PHI CHINA自2月11日開(kāi)始通過(guò)網(wǎng)絡(luò)直播的方式，展開(kāi)為期四周的光電子能譜ZT講座，獲得了廣泛關(guān)注和一致好評(píng)。為了滿足大家熱切的學(xué)習(xí)需求，PHI CHINA將推出“俄歇電子能譜ZT”講座，為期三天：3月11日至3月13日，每天下午三點(diǎn)準(zhǔn)時(shí)開(kāi)講。

01 3月11日

魯?shù)馒P

AES技術(shù)基本原理、主要功能和應(yīng)用 

主要內(nèi)容： 

①、AES 的基本原理：俄歇電子的產(chǎn)生、主要技術(shù)能力；空間分辨、檢出限以及定性定量等；俄歇系統(tǒng)的基本構(gòu)成和能量分析器的特點(diǎn)；

②、AES 的主要功能：采譜、線掃描、成像、深度剖析等；冷脆斷斷面分析、原位 FIB+EDS+BSE+EBSD 全方位成分表征； 

③、AES 的主要應(yīng)用：納米材料、金屬、半導(dǎo)體、催化材料、能源電池、太陽(yáng)能光伏、膜層結(jié)構(gòu)剖析等。 

02 3月12日

辛國(guó)強(qiáng)

AES硬件簡(jiǎn)介、儀器功能及特點(diǎn)  

主要內(nèi)容：

①、系統(tǒng)結(jié)構(gòu)；

②、真空系統(tǒng)； 

③、能量分析器基本原理；

④、電子槍及電子探測(cè)器； 

⑤、離子槍基本原理； 

⑥、俄歇儀器功能及特點(diǎn)。 

03 3月13日

葉上遠(yuǎn)

AES樣品制備、數(shù)據(jù)采集及處理 

主要內(nèi)容：

①、對(duì)于不同的分析目的，如何做相對(duì)應(yīng)的樣品制備；

②、簡(jiǎn)單的俄歇圖譜解釋?zhuān)瓐D和微分譜與定性/定量分析；

③、如何使用軟件和俄歇手冊(cè)處理重疊峰；

④、俄歇峰背景扣除；

⑤、線掃和面掃數(shù)據(jù)分析；

⑥、如何使用 LLS 進(jìn)行深度分析數(shù)據(jù)處理；

⑦、從導(dǎo)體到半導(dǎo)體俄歇分析，以及分析中電荷中和的方法。 

此次講堂繼續(xù)延用網(wǎng)絡(luò)直播的形式，現(xiàn)場(chǎng)答疑。

PHI CHINA在表面分析領(lǐng)域多年深耕，專(zhuān)注表面分析的發(fā)展與科研，希望本系列講堂能幫您豐富知識(shí)，提升技能，與大家攜手進(jìn)一步推動(dòng)表面分析技術(shù)的蓬勃發(fā)展。若您對(duì)課程安排或技術(shù)方面有任何疑問(wèn)，歡迎在微信公眾號(hào)給我們留言。

更多資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾號(hào)：PHI與高德，我們將不定期共享更多資料，為您在科研道路上助力。 

       2020年3月11日至13日，PHI CHINA成功舉辦了為期三天的“表面分析技術(shù)網(wǎng)絡(luò)講堂之俄歇能譜ZT”講座，在這特殊時(shí)期，又為廣大用戶以及來(lái)自90多所高校和科研院所的近千名師生們獻(xiàn)上一場(chǎng)知識(shí)和技術(shù)的盛宴。

       俄歇電子能譜（AES）是利用聚焦電子束作為激發(fā)源，檢測(cè)出射的俄歇電子的一種表面分析方法。該技術(shù)不僅具有納米級(jí)空間分辨能力，還具有對(duì)材料表面組分和化學(xué)態(tài)的檢測(cè)能力，因此廣泛應(yīng)用于納米材料、能源器件和電子器件的領(lǐng)域。為了幫助廣大客戶及師生們深入了解和系統(tǒng)學(xué)習(xí)俄歇電子能譜的相關(guān)知識(shí)，本期網(wǎng)絡(luò)講堂安排了三節(jié)課程：diyi課，由PHI CHINAZS應(yīng)用專(zhuān)家魯?shù)馒P女士講解了AES俄歇電子能譜技術(shù)的基本原理、主要功能和應(yīng)用；第二課，由PHI CHINA主任工程師辛國(guó)強(qiáng)先生講解了AES俄歇電子能譜的硬件簡(jiǎn)介、儀器功能及特點(diǎn)；第三課由PHI CHINA總經(jīng)理葉上遠(yuǎn)先生講解了AES俄歇電子能譜的樣品制備，數(shù)據(jù)采集及處理方法。

       本期網(wǎng)絡(luò)講堂既有詳細(xì)的課程講解，又有及時(shí)的在線答疑，并且在每節(jié)課程結(jié)束后，課程視頻、知識(shí)ZD和答疑總結(jié)都及時(shí)發(fā)布在公眾號(hào)供大家回看和復(fù)習(xí)。網(wǎng)絡(luò)課程不僅僅是一次邂逅，我們將繼續(xù)通過(guò)線上和線下的共同學(xué)習(xí)和探討，讓表面分析技術(shù)更好地助力科學(xué)研究工作。

       PHI CHINA在此真摯地感謝廣大客戶及師生們的關(guān)注與支持，雖然本次俄歇ZT講座已圓滿完成，但我們不會(huì)止步，將繼續(xù)為大家?guī)?lái)更加精彩的技術(shù)分享，與大家攜手共同推動(dòng)表面分析技術(shù)的應(yīng)用和發(fā)展。

       新型冠狀病毒感染肺炎疫情防控工作正處于關(guān)鍵時(shí)期，疫情防控關(guān)乎每個(gè)人的生命健康，為減少公眾交叉感染和降低傳播風(fēng)險(xiǎn)，PHI CHINA積極配合國(guó)家的防控工作。PHI CHINA始終秉持初心，在疫情防控期間已經(jīng)著手通過(guò)多種渠道繼續(xù)為我們的用戶提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)，并于近期通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)連接我們的客戶啟動(dòng)光電子能譜ZT網(wǎng)絡(luò)講堂，與大家攜手發(fā)揮好PHI XPS儀器功效，進(jìn)一步推動(dòng)表面分析技術(shù)的應(yīng)用和發(fā)展。

       X射線光電子能譜儀作為表面分析領(lǐng)域重要的大型科學(xué)儀器，廣泛應(yīng)用于科學(xué)研究和高科技產(chǎn)業(yè)等領(lǐng)域。ULVAC-PHI獨(dú)具特色的掃描聚焦型XPS可以提供高表面靈敏（<10 nm）和高空間分辨(<10 um)的化學(xué)態(tài)解析能力；通過(guò)與UPS和IPES相結(jié)合，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)芯能級(jí)、價(jià)帶和導(dǎo)帶電子結(jié)構(gòu)信息的全面探測(cè)；通過(guò)結(jié)合氬離子和團(tuán)簇離子源（GCIB），可以實(shí)現(xiàn)對(duì)無(wú)機(jī)/有機(jī)多層膜結(jié)構(gòu)材料進(jìn)行深度剖析。為了幫助客戶深入了解掃描聚焦型X射線光電子能譜儀的技術(shù)特點(diǎn)，提升大型科學(xué)儀器在表面分析中的功用，本期光電子能譜ZT之網(wǎng)絡(luò)講堂將聚焦于光電子能譜原理、儀器結(jié)構(gòu)、數(shù)據(jù)處理、實(shí)驗(yàn)技術(shù)以及日常維護(hù)等基本操作，網(wǎng)絡(luò)講堂具體安排如下：

請(qǐng)?zhí)顚?xiě)以下報(bào)名表格，提供有效Email地址以接收網(wǎng)絡(luò)講堂參會(huì)邀請(qǐng),并于2月7日前回復(fù)

如有任何問(wèn)題，可聯(lián)系:

