收，并正式上線。

      湖北省普林標準技術(shù)服務(wù)有限公司是一家提供第三方檢測服務(wù)和專業(yè)技術(shù)咨詢服務(wù)的綜合型科技公司，為食品、日用品、化妝品、健康相關(guān)產(chǎn)品（消毒、涉水）、藥品、醫(yī) 療器械、公共衛(wèi)生、環(huán)境等行業(yè)和相關(guān)領(lǐng)域提供一站式的服務(wù)方案。普林標準技術(shù)服務(wù)有限公司總部設(shè)在武漢，擁有2000多平米符合ISO17025國際標準要求的綜合型實驗室，公司具備行業(yè)內(nèi)先進的檢測儀器設(shè)備如GC-MS, LC-MS, ICP-MS, ICP-OES, AFS等，可為客戶提供從產(chǎn)品研發(fā)、標準制定、人員培訓(xùn)、質(zhì)量檢測、包裝設(shè)計審核等一條龍服務(wù)。

       隨著各項業(yè)務(wù)的快速開展，湖北省普林標準技術(shù)服務(wù)有限公司的業(yè)務(wù)量在不斷增加，部門之間的信息互通的需求越來越強烈，為此，青軟青之緊密貼合用戶的需求為其打造了跨部門、跨平臺的綜合信息管理平臺。青之實驗室信息管理系統(tǒng)(LIMS)在整合了耗材、設(shè)備和人力資源等多個部門的資產(chǎn)管理的基礎(chǔ)上，提供了檢測業(yè)務(wù)流程管理、質(zhì)量管理、數(shù)據(jù)標準管理、數(shù)據(jù)查詢分析、原始記錄無紙化等功能，大大提高了管理的精細化和自動化程度，有力提升了實驗室的管理效率，釋放實驗室的工作效能，為實驗室管理者做出科學(xué)性決策提供依據(jù)。