1. OLED各元素在不同層的分布的那張圖是直接可以得到還是要通過定量處理？

回復(fù)：請參考以下這張圖：首先說明一下是選用不同組分的特征離子（右圖）表征不同膜層組分的深度分布，橫坐標是通過濺射時間和濺射速率換算的厚度坐標，如果直接得到的是時間軸；縱坐標是譜峰的強度（直接測試采譜，從譜峰強度面積積分得到），假定整個有機膜層基體效應(yīng)相當?shù)那闆r下，可以用譜峰強度的變化表征成分的含量變化，從而區(qū)分不同膜層的主要成分組成。

2. 不會撞到其他離子嗎？

回復(fù)：當然不會了，進入CID之前，二次離子已經(jīng)分開了，只有質(zhì)量選擇器選擇的離子才可以進入CID產(chǎn)生碰撞。

3.為什么MS2的質(zhì)量分辨率不受MS1影響？

回復(fù)：MS1中的前驅(qū)體，在MS2中相當于一個樣品，需要再次裂解，而裂解過程在MS2中進行，且MS2是獨立的質(zhì)譜儀，其分辨率由本身性能決定。

4. 只有MS1可以匹配出化學(xué)結(jié)構(gòu)嗎？

回復(fù)：MS1采集的質(zhì)譜是表面所有組分產(chǎn)生的二次離子質(zhì)譜圖，如果表面成分復(fù)雜得到的MS1質(zhì)譜圖就會比較復(fù)雜，除了一些比較小的原子離子和分子離子比較容易進行定性判定，質(zhì)量數(shù)大于m/z 200的很難匹配出準確的化學(xué)結(jié)構(gòu)；因此需要配置串聯(lián)質(zhì)譜MS/MS，即可以單獨挑出某個特征大分子離子進行解離，得到MS2質(zhì)譜圖，MS2圖譜中的譜峰都屬于這個特征大分子離子的子離子碎片，等于純化了分析數(shù)據(jù)，因此很容易通過一些標準的質(zhì)譜數(shù)據(jù)庫匹配出MS2圖譜對應(yīng)的化學(xué)物質(zhì)或分子結(jié)構(gòu)。

5. 測試前如何判斷有機大分子可能的分裂情況？

回復(fù)：如果是測試未知組分，測試前是不能判斷分子的分裂情況的；如果是已知有機組分，可以根據(jù)分子結(jié)構(gòu)特征和一些已有經(jīng)驗（來自對一些已知有機材料的圖譜分析得來）判斷可能產(chǎn)生的離子碎片。

6. 怎么保證MS2是從MS1中選定的特離子？

回復(fù)：可以保證，因為MS2用于分析的離子就是從MS1圖譜中挑選出來的：分析時，首先采集表面所有的二次離子，得到MS1圖譜，根據(jù)MS1圖譜里的圖譜信息，挑出特征的precursor ion (前體離子）用于MS2解離和分析。（具體實現(xiàn)過程請關(guān)注我們的第二堂課）

7. 橫坐標為什么是m/z，而不是m?

回復(fù)：因為TOF-SIMS主要采集的是二次離子（有質(zhì)量和電荷），所以用荷質(zhì)比m/z表示；通常電荷數(shù)是1，所以呈現(xiàn)的數(shù)值與m（質(zhì)量數(shù)）相等，但意義不同。

8.  300—500nm的晶?？唇M分分布，分辨率如何？大面積收集的信號量多吧？

回復(fù)：TOF-SIMS的空間分辨率是70納米（高空間分辨模式下），如果是在HR2模式下，即Z好的質(zhì)量分辨率下（m/?m@10000左右），空間分辨率是百納米左右（與樣品相關(guān)）。所以如果測試300-500nm的晶粒組分，晶粒分散在導(dǎo)電基底上，是可以用TOF-SIMS微區(qū)定點到單顆粒上進行采譜分析。

無論是微區(qū)分析還是大面積分析都是采用聚焦離子源在表面掃描，激發(fā)信號強度相當。

9.與其他儀器聯(lián)用如何保證同個區(qū)域

回復(fù)：目前PHI TOF-SIMS 沒有與其它儀器聯(lián)用的案例。如果客戶自己安排不同的表面分析測試（SEM/ XPS/ TOF-SIMS等），Z好以對特征區(qū)域的成像（光學(xué)成像、二次電子成像、離子成像等）判斷和定位分析區(qū)域，以保證分析發(fā)生在同一區(qū)域。