潘劍南 1861230 0780, nice.pan@coretechint.com

張偉 185 0008 4171, William.zhang@coretechint.com

       新型冠狀病毒感染肺炎疫情防控工作正處于關(guān)鍵時(shí)期，疫情防控關(guān)乎每個(gè)人的生命健康，為減少公眾交叉感染和降低傳播風(fēng)險(xiǎn)，PHI CHINA積極配合國(guó)家的防控工作。PHI CHINA始終秉持初心，在疫情防控期間已經(jīng)著手通過(guò)多種渠道繼續(xù)為我們的用戶提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)，并于近期通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)連接我們的客戶啟動(dòng)光電子能譜ZT網(wǎng)絡(luò)講堂，與大家攜手發(fā)揮好PHI XPS儀器功效，進(jìn)一步推動(dòng)表面分析技術(shù)的應(yīng)用和發(fā)展。
        X射線光電子能譜儀作為表面分析領(lǐng)域重要的大型科學(xué)儀器，廣泛應(yīng)用于科學(xué)研究和高科技產(chǎn)業(yè)等領(lǐng)域。ULVAC-PHI獨(dú)具特色的掃描聚焦型XPS可以提供高表面靈敏（<10nm）和高空間分辨(<10um)的化學(xué)態(tài)解析能力；通過(guò)與UPS和IPES相結(jié)合，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)芯能級(jí)、價(jià)帶和導(dǎo)帶電子結(jié)構(gòu)信息的全面探測(cè)；通過(guò)結(jié)合氬離子和團(tuán)簇離子源（GCIB），可以實(shí)現(xiàn)對(duì)無(wú)機(jī)/有機(jī)多層膜結(jié)構(gòu)材料進(jìn)行深度剖析。為了幫助客戶深入了解掃描聚焦型X射線光電子能譜儀的技術(shù)特點(diǎn)，提升大型科學(xué)儀器在表面分析中的功用，本期光電子能譜ZT之網(wǎng)絡(luò)講堂將聚焦于光電子能譜原理、儀器結(jié)構(gòu)、數(shù)據(jù)處理、實(shí)驗(yàn)技術(shù)以及日常維護(hù)等基本操作，網(wǎng)絡(luò)講堂具體安排如下：

       報(bào)名地址：https://mp.weixin.qq.com/s/xjK9LAuNDSfoyNX2mPVFgw

       請(qǐng)于2月7日前報(bào)名，并提供有效E-mail地址以接收網(wǎng)絡(luò)講堂參會(huì)邀請(qǐng)，謝謝！

       如有任何問(wèn)題，可聯(lián)系：潘劍南 186 1230 0780  Nice.pan@coretchint.com張   偉  185 0008 4171 William.zhang@coretechint.com

       繼上期面向PHI用戶的表面分析技術(shù)網(wǎng)絡(luò)講堂的成功舉辦，本期面向高校師生的網(wǎng)絡(luò)講堂也如約而至，在昨天（2月20日）為小伙伴們開(kāi)講了diyi課，共有來(lái)自90多所高校和科研院所的千余名師生參加。在接下來(lái)的三周，將有更精彩的內(nèi)容呈現(xiàn)給大家，讓我們一起來(lái)探索表面分析的世界！

       當(dāng)前新型冠狀病毒疫情防控工作正處于關(guān)鍵時(shí)期，疫情防控關(guān)乎每個(gè)人的生命健康，為減少公眾交叉感染和降低傳播風(fēng)險(xiǎn)，高校都已經(jīng)宣布推遲春季學(xué)期開(kāi)學(xué)。雖然現(xiàn)在只能宅在家里，但是疫情是暫時(shí)的，學(xué)習(xí)是長(zhǎng)遠(yuǎn)的，待到春暖花開(kāi)時(shí)，小伙伴們就可以奔赴科研戰(zhàn)線，攀登科學(xué)的高峰！X射線光電子能譜儀作為表面分析領(lǐng)域重要的大型科學(xué)儀器，廣泛應(yīng)用于科學(xué)研究和高科技產(chǎn)業(yè)等領(lǐng)域。ULVAC-PHI獨(dú)具特色的掃描聚焦型XPS可以提供高表面靈敏（<10 nm）和高空間分辨(<10 um)的化學(xué)態(tài)解析能力；通過(guò)與UPS和IPES相結(jié)合，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)芯能級(jí)、價(jià)帶和導(dǎo)帶電子結(jié)構(gòu)信息的全面探測(cè)；通過(guò)結(jié)合氬離子和團(tuán)簇離子源（GCIB），可以實(shí)現(xiàn)對(duì)無(wú)機(jī)/有機(jī)多層膜結(jié)構(gòu)材料進(jìn)行深度剖析；通過(guò)專(zhuān)業(yè)的XPS數(shù)據(jù)處理軟件MultiPak可實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)的定性和定量分析。

       X射線光電子能譜（XPS）已經(jīng)是材料分析中離不開(kāi)的利器，但是小伙伴們對(duì)測(cè)試和數(shù)據(jù)分析還是有些疑問(wèn)，樣品怎么準(zhǔn)備，如何進(jìn)行微區(qū)分析，深度分析中膜厚怎么計(jì)算，數(shù)據(jù)如何擬合，UPS功函數(shù)如何計(jì)算，如果測(cè)試導(dǎo)帶和帶隙，測(cè)試得不到滿意結(jié)果...您是不是也有類(lèi)似的困惑嗎？為了幫助小伙伴們深入了解XPS的功能特點(diǎn)和數(shù)據(jù)解析，讓XPS助力提升科研工作，本期光電子能譜ZT之網(wǎng)絡(luò)講堂面向科研一線的師生，將詳細(xì)講解光電子能譜的基本原理、儀器結(jié)構(gòu)、實(shí)驗(yàn)技術(shù)以及數(shù)據(jù)處理，網(wǎng)絡(luò)講堂具體安排如下：

       如果您對(duì)光電子能譜或者其他表面分析技術(shù)感興趣，歡迎您關(guān)注我們公眾號(hào)，我們會(huì)持續(xù)為您呈現(xiàn)精彩內(nèi)容，讓我們一起來(lái)探索表面分析的世界！

如果喜歡我們的課程，記得分享喲~~

       昨天的上課視頻，想要下載，可以點(diǎn)擊微信公眾號(hào)“閱讀原文”，通關(guān)密碼是“erlk”

       當(dāng)前全國(guó)正處于抗擊新冠肺炎疫情的關(guān)鍵時(shí)期，PHI CHINA積極響應(yīng)政府政策并做好防控工作。與此同時(shí)，PHI CHINA充分利用互聯(lián)網(wǎng)資源，于2020年2月11日15時(shí)通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)為廣大用戶開(kāi)設(shè)了線上培訓(xùn)課程，進(jìn)行了專(zhuān)業(yè)理論知識(shí)培訓(xùn)，做到“戰(zhàn)勝疫情”和“提升能力”兩不誤。

       本期網(wǎng)絡(luò)講堂“PHI CHINA 表面分析技術(shù)網(wǎng)絡(luò)講堂之光電子能譜ZT”，包含光電子能譜相關(guān)的基本原理、譜儀結(jié)構(gòu)、數(shù)據(jù)處理和實(shí)驗(yàn)技術(shù)四個(gè)課程，將通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)開(kāi)展為期四天（2月11日-14日）的ZT網(wǎng)絡(luò)課程。

       昨天是網(wǎng)絡(luò)講堂的diyi課，由PHI CHINA應(yīng)用專(zhuān)家鞠煥鑫博士進(jìn)行光電子能譜基本原理講解，在講座中對(duì)ULVAC-PHI及PHI CHINA公司進(jìn)行了簡(jiǎn)單介紹后，鞠煥鑫博士針對(duì)光電子能譜領(lǐng)域中的XPS/UPS/LEIPS的基本原理、技術(shù)特點(diǎn)及應(yīng)用開(kāi)展詳細(xì)講解。網(wǎng)絡(luò)講堂結(jié)束后，鞠煥鑫博士對(duì)參會(huì)聽(tīng)眾的疑問(wèn)進(jìn)行了詳細(xì)的解答。

       本次網(wǎng)絡(luò)講堂共有來(lái)自高校和產(chǎn)業(yè)界的500多名用戶參與，網(wǎng)絡(luò)講堂的學(xué)習(xí)形式也受到了廣大用戶的一致好評(píng)。我們將秉持為用戶提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)的初心，在疫情防控期間通過(guò)多種渠道繼續(xù)為我們的用戶提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)，與大家攜手發(fā)揮好PHI XPS儀器功效，進(jìn)一步推動(dòng)表面分析技術(shù)的應(yīng)用和發(fā)展。

看得見(jiàn)的是光芒 看不見(jiàn)的是力量

       在這疫情防控關(guān)鍵時(shí)期，PHI CHINA所有員工聽(tīng)從號(hào)令，樹(shù)立必勝信心，立足本職、加強(qiáng)業(yè)務(wù)學(xué)習(xí)，以更高標(biāo)準(zhǔn)做好各項(xiàng)工作，更好的為廣大客戶提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)。

