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- 我愿飛翔2008 2017-04-06 00:00:00
- 第:靶面金屬化合物形 由金屬靶面通反應濺射工藝形化合物程化合物哪形呢由于性反應氣體粒與靶面原相碰撞產化反應化合物原通放熱反應反應熱必須傳導途徑否則該化反應繼續(xù)進行真空條件氣體間能進行熱傳導所化反應必須固體表面進行反應濺射物靶表面、基片表面、其結構表面進行基片表面化合物我目其結構表面化合物資源浪費靶表面化合物始提供化合物原源泉斷提供更化合物原障礙 第二:靶毒影響素 影響靶毒素主要反應氣體濺射氣體比例反應氣體量導致靶毒反應濺射工藝進行程靶表面濺射溝道區(qū)域內現反應物覆蓋或反應物剝離重新暴露金屬表面消彼程化合物速率于化合物剝離速率化合物覆蓋面積增加定功率情況參與化合物反應氣體量增加化合物率增加反應氣體量增加度化合物覆蓋面積增加能及調整反應氣體流量化合物覆蓋面積增加速率YZ濺射溝道進步化合物覆蓋濺射靶化合物全部覆蓋候靶完全毒 第三:靶毒現象 (1)離堆積:靶毒靶面形層絕緣膜離達陰極靶面由于絕緣層阻擋能直接進入陰極靶面堆積靶面容易產冷場致弧光放電---打弧使陰極濺射進行(2)陽極消失:靶毒接真空室壁沉積絕緣膜達陽極電進入陽極形陽極消失現象 第四:靶毒物理解釋 (1)般情況金屬化合物二電發(fā)射系數比金屬高靶毒靶材表面都金屬化合物受離轟擊釋放二電數量增加提高空間導通能力降低等離體阻抗導致濺射電壓降低降低濺射速率般情況磁控濺射濺射電壓400V-600V間發(fā)靶毒濺射電壓顯著降低(2)金屬靶材與化合物靶材本濺射速率般情況金屬濺射系數要比化合物濺射系數高所靶毒濺射速率低(3)反應濺射氣體濺射效率本比惰性氣體濺射效率低所反應氣體比例增加綜合濺射速率降低 第五:靶毒解決辦 (1)采用頻電源或射頻電源(2)采用閉環(huán)控制反應氣體通入量(3)采用孿靶(4)控制鍍膜模式變換:鍍膜前采集靶毒遲滯效應曲線使進氣流量控制產靶毒前沿確保工藝程始終處于沉積速率陡降前模式 離子轟擊哪種金屬產生的二次電子Z多? 請詳細描敘問題
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