全部評論(2條)
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- 永遠婞福 2015-06-29 00:00:00
- 前種是同一靶材幾種膜層一起鍍，后種是幾種靶材一起鍍。
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- Jennifer198666 2015-07-03 00:00:00
- 連續(xù)沉積Z后是幾層膜 共沉積得到的是一層混合物膜
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■ 雙電弧等離子體源共沉積制備新型GX鉑鎳催化劑
N. Todoroki[1]等人以高活性氧還原反應（oxygen reduction reaction，ORR）為目標，設計了一種新型基于鉑-鎳合金納米顆粒堆疊薄膜（nanoparticle-stacking thin film，NPSTF）結構的電催化劑。合成所得鉑-鎳NPSTF的質量活性比商用碳負載的鉑催化劑要高十倍。鉑-鎳NPSTF顯著的ORR活性增強被歸因于：1）由底層鎳原子誘導的表面鉑富集層的電子性質修飾；2）由鉑-鎳納米顆粒堆疊而實現(xiàn)的活性表面區(qū)域的增加。本實驗利用日本Advance Riko公司的APD電弧等離子體沉積系統(tǒng)完成。(a)由APD共沉積獲得的Pt2Ni8薄膜截面的HAADF-STEM圖像；(b)脫合金后得到的Pt2Ni8薄膜截面圖像；(c)脫合金后獲得的Pt2Ni8納米結構示意圖參考文獻：
[1]N. Todoroki, et al., Pt?Ni Nanoparticle-Stacking Thin Film: Highly Active Electrocatalysts for Oxygen Reduction Reaction. ACS Catal., 2015, 5, 2209-2212.詳情請點擊： 雙電弧等離子體源共沉積制備新型GX鉑鎳催化劑■ 電弧等離子體源與分子束外延技術的集成在先進電子與光電子器件領域， C族-Ⅳ族半導體材料是頗受關注的一種重要材料。特別地，碳含量在4%~11%的Ge1-xCx外延層被認為具有直接帶隙結構、且能夠補償由硅襯底晶格失配引起的固有應變。然而，目前尚未獲知穩(wěn)定的GeC相晶體材料，而且體材Ge中極低的C原子溶解度（平衡態(tài)下為108 atoms/cm3）也阻礙了獲取結晶良好且含碳量高的GeC外延層。目前已有部分利用MBE或CVD生長GeC外延層的報道，相關研究人員目前的研究ZD之一是提升外延層Ge1-xCx中替位C含量x的數(shù)值。近期，有研究人員利用超高真空考夫曼型寬離子束源，在200 ℃~500 ℃的生長溫度下，在Ge（001）襯底上獲得了x≤2%的Ge1-xCx外延層。在M. Okinaka等人[1]的工作中，為了進一步增強非平衡生長，首次采用了電弧等離子體槍作為新型C源，在Si（001）襯底上利用MBE制備了GeC外延層。結果表明，對于在硅表面利用MBE生長GeC外延層來說，電弧等離子體槍的使用以及非平衡生長的增強，對于外延層中C的摻入以及YZ外延層中C團簇的形成具有重要作用。以電弧等離子體作為碳源在Si（001）襯底表面生長的碳膜的AFM圖像，薄膜表面非常平整，粗糙度為納米級參考文獻：
[1] M. Okinaka, et al., MBE growth mode and C incorporation of GeC epilayers on Si(001) substrates using an arc plasma gun as a novel C source. J. Cryst. Growth, 2003, 249, 78-86.[2] G. Yu, et al., Ion velocities in vacuum arc plasmas. J. Appl. Phys., 2000, 88, 5618.詳情請點擊： 電弧等離子體沉積技術的特殊應用案例——電弧等離子體源與分子束外延技術的集成更多應用案例，請您致電010-85120280 或 寫信至 info@qd-china.com獲取。
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