注意！注意！注意！

       ★答疑的部分，整理好后將會(huì)分享給大家，讓我們一同學(xué)習(xí)與討論！ 

       ★2月12日15時(shí)將學(xué)習(xí)光電子能譜的譜儀結(jié)構(gòu)，千萬(wàn)不要錯(cuò)過(guò)哦！

       ★為避免錯(cuò)過(guò)直播，請(qǐng)各位老師、同學(xué)進(jìn)入公眾號(hào)，點(diǎn)擊菜單欄下方的“資料ZX--網(wǎng)絡(luò)講堂”進(jìn)入直播間。關(guān)注“PHI-CHINA”主播，一起學(xué)習(xí)吧！

       繼2月11日PHI CHINA通過(guò)網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)成功開(kāi)講了“PHI CHINA 表面分析技術(shù)網(wǎng)絡(luò)講堂之光電子能譜ZT”的diyi課后，網(wǎng)絡(luò)講堂第二課于2月12日15時(shí)準(zhǔn)時(shí)開(kāi)講。本次課程的主題為“譜儀結(jié)構(gòu)”，主講人為PHI CHINA總經(jīng)理葉上遠(yuǎn)先生。在近一個(gè)半小時(shí)的課程中，葉上遠(yuǎn)先生針對(duì)光電子能譜儀器結(jié)構(gòu)、樣品制備及傳輸操作等內(nèi)容展開(kāi)詳細(xì)的講解，講解部分結(jié)束后他還針對(duì)參與講堂的聽(tīng)眾疑問(wèn)進(jìn)行了在線答疑。

       本期網(wǎng)絡(luò)講堂的主題分為光電子能譜相關(guān)的基本原理、譜儀結(jié)構(gòu)、數(shù)據(jù)處理和實(shí)驗(yàn)技術(shù)四個(gè)課程，將通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)開(kāi)展為期四天（2月11日-14日）的ZT網(wǎng)絡(luò)課程。以下是課程安排：

下期精彩 不要錯(cuò)過(guò)

       2月13日15時(shí)將學(xué)習(xí)光電子能譜的數(shù)據(jù)處理，記得準(zhǔn)時(shí)收看哦！

       為避免錯(cuò)過(guò)直播，請(qǐng)各位老師、同學(xué)進(jìn)入“PHI與高德公眾號(hào)”，點(diǎn)擊菜單欄下方的“資料ZX--網(wǎng)絡(luò)講堂”進(jìn)入直播間，關(guān)注“PHI-CHINA”主播，一起學(xué)習(xí)吧！

       昨日（2月13日）15時(shí)開(kāi)講的“PHI CHINA表面分析技術(shù)網(wǎng)絡(luò)講堂之光電子能譜ZT”第三課，主題為“光電子能譜的數(shù)據(jù)處理”，由PHI CHINAZS應(yīng)用專(zhuān)家魯?shù)馒P女士主講，憑借著自己從業(yè)多年的經(jīng)驗(yàn)，她和與會(huì)者分享了XPS圖譜特點(diǎn)及如何利用MultiPak軟件來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。對(duì)于部分聽(tīng)眾的在線提問(wèn)，她也給予了耐心和細(xì)致的解答，使得聽(tīng)眾們對(duì)于光電子能譜的數(shù)據(jù)處理的實(shí)際應(yīng)用有了更具體而深刻的理解。

       時(shí)至今日，PHI CHINA表面分析技術(shù)網(wǎng)絡(luò)講堂之光電子能譜ZT已成功開(kāi)講了三課，分別是：光電子能譜相關(guān)的基本原理、譜儀結(jié)構(gòu)、數(shù)據(jù)處理。Z后一課“光電子能譜儀的實(shí)驗(yàn)技術(shù)”將于今日15時(shí)準(zhǔn)時(shí)開(kāi)講。各位老師、同學(xué)可通過(guò)關(guān)注“PHI與高德”公眾號(hào)，點(diǎn)擊菜單欄下方的“資料ZX—網(wǎng)絡(luò)講堂”進(jìn)入直播間，關(guān)注“PHI-CHINA”主播，一同學(xué)習(xí)。

第2課答疑整理

1.單光源和雙光源的區(qū)別？mu金屬腔體作用？

       單光源(X射線源)和雙X射線源在XPS設(shè)備上，重要的差別是雙X射線源可以在分析中提供到兩種X射線源去進(jìn)行XPS分析。在擁有兩種不同的X射線能量時(shí)，可以在分析時(shí)快速切換以達(dá)到:

1、得到不同分析深度的XPS結(jié)果(例如在使用硬X射線Cr源時(shí)可以得到比Al源獲得多3倍的深度訊息)

2、在圖譜中避免俄歇峰的重疊問(wèn)題。

Mu金屬的使用是可以屏蔽環(huán)境中的變動(dòng)磁場(chǎng)，避免對(duì)于在電子能譜實(shí)驗(yàn)時(shí)對(duì)電子動(dòng)能的影響，當(dāng)中特別是低動(dòng)能的電子會(huì)受影響。

樣品粗糙度有要求嗎？

       會(huì)有的?；旧洗植诙人鸬牟黄骄?，會(huì)對(duì)樣品在實(shí)驗(yàn)結(jié)果上的訊號(hào)強(qiáng)度造成影響(如下圖)。如粗糙度越大，在訊號(hào)強(qiáng)度影響越大的情況下，將會(huì)對(duì)基于峰積分強(qiáng)度計(jì)算的結(jié)果也會(huì)影響。不過(guò)，對(duì)于所測(cè)出的元素或其化學(xué)態(tài)倒是不預(yù)期會(huì)有影響。

3.XPS需要超高真空的原因那張表可以再講下？

       如下圖中：

       不同的真空等級(jí)中包括:760Torr=大氣,0.01Torr=低真空,E-5Torr=高真空,E-9=超高真空,E-12=極限真空。

       比較項(xiàng)為：

       How vacuum was attained:使用哪種真空泵或方法獲得

       Molecules/m3:每立方米中有多少分子(當(dāng)然真空差的時(shí)候,數(shù)字越大)

       Distance between molecules：在空間中分子間的距離(當(dāng)然真空差的時(shí)候,距離越短)

       Collisions/second:每秒分子之間或在空間中撞擊次數(shù)(真空越差，撞擊越多)

       Mean free path between collision:平均自由路徑在撞擊后在真空中Z大的移動(dòng)距離(真空越好，移動(dòng)距離越遠(yuǎn))

       Path(English unit): 英制距離單位(吋)

       Molecules/second/cm2 striking surface:每秒每平方厘米在樣品上的分子撞擊次數(shù)(真空越差，撞擊次數(shù)越多)

       Time for one monolayer to form:在上一項(xiàng)因分子撞擊下，在樣品上形成額外一層單原子層所需的時(shí)間

       Monolayer per second:因此每秒會(huì)在樣品上形成的單原子層數(shù)量

       在表面分析實(shí)驗(yàn)中，分析時(shí)間可以一分鐘、十分鐘……到幾十分鐘或以小時(shí)算，因此，超高真空在實(shí)驗(yàn)過(guò)程的維持是非常重要。不然，在不足的真空之下，分析到的訊號(hào)就不會(huì)是真正從樣品表面而來(lái)的。一般在真正實(shí)驗(yàn)中，E-8Torr很多時(shí)候是Z低的真空要求。

INTERESTING FACTS ABOUT VACUUM

4.FRR的成像能量窗口比FAT大很多？

       FRR在一般情況下的能量窗口是比較大的，但是FAT模式的能量窗口是可變的(透過(guò)改變通能)，所在也可以在設(shè)定中使能量窗口設(shè)成和FRR時(shí)的一樣大。

對(duì)于FRR模式，無(wú)減速。進(jìn)入的電子有自己的動(dòng)能，分析儀會(huì)選擇動(dòng)能穿過(guò)ZX路徑，到達(dá)Z終檢出器。