10. 藥片截面如何制備？

回復(fù)：因為制備截面或剖面的時候Z怕引入新的污染或造成交叉污染，Z好采用離子束剖面切割（CP: Cross section polisher）來制備樣品。

11. 我做的小面積mapping沒有大面積清晰，為什么？

回復(fù)：如果分析條件（參數(shù)）設(shè)置相同，無論是大面積和小面積MAPPING空間分辨率是相同的。只是小面積下（更高的放大倍率下）更容易看出空間分辨的實際能力，其對更微區(qū)特征區(qū)域的分辨能力，如果高放大倍率下，分析特征已經(jīng)接近設(shè)備的空間分辨尺度，那圖像呈現(xiàn)就會看起來不清晰。

12. 對于有機無機摻雜的材料，串聯(lián)質(zhì)譜是要做預(yù)實驗確定要分析的大分子嗎

回復(fù)：對于有機無機摻雜材料，表面成分的確比較復(fù)雜，所謂預(yù)實驗，也就是用常規(guī)的MS1先進行表面所有離子的采集，然后根據(jù)MS1質(zhì)譜圖確定和挑出要用MS2分析的大分子離子。

13. 特定深度2D圖如何選，一般不是都選成區(qū)域？

回復(fù)：在深度剖析的時候，因每分析一層都會保存這一層的分析區(qū)域的mapping, 每個像素點的離子質(zhì)譜圖;

通過軟件可以回溯特定深度的2D MAPPING圖 （就是根據(jù)特定濺射時間范圍選擇：對應(yīng)深度），所呈現(xiàn)的就是特定深度所分析區(qū)域的Mapping, 詳細操作步驟請關(guān)注第三課數(shù)據(jù)處理的課程。

14. 單顆粒深度剖析如何比如直徑2um能實現(xiàn)嗎？

回復(fù)：根據(jù)TOF-SIMS的現(xiàn)有能力，對于直徑2um的單顆粒是可以嘗試進行深度剖析的，當然也要看基體效應(yīng)影響。

15. 有機無機摻雜，能分析嗎？

回復(fù)：TOF-SIMS對有機無機材料都有很好的表征能力，當有機無機摻雜濃度在TOF-SIMS 檢出限能力所及的條件下是可以進行分析的。如果摻雜濃度太低（ppb-ppt）, 那需要用D-SIMS進行分析。

16. 二次離子在飛行管道中只用跑一圈就能分開嗎？

回復(fù)：當然可以分開。

17. 可分析有hole樣品，樣品臺可各方向旋轉(zhuǎn)？

回復(fù)：五軸樣品臺可旋轉(zhuǎn)和傾斜，也有特殊傾斜樣品托適合用于Hole樣品分析，見下圖：

18. 結(jié)構(gòu)解離情況與激發(fā)離子源有關(guān)嗎？

回復(fù)：解離產(chǎn)生特征的原子離子和分子離子與結(jié)構(gòu)本身有很大關(guān)系，但產(chǎn)生的二次離子產(chǎn)額除了與基體效應(yīng)相關(guān)，的確與激發(fā)離子源有關(guān)。比如現(xiàn)在分析源用Bi源，可以采用Bi單原子離子和團簇離子源，如果采用單原子離子激發(fā)出的二次離子中原子離子和小分子離子產(chǎn)額高，而大分子離子產(chǎn)額低，而采用Bi團簇離子源入射則會提高大分子離子產(chǎn)額。

19. 怎樣解決depth profile過程中采譜位置漂移的問題？

回復(fù)：跟樣品導(dǎo)電性相關(guān)，如果樣品導(dǎo)電性不好的，請使用PHI提供的mask及Grid等輔助導(dǎo)電增強的樣品托配件。

20. pulse寬為何空間分辨率高？

回復(fù)：見下圖，脈沖長度寬，時間差長（質(zhì)量分辨率差），但束斑直徑可以聚焦到Z好，束斑越小，空間分辨率越高。

21. profile波動，什么叫選擇性濺射？

回復(fù)：濺射離子源與樣品表面材料相互作用，對不同的原子或分子有不同的作用機理以及剝離速率，有些原子比較容易被濺射移除，有些原子又很難被剝離，同一離子源對表面同一表面但不同成分作用程度有差異，造成擇優(yōu)濺射。

22. depth profile采譜過程中，采譜位置容易發(fā)生漂移，有什么比較好的方法可以解決這個問題？Depth面積是400*400um，采譜面積是30*30um

