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自身免疫病組織損傷機(jī)制與什么有關(guān)

擂千提囂億 2015-07-07 06:36:15 467  瀏覽
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全部評論(4條)

  • 最愛許佳 2015-07-08 00:00:00
    自身免疫病組織損傷機(jī)制是Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ型超敏反應(yīng)。

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  • 掩飾永遠(yuǎn) 2015-10-16 00:00:00
    自身免疫疾病是指機(jī)體對自身抗原發(fā)生免疫反應(yīng)而導(dǎo)致自身組織損害所引起的疾病。 一.發(fā)病機(jī)制 (一)、自身抗原的形成 一) 隱蔽抗原的釋放 隱蔽抗原(sequestered antigen)是指體內(nèi)某些與免疫系統(tǒng)在解剖位置上隔絕的抗原成分。正常情況下,終身不與免疫系統(tǒng)接觸,機(jī)體對這些組織細(xì)胞的抗原成分無免疫耐受性。在手術(shù)、外傷或感染等情況下,隱蔽抗原釋放,與免疫活性細(xì)胞接觸便能誘導(dǎo)相應(yīng)的自身免疫應(yīng)答,導(dǎo)致自身免疫病的發(fā)生。 二)自身抗原發(fā)生改變 生物因素(如細(xì)菌、病毒、寄生蟲)、物理因素(如冷、熱、電離輻射)、化學(xué)因素(如藥物)可影響自身細(xì)胞抗原的性質(zhì),誘導(dǎo)自身免疫應(yīng)答,導(dǎo)致自身免疫病。 三) 分子模擬(molecular mimicry) 感染是誘發(fā)自身免疫的重要因素。許多病原微生物具有與宿主正常細(xì)胞或細(xì)胞外基質(zhì)相似的抗原表位,宿主針對病原微生物產(chǎn)生的免疫效應(yīng)產(chǎn)物能與被模擬的宿主自身成分發(fā)生交叉反應(yīng),引起炎癥和組織破壞,導(dǎo)致自身免疫病。 四) 表位擴(kuò)展(epitope spreading) 正常情況下,自身抗原的隱蔽表位并不暴露或水平極低,故針對它的T細(xì)胞克隆可能逃逸胸腺的陰性選擇,使人體成熟T細(xì)胞庫中存在自身反應(yīng)性T細(xì)胞。在自身免疫病發(fā)生的過程中,APC攝取組織損傷的碎片,并可能將自身抗原的隱蔽表位提呈給機(jī)體自身反應(yīng)性T細(xì)胞克隆,此現(xiàn)象稱表位擴(kuò)展。隨著疾病的進(jìn)程,機(jī)體的免疫系統(tǒng)不斷擴(kuò)大所識別自身抗原的表位的范圍,因而使自身抗原不斷受到新的免疫攻擊,使疾病遷延不愈并不斷加重。 (二)、免疫細(xì)胞和免疫調(diào)節(jié)異常 一) 多克隆刺激劑的旁路活化 在有些情況下,機(jī)體對自身抗原的免疫耐受是由于T淋巴細(xì)胞對這些自身抗原處于耐受狀態(tài)所致,B細(xì)胞仍然保持著對自身抗原的免疫應(yīng)答性。多克隆刺激劑(如EB病毒、細(xì)菌內(nèi)毒素)和超抗原(金黃色葡萄球菌外毒素TSST一1、腸毒素SEA等)可直接激活處于耐受狀態(tài)的T細(xì)胞,輔助刺激自身反應(yīng)性B細(xì)胞活化產(chǎn)生自身抗體,引發(fā)自身免疫病。 二) Th1和Th2細(xì)胞的功能失衡 不同病原微生物感染或組織損傷等因素所產(chǎn)生的炎癥反應(yīng),能通過分泌細(xì)胞因子而影響Th0細(xì)胞向Th1或Th2細(xì)胞分化。Th1和Th2細(xì)胞比例失調(diào)和功能失衡與自身免疫病的發(fā)生有關(guān)。Th1細(xì)胞功能亢進(jìn)可促進(jìn)某些器官特異性自身免疫病的發(fā)生,Th2細(xì)胞的功能過高,可促進(jìn)抗體介導(dǎo)的全身性自身免疫病的發(fā)生。 三) MHC-II類抗原表達(dá)異常 正常情況下,大多數(shù)組織細(xì)胞僅表達(dá)MHC-I類抗原,而不表達(dá)MHC-1I類抗原。在某些因素(如IFN-γ)作用下,組織細(xì)胞表面可異常表達(dá)MHC-Ⅱ類抗原,從而可能將自身抗原提呈給Th細(xì)胞,啟動自身免疫應(yīng)答,導(dǎo)致自身免疫病。 四) 自身反應(yīng)性淋巴細(xì)胞逃避“克隆丟失” 自身反應(yīng)性淋巴細(xì)胞在胸腺(或)內(nèi)的分化成熟過程中,通過識別基質(zhì)細(xì)胞所 undefined 提呈的自身抗原肽-MHC分子而發(fā)生凋亡,此即陰性選擇。由于胸腺(或)功能障礙或微環(huán)境發(fā)生改變,某些自身反應(yīng)性淋巴細(xì)胞可能逃避陰性選擇,該克隆細(xì)胞進(jìn)入外周血即可對相應(yīng)自身抗原產(chǎn)生應(yīng)答,引起自身免疫病。 五) 淋巴細(xì)胞突變 由于理化因素、生物因素或某些原發(fā)因素的影響,可能導(dǎo)致淋巴細(xì)胞突變,其抗原識別能力異常,可對自身抗原產(chǎn)生免疫應(yīng)答。 (三)、Fas/FasL表達(dá)異常 Fas/FasL表達(dá)異常和自身免疫病的發(fā)生有關(guān)。Fas屬TNFR/NGFR家族成員,又稱CD95,普遍表達(dá)于多種細(xì)胞包括淋巴細(xì)胞表面。其配體即FasL(Fas ligand)通常出現(xiàn)于活化的T細(xì)胞,如CTL和NK細(xì)胞膜上,又可以分泌脫落至細(xì)胞外。無論是膜結(jié)合型或游離型的FasL,與細(xì)胞膜上的Fas結(jié)合后均可誘導(dǎo)細(xì)胞凋亡。在Fas(CD95)/FasL(CD95配體)基因缺陷的患者,因為激活誘導(dǎo)的自身應(yīng)答性淋巴細(xì)胞的凋亡機(jī)制受損,易發(fā)生多種自身免疫病。凋亡調(diào)節(jié)蛋白的過度表達(dá),也與自身免疫病的發(fā)生有關(guān)。正常胰島細(xì)胞不表達(dá)Fas,在IDDM發(fā)病的過程中,局部APC和CTL相互作用所產(chǎn)生的IL-1β和NO可選擇性地使B細(xì)胞表達(dá)Fas,激活的CTL表達(dá)FasL,進(jìn)而通過細(xì)胞間的相互作用或釋放可溶性FasL使表達(dá)Fas的β細(xì)胞遭到破壞 (四)、遺傳因素 許多自身免疫病的發(fā)生與個體的MHC基因型有關(guān)。不同型的MHC分子結(jié)合提呈抗原的能力不同。有些個體的MHC分子適合提呈某些自身成分的抗原肽,因此易患某些自身免疫病。 (五)、生理性因素 自身免疫病的發(fā)生隨年齡增長而升高。臨床發(fā)現(xiàn),老年人自身抗體檢出率高。這可能是由于老年人胸腺功能低下或衰老導(dǎo)致免疫系統(tǒng)功能紊亂,容易發(fā)生自身免疫病。性別也與自身免疫病有關(guān)。自身免疫病還與體內(nèi)激素水平的波動有關(guān)

