全部評(píng)論(1條)
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- Yu06oe2Y5e4O 2017-04-06 00:00:00
- 這個(gè)不難，只是你沒說清楚要求
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熱門問答
- 51單片機(jī)控制紅外對(duì)管監(jiān)測(cè)水位電路，跪求跪求！?。?
2017-04-05 10:16:31
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- 用51單片機(jī)控制兩路380V 180A的直流電相互切換 跪求思路
- 有兩路直流電每路的容量為380V180A現(xiàn)在要用一個(gè)單片機(jī)控制讓其五分鐘切換依次輪換供電請(qǐng)問我該采用什么樣的切換原件繼電器？或者改采用什么樣的思路呢... 有兩路直流電 每路的容量為380V 180A 現(xiàn)在要用一個(gè)單片機(jī)控制讓其五分鐘切換依次 輪換供電 請(qǐng)問我該采用什么樣的切換原件 繼電器？或者改采用什么樣的思路呢 展開
2014-08-20 05:13:03
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- 跪求這段單片機(jī)信號(hào)發(fā)生器的英文翻譯!
- 馬上就要要好急啊我不會(huì)哪位大俠能翻譯一下謝謝謝謝謝謝近年來，單片微型計(jì)算機(jī)以其強(qiáng)大的生命力飛速發(fā)展，在工業(yè)控制、智能儀器儀表、智能化設(shè)備和家用電器等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，... 馬上就要要 好急啊 我不會(huì) 哪位大俠能翻譯一下 謝謝謝謝謝謝 近年來，單片微型計(jì)算機(jī)以其強(qiáng)大的生命力飛速發(fā)展，在工業(yè)控制、智能儀器儀表、智能化設(shè)備和家用電器等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，因而引起了各行各業(yè)的極大關(guān)注，有著廣闊的發(fā)展前景。論文設(shè)計(jì)的是一個(gè)單片機(jī)控制多功能信號(hào)發(fā)生器。其設(shè)計(jì)目的是使學(xué)生通過這一實(shí)踐環(huán)節(jié)，增強(qiáng)單片機(jī)擴(kuò)展接口設(shè)計(jì)及其實(shí)際應(yīng)用能力。本系統(tǒng)的軟件可運(yùn)行于DOS及Windows系列操作系統(tǒng)平臺(tái)。完成的主要功能設(shè)計(jì)有：?jiǎn)纹瑱C(jī)所需平穩(wěn)電壓的獲得，8K字節(jié)固化程序存儲(chǔ)能力，七段數(shù)碼顯示器，3×4的12位矩陣鍵盤，波形產(chǎn)生與電壓變換功能，具有8位精度的D/A轉(zhuǎn)換功能，時(shí)鐘電路與復(fù)位電路以及完成相關(guān)的軟件設(shè)計(jì)。本系統(tǒng)以8031單片機(jī)為核心，配置相應(yīng)的外圍接口電路，用匯編語(yǔ)言開發(fā)，組成的一個(gè)單片機(jī)控制多功能信號(hào)發(fā)生器。硬件電路設(shè)計(jì)包括三部分內(nèi)容：一是電源部分設(shè)計(jì)；二是系統(tǒng)擴(kuò)展，即單片機(jī)內(nèi)部的功能單元（如ROM、I/O、定時(shí)/計(jì)數(shù)器、中斷系統(tǒng)等）容量不能滿足應(yīng)用系統(tǒng)要求時(shí)，必須進(jìn)行片外擴(kuò)展，選擇適當(dāng)芯片，設(shè)計(jì)適當(dāng)電路；三是系統(tǒng)配置，即按照功能要求配置外圍設(shè)備，如鍵盤、D/A轉(zhuǎn)換等。系統(tǒng)中的應(yīng)用軟件是根據(jù)系統(tǒng)的功能要求而設(shè)計(jì)的，可靠地實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)的各種功能要求。 展開
2008-05-19 00:24:13
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- 跪求三光束紅外對(duì)射安裝的注意事項(xiàng)
2011-10-11 12:44:02
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- 跪求電源電路原理圖的分析
2016-06-11 13:20:47
312
1
- GP2Y0A21YK0F紅外測(cè)距傳感器怎樣用怎樣接51單片機(jī)用51控制它
2017-08-06 11:44:06
933
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- 51單片機(jī)如何控制超聲波傳感器 ？
2018-12-04 16:38:54
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- 利用兩對(duì)紅外對(duì)管和51單片機(jī)連接來檢測(cè)室內(nèi)人數(shù)程序
2017-10-18 16:51:35
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- 跪求NDIR紅外氣體分析儀資料，十萬火急!