5.兩種能量分析模式?jīng)]聽(tīng)懂，請(qǐng)完后再解釋下

       在報(bào)告中，我以“分析器中正在偵測(cè)的電子之速度”來(lái)區(qū)分FRR和FAT兩種模式的差別。

       FRR=分析器中正在偵測(cè)的電子之速度→在分析過(guò)程圖譜中的不同動(dòng)能時(shí)實(shí)際上在持續(xù)改變。

       FAT=分析器中正在偵測(cè)的電子之速度→在分析過(guò)程圖譜中的不同動(dòng)能時(shí)實(shí)際上不變。

       在電子能譜中,所測(cè)試的一直都是電子的動(dòng)能,換句話說(shuō)是速度。而在能譜中，訊號(hào)強(qiáng)度(靈敏度)和能量分辨率(分辨不同動(dòng)能的能力)是在圖譜中的兩個(gè)Z重要的參數(shù)。在報(bào)告中，提出了FRR模式可以提供高靈敏度但比較差的能量分辨；而FAT則是相反的，有著比較好的能量分辨但靈敏度略低。在應(yīng)用中，F(xiàn)RR更多的會(huì)使用在俄歇分析中，而FAT則是會(huì)應(yīng)用在XPS，原因完全是因?yàn)閮煞N不同分析技術(shù)的原理，俄歇很多時(shí)候應(yīng)用在納米等級(jí)的分析(因此需要使用低電流獲得小束斑，而低電流會(huì)使訊號(hào)偏低),而且本身俄歇在原理中，俄歇峰相對(duì)起來(lái)峰寬度就很大，因此FRR模式更適合用在俄歇分析的。就XPS來(lái)說(shuō)，在光電效應(yīng)下光電子的產(chǎn)額相對(duì)高，且XPS中對(duì)化學(xué)分析其中一個(gè)重要的差別是在化學(xué)位移(結(jié)合能變化)，所以FAT的模式會(huì)更適合其應(yīng)用。而其工作原理，請(qǐng)參考下題的回復(fù)。

6.FAT如何實(shí)現(xiàn)光電子能量固定？電量怎么換算成動(dòng)能？

       在以下詳細(xì)回答之前，簡(jiǎn)單的回答：FAT模式中使用了減速電壓(Retard Voltage)的設(shè)計(jì)，達(dá)到了使進(jìn)入分析時(shí)所偵測(cè)的電子動(dòng)能/速度都是一樣的。例子如下：

       1、首先在減速之前，如報(bào)告中提到在X射線激發(fā)樣品表面時(shí)，激發(fā)出的各種電子是四散的。這時(shí)候輸入透鏡會(huì)去吸引這些電子，因此會(huì)給予所有電子一個(gè)額外能量。舉例來(lái)說(shuō)，假設(shè)這初始電壓為10eV。

       2、在這之后，retard voltage減速電壓開(kāi)始工作如下：

       （1）例如，我們希望所有電子以10eV的速度飛入分析器。

       （2）分析器開(kāi)始工作以獲取光譜。它將“掃描”一定范圍的能量。

       （3）首先，它嘗試檢測(cè)原始為0eV KE的電子（現(xiàn)在從輸入鏡頭獲得實(shí)為10eV），因此此時(shí)減速電壓=0。

       （4）如果步長(zhǎng)eV/step是1eV/step，則下一個(gè)檢測(cè)到的KE將是原始為1eV的電子（現(xiàn)在在輸入透鏡之后為11eV）。所以那時(shí)減速電壓=-1。

      （5）如此例推，當(dāng)檢測(cè)到KE=1000eV的電子時(shí)（在輸入透鏡之后為1010eV），這個(gè)概念將繼續(xù),所以那時(shí)的減速電壓=-1000。

      （6）通過(guò)執(zhí)行此過(guò)程，我們可以使進(jìn)入分析器的所有電子都相同。

      （7）另外，由于減速電壓是“由軟件提供的”，因此軟件將分別知道在每個(gè)給定的減速電壓下的實(shí)際檢測(cè)KE動(dòng)能，從而Z后給出XPS圖譜。

7.那靜電吸附會(huì)影響光電子的能量分析準(zhǔn)確性？

       會(huì)的，因?yàn)檫@會(huì)影響到樣品上的電荷平衡和逸出電子的動(dòng)能。

8.圖像選點(diǎn)和實(shí)際分析的點(diǎn)會(huì)不會(huì)存在漂移？

       基本不會(huì)。在PHI設(shè)備上，成像影像和分析時(shí)候都是使用完全同一套光路系統(tǒng)，包括X射線分析器到檢出器。

9.UPS的光斑多大，常用的參數(shù)設(shè)置一般有哪些？

       從前設(shè)計(jì)～=1.5x3mm

       Z新PHI設(shè)計(jì)～=1x1mm

10.樣品制備中不建議使用C導(dǎo)電膠帶？?jī)煞N3M導(dǎo)電膠的適用范圍是？

       一般樣品可以使用導(dǎo)電碳膠帶，但是對(duì)于樣品中同時(shí)含有導(dǎo)電成分，又含有不導(dǎo)電成分，可能就會(huì)存在荷電不均勻，譜圖會(huì)出現(xiàn)漂移，對(duì)于這類(lèi)樣品建議用完全絕緣的3M膠帶。

11.壓不壓片、平整度會(huì)影響元素含量嗎？

       如果元素組分是混合均勻的，應(yīng)該不會(huì)影響組分的比例。但是樣品不平整，可能會(huì)影響信號(hào)質(zhì)量。如果含有含量較少的元素，建議壓片制樣。

12.樣品托角度改變了，雙束中和效果會(huì)變化很大嗎？

       改變TOA，對(duì)中和效果影響不大的。

13.怎么保證離子濺射的區(qū)域和分析點(diǎn)區(qū)域是一個(gè)區(qū)域？如果區(qū)域不在一起是不是說(shuō)明五軸樣品臺(tái)位置變了？

       1、工程師對(duì)儀器調(diào)試時(shí)，會(huì)對(duì)電子槍和離子槍束斑位置進(jìn)行調(diào)試，與X射線束斑位置是重合的。

       2、跟樣品臺(tái)沒(méi)有任何關(guān)系，就是離子槍和X-ray的合軸對(duì)中。

14.離子槍是用來(lái)濺射清理的還是用來(lái)中和的?感覺(jué)不需要正電荷中和吧？

       1、中和加濺射，并不是全部情況都需要離子荷電中和的。

       2、雙束中和，正離子是中和樣品表面分析區(qū)域以外的負(fù)電荷。

15.對(duì)于不導(dǎo)電曲面，是不是可能中和效果差了？中和時(shí)，離子束和電子束束斑可調(diào)嗎？還是固定的？

       中和時(shí)束斑固定的不可調(diào)。

16.您所說(shuō)的曲面是指微球樣品嗎，直徑一般是多少？

       直徑只有10mm的環(huán)；

       這個(gè)尺寸應(yīng)該足夠大了，對(duì)于100um的光斑區(qū)域，可以認(rèn)為是平面，中和也是沒(méi)有問(wèn)題的。

17.對(duì)于導(dǎo)電性未知的樣品，在選點(diǎn)和測(cè)試時(shí)都建議打開(kāi)雙束中和的吧？

       是的。

為期四天的“PHI CHINA表面分析技術(shù)網(wǎng)絡(luò)講堂之光電子能譜ZT”已于昨日（2月14日）落下帷幕。本期ZTZ后一課由PHI CHINAZS售后工程師辛國(guó)強(qiáng)先生主講，主題為“關(guān)于光電子能譜的實(shí)驗(yàn)技術(shù)”。

作為行業(yè)ZS技術(shù)專(zhuān)家，辛國(guó)強(qiáng)先生同與會(huì)者分享了譜儀器硬件、軟件的基本操作以及日常維護(hù)所需的注意事項(xiàng)。在分享后的在線答疑環(huán)節(jié)，他憑借自己多年客服工作積累的豐富經(jīng)驗(yàn)，針對(duì)與會(huì)者提出的實(shí)操中的各種問(wèn)題提供了翔實(shí)的解答，為本輪網(wǎng)絡(luò)課堂ZT活動(dòng)劃下wan美句點(diǎn)。

停工不停業(yè)，服務(wù)不打烊。PHI CHINA團(tuán)隊(duì)將繼續(xù)秉持初心，一如既往地為廣大用戶和合作伙伴提供優(yōu)質(zhì)、專(zhuān)業(yè)的服務(wù)。我們將為大家開(kāi)展更加豐富精彩的網(wǎng)路課程，在此我們歡迎關(guān)注PHI CHINA的各位新老朋友積極參與互動(dòng)，如果對(duì)于網(wǎng)絡(luò)講堂ZT活動(dòng)有相關(guān)意見(jiàn)和建議，也歡迎在文末或公眾號(hào)后臺(tái)留言告訴我們。