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  • 誒呦我呸666 2017-09-16 00:00:00
    已有大量的資料證明,自身免疫病理損傷是由自身免疫應(yīng)答的產(chǎn)物包括自身抗體和(或)自身致敏淋巴細(xì)胞引起的,后者造成病理損傷的機(jī)制與各型超敏反應(yīng)相同(表16-5),以Ⅱ型至v型多見。Ⅱ型超敏反應(yīng)中,自身抗體與細(xì)胞膜或基底膜自身抗原結(jié)合,在膜表面形成免疫復(fù)合物。后者通過結(jié)合并激活補(bǔ)體鏈鎖反應(yīng),在膜表面出現(xiàn)補(bǔ)體活化反應(yīng)產(chǎn)物C56789,對膜產(chǎn)生破壞性攻擊,造成靶細(xì)胞裂解或基底膜損傷。此外覆蓋免疫復(fù)合物的靶細(xì)胞被吞噬細(xì)胞加速吞噬(免疫調(diào)理)以及K細(xì)胞進(jìn)行非天噬性殺傷。Ⅲ型超敏反應(yīng)中,自身抗體與自身抗原在血循環(huán)中相遇,形成免疫復(fù)合物,在一定的物件下,沉積于相應(yīng)部位的組織間隙。局部免疫復(fù)合物結(jié)合并激活補(bǔ)體,補(bǔ)體活化反應(yīng)產(chǎn)物導(dǎo)致局部發(fā)生炎癥反應(yīng)。N型超敏反應(yīng)中,自身致敏淋巴細(xì)胞攻擊局部靶組織,造成局部炎癥。V型超敏反應(yīng)則由自身抗體結(jié)合并刺激靶細(xì)胞,使其功能亢進(jìn)。

