全部評(píng)論(1條)
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- 2b小靑哖 2017-10-15 00:00:00
- 離子注入需要有適用的離子注入設(shè)備。半導(dǎo)體摻雜用離子注入機(jī)的能量范圍為20～400千電子伏。硼離子注入硅的注入深度一般在1微米以下，束流強(qiáng)度為幾十至幾百微安。離子注入機(jī)有先分析后加速和先加速后分析兩種型式。 優(yōu)點(diǎn)：（1）它是一種純凈的無(wú)公害的表面處理技術(shù)；（2）無(wú)需熱激活，無(wú)需在高溫環(huán)境下進(jìn)行，因而不會(huì)改變工件的外形尺寸和表面光潔度；（3）離子注入層由離子束與基體表面發(fā)生一系列物理和化學(xué)相互作用而形成的一個(gè)新表面層，它與基體之間不存在剝落問(wèn)題；（4）離子注入后無(wú)需再進(jìn)行機(jī)械加工和熱處理
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