問(wèn)題1：膜厚大于6nm，XPS能檢測(cè)到嗎？

解答：XPS是表面分析技術(shù)，通常檢測(cè)深度定義為對(duì)應(yīng)出射光電子動(dòng)能在相應(yīng)材料中的非彈性平均自由程（λ）的3倍。 XPS的探測(cè)深度也取決于所測(cè)試的材料，對(duì)于金箔樣品的探測(cè)深度大約是5 nm，而對(duì)Si樣品的探測(cè)深度大約為9 nm。XPS對(duì)于具體材料的探測(cè)深度可以通過(guò)查詢IMFP數(shù)據(jù)，根據(jù)3λ估算探測(cè)深度。

問(wèn)題2：俄歇譜圖中LMM是什么意思？

解答：俄歇電子是由于原子中的電子被X射線激發(fā)后，在退激發(fā)過(guò)程而產(chǎn)生的次級(jí)電子。XPS測(cè)試中X射線將在原子殼層中的電子激發(fā)成自由電子，會(huì)產(chǎn)生電子空穴后而處于激發(fā)態(tài)。退激發(fā)過(guò)程中處于高能級(jí)的電子可以躍遷到這一空位同時(shí)釋放能量，當(dāng)釋放的能量傳遞到另一層的一個(gè)電子，這個(gè)電子就可以脫離原子出射成為俄歇電子。對(duì)于LMM俄歇電子如圖所示：原子中一個(gè)L層電子被入射X射線激發(fā)成自由電子后，M層的一個(gè)電子躍遷入L層填補(bǔ)空位，此時(shí)多余的能量被另一個(gè)M層電子吸收產(chǎn)生二次電子，相應(yīng)的俄歇電子標(biāo)記為LMM。

問(wèn)題3：功函數(shù)的應(yīng)用是啥？

解答：功函數(shù)的定義是費(fèi)米能級(jí)處的電子從樣品表面逃逸出來(lái)，進(jìn)入真空成為自由電子所需要克服的勢(shì)壘，通常也稱作逸出功。功函數(shù)是半導(dǎo)體光電器件和光催化等領(lǐng)域中非常重要的參數(shù)，與器件/材料的性能密切相關(guān)，

問(wèn)題4：Mapping采譜時(shí)間？

解答：Mapping譜圖是由多個(gè)像素點(diǎn)組成，每個(gè)像素點(diǎn)都包含一張譜圖，例如本次講解的Mapping譜圖是由256x256個(gè)像素點(diǎn)組成，共計(jì)65K個(gè)像素點(diǎn)。在本次測(cè)試中，能量分析器采用128通道非掃描模式進(jìn)行采集Mapping譜圖，對(duì)于含量較高的C/O/F元素譜圖，采集時(shí)間分別為8分鐘，而對(duì)于含量較低的S/Pt元素譜圖，采集時(shí)間分別為16分鐘。一個(gè)質(zhì)量較好的Mapping譜圖的采集時(shí)長(zhǎng)會(huì)有多個(gè)因素影響，包括采集元素的類(lèi)別/含量、X射線光斑尺寸/功率和Frame次數(shù)等參數(shù)，在采譜參數(shù)設(shè)定好后，Smartsoft軟件會(huì)給出預(yù)估時(shí)間。

問(wèn)題5.怎么把擬合結(jié)果應(yīng)用到譜圖里面？用的什么軟件？

解答：Mapping譜圖由多個(gè)像素點(diǎn)組成，每個(gè)像素點(diǎn)都包含一張譜圖，通過(guò)MultiPak軟件可回溯分析特定元素成像中每個(gè)像素點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的化學(xué)態(tài)譜圖，對(duì)于譜圖擬合可以通過(guò)多種分析方法進(jìn)行擬合，包括常用的Curve fitting、LLS方法和TFA方法，在第三節(jié)數(shù)據(jù)處理的課程中會(huì)有相關(guān)內(nèi)容的詳細(xì)講解，請(qǐng)關(guān)注。

問(wèn)題6. 這個(gè)系統(tǒng)學(xué)習(xí)是在分析化學(xué)嗎？

解答：有些學(xué)校的分析化學(xué)課程可能會(huì)涉及部分表面分析技術(shù)。目前很多高校開(kāi)設(shè)的課程，如材料分析、波譜能譜分析和儀器分析等課程可能包含有關(guān)XPS的內(nèi)容。另外，有很多參考書(shū)籍也有XPS內(nèi)容，可以自行學(xué)習(xí)。

問(wèn)題7. 我之前看資料，說(shuō)費(fèi)米能級(jí)在0 eV，這是因?yàn)樾?zhǔn)過(guò)嗎？

解答：在本次課程中所展示的金的UPS譜圖是施加-9V偏壓后測(cè)試所得到的，所以在偏壓的作用下，整個(gè)UPS譜圖會(huì)有相應(yīng)的偏移，如果對(duì)偏壓進(jìn)行校準(zhǔn)，費(fèi)米能級(jí)會(huì)校準(zhǔn)到結(jié)合能為0 eV處。

問(wèn)題8：第20頁(yè)PPT，X-ray作用深度可達(dá)um級(jí)別，但Z終檢測(cè)nm級(jí)別，為什么呢？由于網(wǎng)絡(luò)問(wèn)題，這中間的介紹沒(méi)聽(tīng)到～

解答：XPS是基于光電效應(yīng)的一種表面分析技術(shù)，其中X-ray激發(fā)原子中的芯能級(jí)電子，可以通過(guò)檢測(cè)出射的光電子得到XPS譜圖。對(duì)于軟X射線，其在固體中的穿透深度可以達(dá)到um級(jí)別，但是出射電子受限于較小的非彈性平均自由程，通常只有表面10nm以內(nèi)光電子會(huì)在沒(méi)有能量損失的情況下而被檢測(cè)到，所以XPS是一種表面靈敏的分析技術(shù)。

問(wèn)題9：第56頁(yè)PPT，UPS測(cè)試的功函數(shù)計(jì)算，按公式應(yīng)該是5.31，為什么是4.14？

解答：在本例測(cè)試中，樣品是半導(dǎo)體材料，計(jì)算得到的5.31eV對(duì)應(yīng)于電離勢(shì)，4.14 eV對(duì)應(yīng)于功函數(shù)，具體計(jì)算公式如下：

問(wèn)題10：刻蝕后，計(jì)算膜厚的公式是固定的么？

解答：在通過(guò)刻蝕進(jìn)行的深度分析中，膜厚是一個(gè)比較復(fù)雜的問(wèn)題。通常會(huì)采用標(biāo)準(zhǔn)樣品如SiO2對(duì)儀器刻蝕所用的離子槍標(biāo)定刻蝕速率，有時(shí)會(huì)用刻蝕速率乘以刻蝕時(shí)間進(jìn)行計(jì)算刻蝕深度。但是刻蝕實(shí)驗(yàn)中的材料的組分非常復(fù)雜，即使同樣的刻蝕參數(shù)，實(shí)際的刻蝕速率會(huì)有很大的差別，所以通常的深度分析會(huì)更加關(guān)注隨刻蝕深度增加，元素組分/化學(xué)態(tài)的變化趨勢(shì)?？涛g后的實(shí)際膜厚測(cè)量也可以采用表面輪廓儀或AFM設(shè)備，通過(guò)測(cè)量濺射刻蝕坑得到相對(duì)真實(shí)的濺射速率，然后校準(zhǔn)厚度值。

        3月6日,隨著Z后一堂課程的完成，“PHI CHINA表面分析技術(shù)網(wǎng)絡(luò)講堂之光電子能譜ZT”圓滿落下帷幕。

        在這個(gè)特殊的時(shí)期，為了讓廣大師生更好地掌握關(guān)于表面分析技術(shù)中常用的光電子能譜技術(shù)并利用MultiPak軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，PHI CHINA打破了往年常規(guī)的現(xiàn)場(chǎng)培訓(xùn)模式，首次開(kāi)啟了網(wǎng)絡(luò)直播課程，使不同地區(qū)的師生及客戶通過(guò)居家在線學(xué)習(xí)的方式積極參與到PHI CHINA的培訓(xùn)課程中來(lái)。

       從2月20日起,歷時(shí)三周，以“ZT授課+答疑交流”為原則，以“理論+實(shí)踐”為基礎(chǔ)，PHI CHINA專(zhuān)業(yè)講師在線相繼開(kāi)授了XPS基本原理&技術(shù)特點(diǎn)&應(yīng)用、UPS/LEIPS基本原理&技術(shù)特點(diǎn)&應(yīng)用、光電子能譜譜儀功能結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)、樣品制備&傳輸操作和數(shù)據(jù)采集注意事項(xiàng)、MultiPak軟件數(shù)據(jù)處理等課程，為聽(tīng)眾們?cè)敿?xì)剖析了光電子能譜知識(shí)。在每一堂網(wǎng)絡(luò)課程中,講師還設(shè)立了專(zhuān)門(mén)的答疑環(huán)節(jié)，讓大家能夠了解得更加透徹,提升學(xué)習(xí)效率。該系列培訓(xùn)課程受到了師生、客戶的廣泛關(guān)注和一致好評(píng)。