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  • 天空165231969 2017-09-19 00:00:00
    已有大量的資料證明,自身免疫病理損傷是由自身免疫應(yīng)答的產(chǎn)物包括自身抗體和(或)自身致敏淋巴細(xì)胞引起的,后者造成病理損傷的機(jī)制與各型超敏反應(yīng)相同,以Ⅱ型至v型多見。Ⅱ型超敏反應(yīng)中,自身抗體與細(xì)胞膜或基底膜自身抗原結(jié)合,在膜表面形成免疫復(fù)合物。后者通過結(jié)合并激活補(bǔ)體鏈鎖反應(yīng),在膜表面出現(xiàn)補(bǔ)體活化反應(yīng)產(chǎn)物C56789,對膜產(chǎn)生破壞性攻擊,造成靶細(xì)胞裂解或基底膜損傷。此外覆蓋免疫復(fù)合物的靶細(xì)胞被吞噬細(xì)胞加速吞噬(免疫調(diào)理)以及K細(xì)胞進(jìn)行非天噬性殺傷。Ⅲ型超敏反應(yīng)中,自身抗體與自身抗原在血循環(huán)中相遇,形成免疫復(fù)合物,在一定的物件下,沉積于相應(yīng)部位的組織間隙。局部免疫復(fù)合物結(jié)合并激活補(bǔ)體,補(bǔ)體活化反應(yīng)產(chǎn)物導(dǎo)致局部發(fā)生炎癥反應(yīng)。N型超敏反應(yīng)中,自身致敏淋巴細(xì)胞攻擊局部靶組織,造成局部炎癥。V型超敏反應(yīng)則由自身抗體結(jié)合并刺激靶細(xì)胞,使其功能亢進(jìn)。

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核磁共振弛豫時間與什么有關(guān)

核磁共振弛豫時間與什么有關(guān)

什么是弛豫時間?

弛豫時間,即達(dá)到熱動平衡所需的時間。是動力學(xué)系統(tǒng)的一種特征時間。系統(tǒng)的某種變量由暫態(tài)趨于某種定態(tài)所需要的時間。在統(tǒng)計力學(xué)和熱力學(xué)中,弛豫時間表示系統(tǒng)由不穩(wěn)定定態(tài)趨于某穩(wěn)定定態(tài)所需要的時間。

什么是核磁共振弛豫時間?

要了解核磁共振弛豫時間,首先了解一些核磁共振基本原理:核磁共振從字面意思可以理解為原子核在磁場中發(fā)生共振。一般核磁共振中的原子核是指氫原子核。磁是指磁場環(huán)境,在均衡穩(wěn)定的磁場里面,氫原子核會有會以固定的頻率發(fā)生進(jìn)動,進(jìn)動頻率與磁場強(qiáng)度成正比。共振是指外加頻率與氫原子核在磁場中的固有頻率相等時,氫原子核吸收能量發(fā)生核磁共振。

核磁共振發(fā)生的過程,其實是原子核吸收射頻能量的過程,當(dāng)射頻脈沖關(guān)閉后,吸收能量的原子核會釋放吸收的能量,經(jīng)過一定的弛豫過程,隨著時間的推移,蕞終恢復(fù)到平衡狀態(tài)。原子核釋放能量所需要的時間就對應(yīng)核磁共振弛豫時間。

核磁共振弛豫時間有兩種即T1和T2

T1為縱向馳豫時間,縱向磁化強(qiáng)度恢復(fù)的時間常數(shù)T1稱為縱向弛豫時間(又稱自旋-晶格弛豫時間)。

t2為橫向弛豫時間,橫向磁化強(qiáng)度消失的時間常數(shù)T2稱為橫向弛豫時間(又稱自旋-自旋弛豫時間)。

核磁共振弛豫時間與什么有關(guān):

核磁共振弛豫時間T1:

弛豫過程是能量釋放的過程,T1弛豫中能量釋放到哪里了呢?其名字告訴我們答案,spin-lattice,自旋晶格,晶格相當(dāng)于指與H原子排列在一起組成的晶格,所以,能量釋放到周圍的晶格中。T1弛豫與周圍分子的運動息息相關(guān)。T1可以研究慢速分子運動,例如金屬離子的螯合狀態(tài)、蛋白質(zhì)聚集、多孔材料表面動力學(xué)等等。