回復(fù)：跟樣品導(dǎo)電性相關(guān)，如果樣品導(dǎo)電性不好的，請使用PHI提供的mask及Grid等輔助導(dǎo)電增強的樣品托配件。

23. 同問：同一個區(qū)域在正負離子切換時，采譜位置也容易發(fā)生偏移。樣品導(dǎo)電性一般，表面是SiO，下面是Cu

回復(fù)：跟樣品導(dǎo)電性相關(guān)，如果樣品導(dǎo)電性不好的，請使用PHI提供的mask及Grid等輔助導(dǎo)電增強的樣品托配件。

24. ESA 1 2 3 然后收到訊號，跑了一圈， 可以跑兩圈么？如果可以有什么效果么？

回復(fù)： 首先沒有跑一圈，只跑了3/4圈。不可以跑兩圈，如果可以的話，可以改善質(zhì)量分辨率。

25. ppm什么意思？

回復(fù)：parts per million. 百萬分之一

26.掃描面積多大？ 

回復(fù)：離子束掃描面積一般可以到600X600um，如果配合樣品臺一起掃描的話，可以掃描整個樣品臺的范圍。

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       新型冠狀病毒感染肺炎疫情防控工作正處于關(guān)鍵時期，疫情防控關(guān)乎每個人的生命健康，為減少公眾交叉感染和降低傳播風險，PHI CHINA積極配合國家的防控工作。PHI CHINA始終秉持初心，在疫情防控期間已經(jīng)著手通過多種渠道繼續(xù)為我們的用戶提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)，并于近期通過互聯(lián)網(wǎng)平臺連接我們的客戶啟動光電子能譜ZT網(wǎng)絡(luò)講堂，與大家攜手發(fā)揮好PHI XPS儀器功效，進一步推動表面分析技術(shù)的應(yīng)用和發(fā)展。

       X射線光電子能譜儀作為表面分析領(lǐng)域重要的大型科學(xué)儀器，廣泛應(yīng)用于科學(xué)研究和高科技產(chǎn)業(yè)等領(lǐng)域。ULVAC-PHI獨具特色的掃描聚焦型XPS可以提供高表面靈敏（<10 nm）和高空間分辨(<10 um)的化學(xué)態(tài)解析能力；通過與UPS和IPES相結(jié)合，可以實現(xiàn)對芯能級、價帶和導(dǎo)帶電子結(jié)構(gòu)信息的全面探測；通過結(jié)合氬離子和團簇離子源（GCIB），可以實現(xiàn)對無機/有機多層膜結(jié)構(gòu)材料進行深度剖析。為了幫助客戶深入了解掃描聚焦型X射線光電子能譜儀的技術(shù)特點，提升大型科學(xué)儀器在表面分析中的功用，本期光電子能譜ZT之網(wǎng)絡(luò)講堂將聚焦于光電子能譜原理、儀器結(jié)構(gòu)、數(shù)據(jù)處理、實驗技術(shù)以及日常維護等基本操作，網(wǎng)絡(luò)講堂具體安排如下：

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       繼上期面向PHI用戶的表面分析技術(shù)網(wǎng)絡(luò)講堂的成功舉辦，本期面向高校師生的網(wǎng)絡(luò)講堂也如約而至，在昨天（2月20日）為小伙伴們開講了diyi課，共有來自90多所高校和科研院所的千余名師生參加。在接下來的三周，將有更精彩的內(nèi)容呈現(xiàn)給大家，讓我們一起來探索表面分析的世界！

       當前新型冠狀病毒疫情防控工作正處于關(guān)鍵時期，疫情防控關(guān)乎每個人的生命健康，為減少公眾交叉感染和降低傳播風險，高校都已經(jīng)宣布推遲春季學(xué)期開學(xué)。雖然現(xiàn)在只能宅在家里，但是疫情是暫時的，學(xué)習(xí)是長遠的，待到春暖花開時，小伙伴們就可以奔赴科研戰(zhàn)線，攀登科學(xué)的高峰！X射線光電子能譜儀作為表面分析領(lǐng)域重要的大型科學(xué)儀器，廣泛應(yīng)用于科學(xué)研究和高科技產(chǎn)業(yè)等領(lǐng)域。ULVAC-PHI獨具特色的掃描聚焦型XPS可以提供高表面靈敏（<10 nm）和高空間分辨(<10 um)的化學(xué)態(tài)解析能力；通過與UPS和IPES相結(jié)合，可以實現(xiàn)對芯能級、價帶和導(dǎo)帶電子結(jié)構(gòu)信息的全面探測；通過結(jié)合氬離子和團簇離子源（GCIB），可以實現(xiàn)對無機/有機多層膜結(jié)構(gòu)材料進行深度剖析；通過專業(yè)的XPS數(shù)據(jù)處理軟件MultiPak可實現(xiàn)對數(shù)據(jù)的定性和定量分析。