       本次線上講堂不僅創(chuàng)新了學(xué)習(xí)方式，還解決了防疫期間不宜集中學(xué)習(xí)的難題,實(shí)現(xiàn)了居家學(xué)習(xí)兩不誤，同時(shí)也鞏固和提升了大家的專(zhuān)業(yè)知識(shí),取得了良好的效果。在此，PHI CHINA誠(chéng)摯感謝廣大師生、客戶以及辛勤付出的培訓(xùn)講師對(duì)于此次網(wǎng)絡(luò)課堂的全力支持和參與。今后，PHI CHINA還將不斷創(chuàng)新服務(wù)模式，舉辦更多培訓(xùn)和交流活動(dòng)，為廣大師生、客戶做好服務(wù)。也希望關(guān)注PHI CHINA的諸位朋友都能在防疫期間保護(hù)好自己及家人的身體健康，讓我們共同期待春天的來(lái)臨！

       如有任何培訓(xùn)及技術(shù)交流方面的需求,歡迎大家在文末和后臺(tái)留言。

PHI CHINA溫馨提示

3月11日-13日將開(kāi)講

“俄歇電子能譜ZT”

       在2020年2月15日發(fā)布的“PHI CHINA 表面分析技術(shù)網(wǎng)絡(luò)講堂之光電子能譜ZT（4）”后，陸續(xù)收到老師們的反饋，其中有老師就第三課"俄歇峰和振激峰有什么區(qū)別"的解答部分給出了一些專(zhuān)業(yè)的建議，指出了我們理論上的不足之處。PHI CHINA秉持科學(xué)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膽B(tài)度，特此為該問(wèn)題的解答做出更正。更正如下：

Q:俄歇峰和振激峰有什么區(qū)別嗎？

A：

（1） Shake-up/Shake-off震激/震離峰

       在光電發(fā)射中，由于內(nèi)殼層形成空位，原子ZX電位發(fā)生突然變化將引起價(jià)帶層電子的躍遷。

       如圖1所示：

       震激：價(jià)帶電子向未占有電子軌道躍遷（也就是向?qū)кS遷）

       震離：價(jià)帶電子向真空能級(jí)躍遷，變成自由電子，造成的能量消耗和損失（對(duì)應(yīng)的光電子能量下降，結(jié)合能在高位），但震離不明顯（需要損失更高能量才能發(fā)生）；

       通常過(guò)渡金屬氧化物、稀土元素都有比較特征的震激譜峰，對(duì)研究分子結(jié)構(gòu)有價(jià)值。

圖1 Shake-up lines震激峰產(chǎn)生原理

（二價(jià)氯化銅、聚苯乙烯、氧化銅、硫酸銅的震激峰）

圖2 震激峰示例

（二價(jià)氯化銅、聚苯乙烯、氧化銅、硫酸銅的震激峰）

（2）俄歇峰產(chǎn)生的原理：

       在光子激發(fā)原子產(chǎn)生光電子后，其原子變成激發(fā)態(tài)離子。激發(fā)態(tài)離子是不穩(wěn)定的，會(huì)產(chǎn)生退激發(fā)（能量馳豫）。光電子出射后產(chǎn)生電子空穴，外層電子向空穴躍遷填補(bǔ)空穴會(huì)釋放能量，此能量被次外層電子獲得，就可以克服軌道的束縛逃逸出去，那這個(gè)逃逸出去的電子就是俄歇電子（如圖3）。在多種退激發(fā)過(guò)程中，Z常見(jiàn)的就是俄歇電子的躍遷，因此在XPS圖譜中必然有俄歇譜峰（如圖4）。

       其原理與電子束激發(fā)的俄歇譜相同，僅是激發(fā)源不同。

圖3 俄歇電子產(chǎn)生的原理

圖4 XPS圖譜中的俄歇譜峰：Cu全譜中的CuLMM俄歇譜峰

感謝老師們的反饋，也希望今后能繼續(xù)關(guān)注與支持PHI CHINA,我們相互學(xué)習(xí)、共同探討與提高。

       PHI CHINA在2020年3月19日至26日開(kāi)辦的“PHI CHINA表面分析技術(shù)網(wǎng)絡(luò)講堂之飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS）ZT”講座圓滿落下帷幕。

       本期TOF-SIMSZT網(wǎng)絡(luò)講堂進(jìn)行了理論知識(shí)講解、并結(jié)合實(shí)際案例分享了實(shí)驗(yàn)技術(shù)內(nèi)容。

       從3月19日起，分別由PHI CHINAZS應(yīng)用專(zhuān)家魯?shù)馒P女士和主任工程師辛國(guó)強(qiáng)先生為大家系統(tǒng)、深入地講解了TOF-SIMS的基本原理、硬件及儀器功能的相關(guān)理論知識(shí)，同時(shí)邀請(qǐng)了ULVAC-PHI原廠應(yīng)用科學(xué)家張薰勻博士為大家講解了TOF-SIMS在樣品制備、測(cè)試和分析的實(shí)驗(yàn)技術(shù)內(nèi)容。參加課程的老師和同學(xué)們?cè)谥辈テ脚_(tái)和微信交流群內(nèi)積極留言和反饋，講課老師在每一節(jié)課程的Z后進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)答疑。

       PHI CHINA始終秉持為廣大客戶提供Z優(yōu)質(zhì)服務(wù)的初心！在這特殊的抗疫時(shí)期，PHI CHINA通過(guò)創(chuàng)新的學(xué)習(xí)方式，為大家?guī)?lái)多場(chǎng)知識(shí)和技術(shù)分享交流的盛宴，從2月11日開(kāi)課到3月26日結(jié)課，共舉辦了XPS、AES和TOF-SIMS三個(gè)ZT講座，總計(jì)18節(jié)課程。至此，PHI CHINA表面分析技術(shù)網(wǎng)絡(luò)講堂系列課程就告一段落了！

       在此，感謝廣大客戶以及來(lái)自百余所高校和科研院所的千余名師生積極的支持以及給予我們的鼓勵(lì)。春已暖，花已開(kāi)，PHI CHINA將會(huì)繼續(xù)努力，為大家?guī)?lái)更加精彩的技術(shù)交流活動(dòng)，請(qǐng)持續(xù)關(guān)注我們！

       PHI CHINA表面分析技術(shù)網(wǎng)絡(luò)講座已經(jīng)成功開(kāi)辦了三期，感謝廣大客戶及師生一直以來(lái)的關(guān)注及支持。為了將更多更好的技術(shù)分享給大家，本周將開(kāi)展“飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS）”ZT講座。

       飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀（Time of Flight-Secondary Ion Mass Spectrometer 簡(jiǎn)稱ToF-SIMS），使用初級(jí)脈沖離子入射固體材料表面，通過(guò)探測(cè)表面激發(fā)出的二次離子的飛行時(shí)間分辨其質(zhì)量，以表征材料表面的元素成分、分子結(jié)構(gòu)、分子鍵接等信息。

01 3月19日15:00

PHI CHINAZS應(yīng)用專(zhuān)家魯?shù)馒P

TOF-SIMS基本原理、主要功能和應(yīng)用

1、SIMS的基本原理（包括D-SIMS和TOF-SIMS）；

2、TOF-SIMS的主要功能；

3、TOF-SIMS在材料分析中的主要應(yīng)用。

02 3月20日15:00

PHI CHINA主任工程師辛國(guó)強(qiáng)

TOF-SIMS硬件簡(jiǎn)介、儀器功能及特性

1、TOF-SIMS儀器結(jié)構(gòu)及其功能；

2、TRFIT能量分析器原理；

3、LMIG離子槍原理；

4、深度剖析離子槍?zhuān)?/span>

5、PHI NanoTOF II特性。

03 時(shí)間待定

ULVAC-PHI原廠應(yīng)用科學(xué)家張熏勻

TOF-SIMS的樣品制備、測(cè)試和分析過(guò)程演示以及數(shù)據(jù)分析

1、不同樣品不同測(cè)試需求的樣品制備；

2、樣品測(cè)試和分析過(guò)程的演示；

3、如何使用軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)分析（圖譜解析、MAPPING、深度剖析曲線&3D成像等）。