核磁共振弛豫時間T2;

T2,自旋-自旋弛豫。歸納起來就是因為各個H質(zhì)子的拉莫爾頻率(或者說相位)不盡相同,當(dāng)撤去射頻脈沖后,質(zhì)子由聚到散的過程。

影響核磁共振弛豫時間T2的因素:

1.內(nèi)部因素

分子運動:分子運動越慢,T2越??;例如冰和固體;

分子尺寸:分子尺寸越大,T2越小;例如食品中淀粉等大分子的弛豫時間比水和油脂短得多。

分子結(jié)合狀態(tài):結(jié)合越緊密,T2越?。皇称分兴亩鄬咏Y(jié)構(gòu)理論。

2. 外部因素

磁場不均勻:千萬不要小看這個因素,磁場不均勻會加速散相過程(使得H質(zhì)子之間的差異更大),從而測得的T2比實際的T2衰減的快的多的多。

影響核磁共振弛豫時間T1與T2的關(guān)系

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核磁共振弛豫時間與什么有關(guān)

核磁共振弛豫時間與什么有關(guān)

什么是弛豫時間?

弛豫時間,即達(dá)到熱動平衡所需的時間。是動力學(xué)系統(tǒng)的一種特征時間。系統(tǒng)的某種變量由暫態(tài)趨于某種定態(tài)所需要的時間。在統(tǒng)計力學(xué)和熱力學(xué)中,弛豫時間表示系統(tǒng)由不穩(wěn)定定態(tài)趨于某穩(wěn)定定態(tài)所需要的時間。

什么是核磁共振弛豫時間?

要了解核磁共振弛豫時間,首先了解一些核磁共振基本原理:核磁共振從字面意思可以理解為原子核在磁場中發(fā)生共振。一般核磁共振中的原子核是指氫原子核。磁是指磁場環(huán)境,在均衡穩(wěn)定的磁場里面,氫原子核會有會以固定的頻率發(fā)生進(jìn)動,進(jìn)動頻率與磁場強(qiáng)度成正比。共振是指外加頻率與氫原子核在磁場中的固有頻率相等時,氫原子核吸收能量發(fā)生核磁共振。

核磁共振發(fā)生的過程,其實是原子核吸收射頻能量的過程,當(dāng)射頻脈沖關(guān)閉后,吸收能量的原子核會釋放吸收的能量,經(jīng)過一定的弛豫過程,隨著時間的推移,蕞終恢復(fù)到平衡狀態(tài)。原子核釋放能量所需要的時間就對應(yīng)核磁共振弛豫時間。

核磁共振弛豫時間有兩種即T1和T2

T1為縱向馳豫時間,縱向磁化強(qiáng)度恢復(fù)的時間常數(shù)T1稱為縱向弛豫時間(又稱自旋-晶格弛豫時間)。

t2為橫向弛豫時間,橫向磁化強(qiáng)度消失的時間常數(shù)T2稱為橫向弛豫時間(又稱自旋-自旋弛豫時間)。

核磁共振弛豫時間與什么有關(guān):

核磁共振弛豫時間T1:

弛豫過程是能量釋放的過程,T1弛豫中能量釋放到哪里了呢?其名字告訴我們答案,spin-lattice,自旋晶格,晶格相當(dāng)于指與H原子排列在一起組成的晶格,所以,能量釋放到周圍的晶格中。T1弛豫與周圍分子的運動息息相關(guān)。T1可以研究慢速分子運動,例如金屬離子的螯合狀態(tài)、蛋白質(zhì)聚集、多孔材料表面動力學(xué)等等。

核磁共振弛豫時間T2;

T2,自旋-自旋弛豫。歸納起來就是因為各個H質(zhì)子的拉莫爾頻率(或者說相位)不盡相同,當(dāng)撤去射頻脈沖后,質(zhì)子由聚到散的過程。

影響核磁共振弛豫時間T2的因素:

1.內(nèi)部因素

分子運動:分子運動越慢,T2越??;例如冰和固體;

分子尺寸:分子尺寸越大,T2越??;例如食品中淀粉等大分子的弛豫時間比水和油脂短得多。

分子結(jié)合狀態(tài):結(jié)合越緊密,T2越?。皇称分兴亩鄬咏Y(jié)構(gòu)理論。

2. 外部因素

磁場不均勻:千萬不要小看這個因素,磁場不均勻會加速散相過程(使得H質(zhì)子之間的差異更大),從而測得的T2比實際的T2衰減的快的多的多。

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