       X射線光電子能譜（XPS）已經(jīng)是材料分析中離不開的利器，但是小伙伴們對測試和數(shù)據(jù)分析還是有些疑問，樣品怎么準備，如何進行微區(qū)分析，深度分析中膜厚怎么計算，數(shù)據(jù)如何擬合，UPS功函數(shù)如何計算，如果測試導(dǎo)帶和帶隙，測試得不到滿意結(jié)果...您是不是也有類似的困惑嗎？為了幫助小伙伴們深入了解XPS的功能特點和數(shù)據(jù)解析，讓XPS助力提升科研工作，本期光電子能譜ZT之網(wǎng)絡(luò)講堂面向科研一線的師生，將詳細講解光電子能譜的基本原理、儀器結(jié)構(gòu)、實驗技術(shù)以及數(shù)據(jù)處理，網(wǎng)絡(luò)講堂具體安排如下：

       如果您對光電子能譜或者其他表面分析技術(shù)感興趣，歡迎您關(guān)注我們公眾號，我們會持續(xù)為您呈現(xiàn)精彩內(nèi)容，讓我們一起來探索表面分析的世界！

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PHI CHINA自2月11日開始通過網(wǎng)絡(luò)直播的方式，展開為期四周的光電子能譜ZT講座，獲得了廣泛關(guān)注和一致好評。為了滿足大家熱切的學(xué)習(xí)需求，PHI CHINA將推出“俄歇電子能譜ZT”講座，為期三天：3月11日至3月13日，每天下午三點準時開講。

01 3月11日

魯?shù)馒P

AES技術(shù)基本原理、主要功能和應(yīng)用 

主要內(nèi)容： 

①、AES 的基本原理：俄歇電子的產(chǎn)生、主要技術(shù)能力；空間分辨、檢出限以及定性定量等；俄歇系統(tǒng)的基本構(gòu)成和能量分析器的特點；

②、AES 的主要功能：采譜、線掃描、成像、深度剖析等；冷脆斷斷面分析、原位 FIB+EDS+BSE+EBSD 全方位成分表征； 

③、AES 的主要應(yīng)用：納米材料、金屬、半導(dǎo)體、催化材料、能源電池、太陽能光伏、膜層結(jié)構(gòu)剖析等。 

02 3月12日

辛國強

AES硬件簡介、儀器功能及特點  

主要內(nèi)容：

①、系統(tǒng)結(jié)構(gòu)；

②、真空系統(tǒng)； 

③、能量分析器基本原理；

④、電子槍及電子探測器； 

⑤、離子槍基本原理； 

⑥、俄歇儀器功能及特點。 

03 3月13日

葉上遠

AES樣品制備、數(shù)據(jù)采集及處理 

主要內(nèi)容：

①、對于不同的分析目的，如何做相對應(yīng)的樣品制備；

②、簡單的俄歇圖譜解釋，原圖和微分譜與定性/定量分析；

③、如何使用軟件和俄歇手冊處理重疊峰；

④、俄歇峰背景扣除；

⑤、線掃和面掃數(shù)據(jù)分析；

⑥、如何使用 LLS 進行深度分析數(shù)據(jù)處理；

⑦、從導(dǎo)體到半導(dǎo)體俄歇分析，以及分析中電荷中和的方法。 

此次講堂繼續(xù)延用網(wǎng)絡(luò)直播的形式，現(xiàn)場答疑。

PHI CHINA在表面分析領(lǐng)域多年深耕，專注表面分析的發(fā)展與科研，希望本系列講堂能幫您豐富知識，提升技能，與大家攜手進一步推動表面分析技術(shù)的蓬勃發(fā)展。若您對課程安排或技術(shù)方面有任何疑問，歡迎在微信公眾號給我們留言。

更多資訊，請關(guān)注微信公眾號：PHI與高德，我們將不定期共享更多資料，為您在科研道路上助力。 

        PHI CHINA多年來一直致力于探索PHI XPS表面分析技術(shù)手段在各個研究方向的應(yīng)用與發(fā)展，在開展一系列網(wǎng)絡(luò)講座的同時，也積極的參與各高校開展的主題會議。為與各位專家學(xué)者、老師同學(xué)們可以面對面的交流討論，PHI CHINA受邀參與青島大學(xué)在2021年10月11日開展的“分析技術(shù)講座”，并為大家?guī)砭实难葜v，歡迎大家前往現(xiàn)場進行技術(shù)交流！