       本次為期三天的講座將以網(wǎng)絡(luò)直播結(jié)合現(xiàn)場(chǎng)答疑的方式進(jìn)行，由PHI CHINAZS專(zhuān)家及ULVAC-PHI原廠應(yīng)用科學(xué)家共同為您解析TOF-SIMS系列別樣的精彩。疫情尚未結(jié)束，學(xué)習(xí)不能止步。歡迎掃描下方公眾號(hào)二維碼，回復(fù)網(wǎng)絡(luò)講堂進(jìn)行報(bào)名。請(qǐng)繼續(xù)關(guān)注我們，更多的干貨和技術(shù)分享，敬請(qǐng)期待。

1. OLED各元素在不同層的分布的那張圖是直接可以得到還是要通過(guò)定量處理？

回復(fù)：請(qǐng)參考以下這張圖：首先說(shuō)明一下是選用不同組分的特征離子（右圖）表征不同膜層組分的深度分布，橫坐標(biāo)是通過(guò)濺射時(shí)間和濺射速率換算的厚度坐標(biāo)，如果直接得到的是時(shí)間軸；縱坐標(biāo)是譜峰的強(qiáng)度（直接測(cè)試采譜，從譜峰強(qiáng)度面積積分得到），假定整個(gè)有機(jī)膜層基體效應(yīng)相當(dāng)?shù)那闆r下，可以用譜峰強(qiáng)度的變化表征成分的含量變化，從而區(qū)分不同膜層的主要成分組成。

2. 不會(huì)撞到其他離子嗎？

回復(fù)：當(dāng)然不會(huì)了，進(jìn)入CID之前，二次離子已經(jīng)分開(kāi)了，只有質(zhì)量選擇器選擇的離子才可以進(jìn)入CID產(chǎn)生碰撞。

3.為什么MS2的質(zhì)量分辨率不受MS1影響？

回復(fù)：MS1中的前驅(qū)體，在MS2中相當(dāng)于一個(gè)樣品，需要再次裂解，而裂解過(guò)程在MS2中進(jìn)行，且MS2是獨(dú)立的質(zhì)譜儀，其分辨率由本身性能決定。

4. 只有MS1可以匹配出化學(xué)結(jié)構(gòu)嗎？

回復(fù)：MS1采集的質(zhì)譜是表面所有組分產(chǎn)生的二次離子質(zhì)譜圖，如果表面成分復(fù)雜得到的MS1質(zhì)譜圖就會(huì)比較復(fù)雜，除了一些比較小的原子離子和分子離子比較容易進(jìn)行定性判定，質(zhì)量數(shù)大于m/z 200的很難匹配出準(zhǔn)確的化學(xué)結(jié)構(gòu)；因此需要配置串聯(lián)質(zhì)譜MS/MS，即可以單獨(dú)挑出某個(gè)特征大分子離子進(jìn)行解離，得到MS2質(zhì)譜圖，MS2圖譜中的譜峰都屬于這個(gè)特征大分子離子的子離子碎片，等于純化了分析數(shù)據(jù)，因此很容易通過(guò)一些標(biāo)準(zhǔn)的質(zhì)譜數(shù)據(jù)庫(kù)匹配出MS2圖譜對(duì)應(yīng)的化學(xué)物質(zhì)或分子結(jié)構(gòu)。

5. 測(cè)試前如何判斷有機(jī)大分子可能的分裂情況？

回復(fù)：如果是測(cè)試未知組分，測(cè)試前是不能判斷分子的分裂情況的；如果是已知有機(jī)組分，可以根據(jù)分子結(jié)構(gòu)特征和一些已有經(jīng)驗(yàn)（來(lái)自對(duì)一些已知有機(jī)材料的圖譜分析得來(lái)）判斷可能產(chǎn)生的離子碎片。

6. 怎么保證MS2是從MS1中選定的特離子？

回復(fù)：可以保證，因?yàn)?span style=" font-family:'Microsoft YaHei';font-size:16px;line-height: 2em;position: relative;">MS2用于分析的離子就是從MS1圖譜中挑選出來(lái)的：分析時(shí)，首先采集表面所有的二次離子，得到MS1圖譜，根據(jù)MS1圖譜里的圖譜信息，挑出特征的precursor ion (前體離子）用于MS2解離和分析。（具體實(shí)現(xiàn)過(guò)程請(qǐng)關(guān)注我們的第二堂課）

7. 橫坐標(biāo)為什么是m/z，而不是m?

回復(fù)：因?yàn)?span style=" font-family:'Microsoft YaHei';font-size:16px;line-height: 2em;position: relative;">TOF-SIMS主要采集的是二次離子（有質(zhì)量和電荷），所以用荷質(zhì)比m/z表示；通常電荷數(shù)是1，所以呈現(xiàn)的數(shù)值與m（質(zhì)量數(shù)）相等，但意義不同。

8.  300—500nm的晶?？唇M分分布，分辨率如何？大面積收集的信號(hào)量多吧？

回復(fù)：TOF-SIMS的空間分辨率是70納米（高空間分辨模式下），如果是在HR2模式下，即Z好的質(zhì)量分辨率下（m/?m@10000左右），空間分辨率是百納米左右（與樣品相關(guān)）。所以如果測(cè)試300-500nm的晶粒組分，晶粒分散在導(dǎo)電基底上，是可以用TOF-SIMS微區(qū)定點(diǎn)到單顆粒上進(jìn)行采譜分析。

無(wú)論是微區(qū)分析還是大面積分析都是采用聚焦離子源在表面掃描，激發(fā)信號(hào)強(qiáng)度相當(dāng)。

9.與其他儀器聯(lián)用如何保證同個(gè)區(qū)域

回復(fù)：目前PHI TOF-SIMS 沒(méi)有與其它儀器聯(lián)用的案例。如果客戶自己安排不同的表面分析測(cè)試（SEM/ XPS/ TOF-SIMS等），Z好以對(duì)特征區(qū)域的成像（光學(xué)成像、二次電子成像、離子成像等）判斷和定位分析區(qū)域，以保證分析發(fā)生在同一區(qū)域。

10. 藥片截面如何制備？

回復(fù)：因?yàn)橹苽浣孛婊蚱拭娴臅r(shí)候Z怕引入新的污染或造成交叉污染，Z好采用離子束剖面切割（CP: Cross section polisher）來(lái)制備樣品。

11. 我做的小面積mapping沒(méi)有大面積清晰，為什么？

回復(fù)：如果分析條件（參數(shù)）設(shè)置相同，無(wú)論是大面積和小面積MAPPING空間分辨率是相同的。只是小面積下（更高的放大倍率下）更容易看出空間分辨的實(shí)際能力，其對(duì)更微區(qū)特征區(qū)域的分辨能力，如果高放大倍率下，分析特征已經(jīng)接近設(shè)備的空間分辨尺度，那圖像呈現(xiàn)就會(huì)看起來(lái)不清晰。

12. 對(duì)于有機(jī)無(wú)機(jī)摻雜的材料，串聯(lián)質(zhì)譜是要做預(yù)實(shí)驗(yàn)確定要分析的大分子嗎

回復(fù)：對(duì)于有機(jī)無(wú)機(jī)摻雜材料，表面成分的確比較復(fù)雜，所謂預(yù)實(shí)驗(yàn)，也就是用常規(guī)的MS1先進(jìn)行表面所有離子的采集，然后根據(jù)MS1質(zhì)譜圖確定和挑出要用MS2分析的大分子離子。

13. 特定深度2D圖如何選，一般不是都選成區(qū)域？

回復(fù)：在深度剖析的時(shí)候，因每分析一層都會(huì)保存這一層的分析區(qū)域的mapping, 每個(gè)像素點(diǎn)的離子質(zhì)譜圖;

通過(guò)軟件可以回溯特定深度的2D MAPPING圖 （就是根據(jù)特定濺射時(shí)間范圍選擇：對(duì)應(yīng)深度），所呈現(xiàn)的就是特定深度所分析區(qū)域的Mapping, 詳細(xì)操作步驟請(qǐng)關(guān)注第三課數(shù)據(jù)處理的課程。

14. 單顆粒深度剖析如何比如直徑2um能實(shí)現(xiàn)嗎？

回復(fù)：根據(jù)TOF-SIMS的現(xiàn)有能力，對(duì)于直徑2um的單顆粒是可以嘗試進(jìn)行深度剖析的，當(dāng)然也要看基體效應(yīng)影響。