- 我的碩士論文課題是這方面的，但本人專業(yè)與儀器分析不相關(guān)，所以對(duì)這方面的理論有點(diǎn)欠缺，今年4月就要交學(xué)位論文了，還請(qǐng)各位高人不吝賜教，比如一些資料，或者網(wǎng)站、論壇都行.如有相關(guān)學(xué)位論文供參考更好.小弟先謝謝各位高人了! 我的qq:36140969，E-mail:simple19... 我的碩士論文課題是這方面的，但本人專業(yè)與儀器分析不相關(guān)，所以對(duì)這方面的理論有點(diǎn)欠缺，今年4月就要交學(xué)位論文了，還請(qǐng)各位高人不吝賜教，比如一些資料，或者網(wǎng)站、論壇都行.如有相關(guān)學(xué)位論文供參考更好.小弟先謝謝各位高人了! 我的qq:36140969，E-mail:simple1984@sina.com，或者直接給我回復(fù)也可以. 展開
2018-11-20 21:35:48
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- 跪求單片機(jī)at89c52頻率計(jì)c語(yǔ)言程序
- 還有跪求那個(gè)方波的名字叫神馬~~~
2015-04-23 09:42:30
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- 跪求基于單片機(jī)數(shù)字頻率計(jì)設(shè)計(jì)？（按要求）
- （一）任務(wù) 利用單片機(jī)設(shè)計(jì)并制作簡(jiǎn)易的數(shù)字頻率計(jì)，電路組成框圖如圖所示。 （二）要求 1．基本要求 （1）能測(cè)量10HZ～500KHZ的方波。 （2）利用數(shù)碼管或者液晶顯示器顯示頻率。 （2．?dāng)U展部分（選作） （1）測(cè)量頻率范圍10HZ～2MHZ； ... （一）任務(wù) 利用單片機(jī)設(shè)計(jì)并制作簡(jiǎn)易的數(shù)字頻率計(jì)，電路組成框圖如圖所示。 （二）要求 1．基本要求 （1）能測(cè)量10HZ～500KHZ的方波。 （2）利用數(shù)碼管或者液晶顯示器顯示頻率。 （2．?dāng)U展部分（選作） （1）測(cè)量頻率范圍10HZ～2MHZ； （2）可以測(cè)量正弦波，三角波； （3）聲音播報(bào)頻率值； （4）其它。 展開
2011-05-23 02:35:27
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- 51單片機(jī)通過伺服驅(qū)動(dòng)器控制伺服電機(jī)？
- 我直接用單片機(jī)的4個(gè)引腳分別接伺服驅(qū)動(dòng)器PUL+，PUL-，DIR+，DIR-，然后用單片機(jī)發(fā)送2個(gè)高電平的電壓去控制伺服驅(qū)動(dòng)的PUL+，DIR+，伺服電機(jī)不轉(zhuǎn)動(dòng)，測(cè)得單片機(jī)的這兩個(gè)引腳的電壓為4.7v左右... 我直接用單片機(jī)的4個(gè)引腳分別接伺服驅(qū)動(dòng)器PUL+，PUL-，DIR+，DIR-，然后用單片機(jī)發(fā)送2個(gè)高電平的電壓去控制伺服驅(qū)動(dòng)的PUL+，DIR+，伺服電機(jī)不轉(zhuǎn)動(dòng)，測(cè)得單片機(jī)的這兩個(gè)引腳的電壓為4.7v左右，如果我想控制反向轉(zhuǎn)動(dòng)是不是把PUL-，DIR-設(shè)為低電平輸入就行了呢？請(qǐng)問各位大神我該怎么才能完成控制，我還差那些條件呢，謝謝你們了，我是新手多多指點(diǎn)！謝謝了 展開
2013-11-05 04:43:44
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- 跪求“淺談對(duì)土壤的認(rèn)識(shí)”
2011-05-01 16:04:55
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- 跪求英語(yǔ)翻譯。
- Experiment SiO2 films with a thickness of 300 nm were grown on (100) p-Si substrates， with a resistivity of 4 W cm， using thermal oxidation at 1，000 C， for 90 min. Monte Carlo simulationcode (TRIM) was used to calculate the adequate ene... Experiment SiO2 films with a thickness of 300 nm were grown on (100) p-Si substrates， with a resistivity of 4 W cm， using thermal oxidation at 1，000 C， for 90 min. Monte Carlo simulationcode (TRIM) was used to calculate the adequate energy in order to place the maximum Ge concentration at the middle of the SiO2 film. SiO2 matrices were implanted with Ge74+ ions at RT， with 250 keV energy， using implantation doses of [0.5， 0.8， 1， 2， 3 and 4] · 1016 cm–2. After ion implantation， the samples were annealed at 1，000 C for 1 h in a forming gas atmosphere to precipitate Ge and to form the nanocrystallites. Raman spectra were obtained using a triple grating T- 64000 Jobin-Yvon spectrometer， with 1 cm–1 spectral resolution. The 514 nm line of the argon laser was used to excite the samples. All samples were measured at RT; the laser power on the sample was 9 mW. The diameter of the laser spot was 50 lm and the integration time was 30 min. The resonant Raman spectra were obtained in the backscattering configuration. The orientation of the Si substrate is fundamental to polarize the laser light， allowing the second-order Raman Si peak， at about 300 cm–1， to be suppressed not masking the Raman peaks corresponding to Ge-nc. PL spectra were measured at RT with a 240 nm excitation source， using a Spex Fluoromax spectrometer with a R298 Hamamatsu photomultiplier. Compositional analysis of the SiO2 matrix was carried out using a DIGILAB infra-red Fourier transform spectrometer. The system was purged with dry N2 to reduce the infrared (IR) absorption from H2O and CO2. Transmittance measurements were carried out within the 400– 4，000 cm–1 range at 300 K. The beam spot size was about 5 mm diameter and the resolution was 4 cm–1. In all cases a non-processed Si substrate sample was used as a reference. Results and discussions Figure 1 presents the Raman spectra of the films implanted with various doses [0.5; 0.8; 1; 2; 3; 4] · 1016 cm–2， followed by annealing forming-gas， (92% N2 + 8% H2) at 1，000 C， for 1 h. The position of the peak for bulk Ge was determined at 302.4 cm–1 and this value is used to compare with Ge-nc peaks. The Raman spectra of the implanted samples clearly show three bands: 210–280， 304 and 430 cm–1. The first one， 210–280 cm–1， is associated with amorphous Ge compounds. Such band was expected as the samples have been annealed at 1，000 C， therefore above the Ge melting temperature (938.3 C) [10]. At this temperature， Ge precipitates as liquid droplets inside a viscous oxide matrix. The second band was near 304 cm–1， and can be associated with Ge-nc. This band is in good agreement with the work reported by Wu et al. [11]. Finally， the third band at 430 cm–1 is related to local Si–Si vibrations [12]. 展開
2018-12-06 19:16:01
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- 水質(zhì)采樣器？？？跪求
- 本人急需水質(zhì)采樣器，好的水質(zhì)采樣器，水質(zhì)采樣器供應(yīng)商，誰知采樣器工廠級(jí)別的，說實(shí)在的只要誰知采樣器性價(jià)比啊，夠高的水質(zhì)采樣器供應(yīng)商，我就喜歡?。?！... 本人急需水質(zhì)采樣器，好的水質(zhì)采樣器，水質(zhì)采樣器供應(yīng)商，誰知采樣器工廠級(jí)別的，說實(shí)在的只要誰知采樣器性價(jià)比啊，夠高的水質(zhì)采樣器供應(yīng)商，我就喜歡?。?！ 展開
2010-08-16 02:24:19
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- 溫濕度傳感器SHT10與51單片機(jī)連接電路
2009-08-08 05:29:07
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- 跪求四川大學(xué)電路與系統(tǒng)的949電路的考試大綱?。。。。。?！
- 去年，前年的大綱都可以！我是江蘇的，只能網(wǎng)上買真題?。?.. 去年，前年的大綱都可以！我是江蘇的，只能網(wǎng)上買真題?。? 展開
2011-10-07 21:55:00
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- 如何用單片機(jī)控制紅外對(duì)管檢測(cè)物體，詳細(xì)點(diǎn)，有圖Z好
2012-11-20 19:53:23
270
2
- 門禁控制軟件怎么與數(shù)據(jù)庫(kù)連接，跪求?。。。。。。。。。?
2010-09-11 14:21:08
360
2
- 51單片機(jī)實(shí)現(xiàn)pwm對(duì)電機(jī)調(diào)速
2018-07-22 09:03:42
466
3
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