15. 有機(jī)無(wú)機(jī)摻雜，能分析嗎？

回復(fù)：TOF-SIMS對(duì)有機(jī)無(wú)機(jī)材料都有很好的表征能力，當(dāng)有機(jī)無(wú)機(jī)摻雜濃度在TOF-SIMS 檢出限能力所及的條件下是可以進(jìn)行分析的。如果摻雜濃度太低（ppb-ppt）, 那需要用D-SIMS進(jìn)行分析。

16. 二次離子在飛行管道中只用跑一圈就能分開(kāi)嗎？

回復(fù)：當(dāng)然可以分開(kāi)。

17. 可分析有hole樣品，樣品臺(tái)可各方向旋轉(zhuǎn)？

回復(fù)：五軸樣品臺(tái)可旋轉(zhuǎn)和傾斜，也有特殊傾斜樣品托適合用于Hole樣品分析，見(jiàn)下圖：

18. 結(jié)構(gòu)解離情況與激發(fā)離子源有關(guān)嗎？

回復(fù)：解離產(chǎn)生特征的原子離子和分子離子與結(jié)構(gòu)本身有很大關(guān)系，但產(chǎn)生的二次離子產(chǎn)額除了與基體效應(yīng)相關(guān)，的確與激發(fā)離子源有關(guān)。比如現(xiàn)在分析源用Bi源，可以采用Bi單原子離子和團(tuán)簇離子源，如果采用單原子離子激發(fā)出的二次離子中原子離子和小分子離子產(chǎn)額高，而大分子離子產(chǎn)額低，而采用Bi團(tuán)簇離子源入射則會(huì)提高大分子離子產(chǎn)額。

19. 怎樣解決depth profile過(guò)程中采譜位置漂移的問(wèn)題？

回復(fù)：跟樣品導(dǎo)電性相關(guān)，如果樣品導(dǎo)電性不好的，請(qǐng)使用PHI提供的mask及Grid等輔助導(dǎo)電增強(qiáng)的樣品托配件。

20. pulse寬為何空間分辨率高？

回復(fù)：見(jiàn)下圖，脈沖長(zhǎng)度寬，時(shí)間差長(zhǎng)（質(zhì)量分辨率差），但束斑直徑可以聚焦到Z好，束斑越小，空間分辨率越高。

21. profile波動(dòng)，什么叫選擇性濺射？

回復(fù)：濺射離子源與樣品表面材料相互作用，對(duì)不同的原子或分子有不同的作用機(jī)理以及剝離速率，有些原子比較容易被濺射移除，有些原子又很難被剝離，同一離子源對(duì)表面同一表面但不同成分作用程度有差異，造成擇優(yōu)濺射。

22. depth profile采譜過(guò)程中，采譜位置容易發(fā)生漂移，有什么比較好的方法可以解決這個(gè)問(wèn)題？Depth面積是400*400um，采譜面積是30*30um

回復(fù)：跟樣品導(dǎo)電性相關(guān)，如果樣品導(dǎo)電性不好的，請(qǐng)使用PHI提供的mask及Grid等輔助導(dǎo)電增強(qiáng)的樣品托配件。

23. 同問(wèn)：同一個(gè)區(qū)域在正負(fù)離子切換時(shí)，采譜位置也容易發(fā)生偏移。樣品導(dǎo)電性一般，表面是SiO，下面是Cu

回復(fù)：跟樣品導(dǎo)電性相關(guān)，如果樣品導(dǎo)電性不好的，請(qǐng)使用PHI提供的mask及Grid等輔助導(dǎo)電增強(qiáng)的樣品托配件。

24. ESA 1 2 3 然后收到訊號(hào)，跑了一圈， 可以跑兩圈么？如果可以有什么效果么？

回復(fù)： 首先沒(méi)有跑一圈，只跑了3/4圈。不可以跑兩圈，如果可以的話，可以改善質(zhì)量分辨率。

25. ppm什么意思？

回復(fù)：parts per million. 百萬(wàn)分之一

26.掃描面積多大？ 

回復(fù)：離子束掃描面積一般可以到600X600um，如果配合樣品臺(tái)一起掃描的話，可以掃描整個(gè)樣品臺(tái)的范圍。

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隨著科學(xué)技術(shù)的不斷革新，先進(jìn)的表面分析技術(shù)已經(jīng)成為材料、能源、催化、微電子、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)以及鋼鐵工業(yè)等領(lǐng)域研究表面特性所必需的實(shí)驗(yàn)技術(shù)。為積極推動(dòng)表面分析應(yīng)用技術(shù)的發(fā)展，促進(jìn)表面分析技術(shù)與其它學(xué)科的融合，更好地結(jié)合表面分析技術(shù)解決問(wèn)題，同時(shí)加強(qiáng)同行之間交流與合作，PHI CHINA將在3月下旬開(kāi)展用戶線上交流會(huì)， 此次特別邀請(qǐng)了我們具有豐富測(cè)試經(jīng)驗(yàn)的用戶老師們，給大家?guī)?lái)XPS\AES\TOF-SIMS等在分析測(cè)試的應(yīng)用及案例分享，絕.對(duì)干貨滿滿！具體日程請(qǐng)看下方海報(bào)：

6月9日，“PHI CHINA 2023年表面分析應(yīng)用與技術(shù)交流會(huì)暨北京分會(huì)”于北京理工大學(xué)成功召開(kāi)。本次會(huì)議由北京理工大學(xué)材料學(xué)院先進(jìn)材料實(shí)驗(yàn)中心、北京理化分析測(cè)試學(xué)會(huì)表面分析技術(shù)委員會(huì)、PHI CHINA 高德英特（北京）科技有限公司聯(lián)合主辦，北京理工大學(xué)分析測(cè)試中心、北京理工大學(xué)物理學(xué)院共同協(xié)辦。

會(huì)議邀請(qǐng)了北京理工大學(xué)、清華大學(xué)、中科院以及 ULVAC-PHI 的專(zhuān)家、教授分享學(xué)術(shù)報(bào)告，旨在推動(dòng)表面分析應(yīng)用技術(shù)的發(fā)展，助推表面分析技術(shù)與其它學(xué)科的融合，促進(jìn)表面分析新方法、新技術(shù)的推廣和應(yīng)用。

與會(huì)人員合影

嘉賓致開(kāi)幕詞

北京理工大學(xué)材料學(xué)院 劉艷副院長(zhǎng)（左上）

北京理工大學(xué)資產(chǎn)與實(shí)驗(yàn)室管理處 郭宏偉副處長(zhǎng)（右上）

北京理工大學(xué)材料學(xué)院 陳鵬萬(wàn)院長(zhǎng)（左下）

北京理工大學(xué)分析測(cè)試中心 彭紹春主任（右下）

會(huì)議詳情

大會(huì)專(zhuān)家們對(duì)表面分析技術(shù)的深刻理解與詳盡分析讓參會(huì)者受益良多，會(huì)議在熱烈的掌聲中完 美落幕。非常感謝前來(lái)參會(huì)的老師同學(xué)們，未來(lái)我們會(huì)陸續(xù)舉辦更多的交流、研討會(huì)議，期待再次的會(huì)面！

END

*在此感謝北京理工大學(xué)宋廷魯老師對(duì)本次會(huì)議的支持/《X射線光電子能譜數(shù)據(jù)分析》 

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為積極推動(dòng)表面分析應(yīng)用技術(shù)的發(fā)展，促進(jìn)表面分析技術(shù)與其它學(xué)科的融合，更好地結(jié)合表面分析技術(shù)解決問(wèn)題，同時(shí)加強(qiáng)同行之間交流與合作，展示相關(guān)的新成就、新進(jìn)展，PHI CHINA將在2023年3月30日在西安舉辦“2023年表面分析應(yīng)用與技術(shù)交流會(huì)暨西安分會(huì)”。

PHI CHINA熱忱歡迎廣大專(zhuān)家學(xué)者和科研人員積極參與會(huì)議，分享、交流、學(xué)習(xí)、創(chuàng)新。

主辦單位

高德英特（北京）科技有限公司、西北大學(xué)

會(huì)議時(shí)間地址

2023年3月30日

西安-西北大學(xué)

參會(huì)報(bào)名

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會(huì)務(wù)組聯(lián)系方式

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2、吳婷 13167361283

noreen.wu@coretechint.com

費(fèi)用

本次會(huì)議不收取會(huì)務(wù)費(fèi)。參會(huì)人員食宿及交通費(fèi)自理。

會(huì)議日程安排

主講嘉賓介紹