1.問：如果樣品本身導電呢？是樣品和樣品托底座之間絕緣？

回復：樣品本身必須導電，否則很難做俄歇測試，而再HERO模式時，樣品并不是接地而是要和樣品托外側絕緣。

1.問：如果樣品本身導電呢？是樣品和樣品托底座之間絕緣？

回復：樣品本身必須導電，否則很難做俄歇測試，而再HERO模式時，樣品并不是接地而是要和樣品托外側絕緣。

9.問：pass energy 是什么？

回復： pass energy是能量分析器允許電子通過時所具備的動能（Kinetic Energy）

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Q：如果樣品本身導電呢？是樣品和樣品托底座之間絕緣？

A：樣品本身必須導電，否則很難做俄歇測試，而在HERO模式時，樣品并不是接地而是要和樣品托外側絕緣。

Q：調制的電壓連續(xù)變化嗎？

A：測試精細譜時，調制電壓不變，儀器在測試一個固定的峰位。

Q：xps里選配的auger是用的什么分析器？

A：半球型（SCA型）。

Q：是樣品和樣品托底座之間絕緣？XPS選配auger用的是SCA？

A：樣品和底座要導電接觸。XPS選配auger半球型（SCA型）。

Q：高分辨測量的時候，調制電壓是連續(xù)變化的，還是對某一范圍能量電子用一個調制電壓？

A：測試精細譜時，調制電壓不變，儀器在測試一個固定的峰位。

Q：HERO分辨率Z高多少？

A：是0.1% 。

Q：SCA分析器實現高能量分辨是通過什么？

A：在FAT（固定通過能）模式下0.5eV,而在俄歇分析模式下（FRR）也是0.1% 。

Q：cma的mcp是裝在什么部位？

A：如下圖Multi-Channel Detector 的位置。

Q：pass energy 是什么？

A：pass energy是能量分析器允許電子通過時所具備的動能（Kinetic Energy）

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今天下午三點

AES樣品制備、數據采集及處理

就等你啦！

簡介

        掃描俄歇納米探針，又稱俄歇電子能譜（Auger Electron Spectroscopy，簡稱AES）是一種表面科學和材料科學的分析技術。根據分析俄歇電子的基本特性得到材料表面元素成分（部分化學態(tài)）定性或定量信息。可以對納米級形貌進行觀察和成分表征。近年來，隨著超高真空和能譜檢測技術的發(fā)展，掃描俄歇納米探針作為一種極為有效的表面分析工具，為探索和研究表面現象的理論和工藝問題，做出了巨大貢獻，日益受到科研工作者的普遍重視。

俄歇電子能譜常常應用在包括半導體芯片成分表征等方向

發(fā)展歷史

        近年來，固體表面分析方法獲得了迅速的發(fā)展，它是目前分析化學領域中最活躍的分支之一。它的發(fā)展與催化研究、材料科學和微型電子器件研制等有關領域內迫切需要了解各種固體表面現象密切相關。各種表面分析方法的建立又為這些領域的研究創(chuàng)造了很有利的條件。在表面組分分析方法中，除化學分析用光電子能譜以外，俄歇電子能譜是最重要的一種。目前它已廣泛地應用于化學、物理、半導體、電子、冶金等有關研究領域中。

        俄歇現象于1925年由P.Auger發(fā)現。28 年以后，J.J.Lander從二次電子能量分布曲線中第一次辨認出俄歇電子譜線， 但是由于俄歇電子譜線強度低，它常常被淹沒在非彈性散射電子的背景中，所以檢測它比較困難。

        1968年，L.A.Harris 提出了一種“相敏檢測”方法，大大改善了信噪比，使俄歇信號的檢測成為可能。以后隨著能量分析器的完善,使俄歇譜儀達到了可以實用的階段。

         1969年圓筒形電子能量分析器應用于AES, 進一步提高了分析的速度和靈敏度。

        1970年通過掃描細聚焦電子束,實現了表面組分的兩維分布的分析(所得圖像稱俄歇圖)，出現了掃描俄歇微探針儀器。

        1972年，R.W.Palmberg利用離子濺射，將表面逐層剝離，獲得了元素的深度分析，實現了三維分析。至此，俄歇譜儀的基本格局已經確定， AES已迅速地發(fā)展成為強有力的固體表面化學分析方法，開始被廣泛使用。

基本原理

        俄歇電子是由于原子中的電子被激發(fā)而產生的次級電子。當原子內殼層的電子被激發(fā)形成一個空穴時，電子從外殼層躍遷到內殼層的空穴并釋放出光子能量；這種光子能量被另一個電子吸收，導致其從原子激發(fā)出來。這個被激發(fā)的電子就是俄歇電子。這個過程被稱為俄歇效應。

Auger electron emission

        入射電子束和物質作用，可以激發(fā)出原子的內層電子。外層電子向內層躍遷過程中所釋放的能量，可能以X光的形式放出，即產生特征X射線，也可能又使核外另一電子激發(fā)成為自由電子，這種自由電子就是俄歇電子。對于一個原子來說,激發(fā)態(tài)原子在釋放能量時只能進行一種發(fā)射：特征X射線或俄歇電子。原子序數大的元素，特征X射線的發(fā)射幾率較大，原子序數小的元素，俄歇電子發(fā)射幾率較大，當原子序數為33時，兩種發(fā)射幾率大致相等。因此，俄歇電子能譜適用于輕元素的分析。

        如果電子束將某原子K層電子激發(fā)為自由電子，L層電子躍遷到K層，釋放的能量又將L層的另一個電子激發(fā)為俄歇電子，這個俄歇電子就稱為KLL俄歇電子。同樣，LMM俄歇電子是L層電子被激發(fā)，M層電子填充到L層，釋放的能量又使另一個M層電子激發(fā)所形成的俄歇電子。

        只要測定出俄歇電子的能量，對照現有的俄歇電子能量圖表，即可確定樣品表面的成份。由于一次電子束能量遠高于原子內層軌道的能量，可以激發(fā)出多個內層電子，會產生多種俄歇躍遷，因此,在俄歇電子能譜圖上會有多組俄歇峰，雖然使定性分析變得復雜，但依靠多個俄歇峰,會使得定性分析準確度很高，可以進行除氫氦之外的多元素一次定性分析。同時,還可以利用俄歇電子的強度和樣品中原子濃度的線性關系,進行元素的半定量分析,俄歇電子能譜法是一種靈敏度很高的表面分析方法。其信息深度為5nm以內,檢出限可達到0.1%atom。是一種很有用的分析方法。

系統(tǒng)組成

        AES主要由超高真空系統(tǒng)、肖特基場發(fā)射電子槍、CMA同軸式筒鏡能量分析器、五軸樣品臺、離子槍等組成。以ULVAC-PHI的PHI 710舉例，其核心分析能力為25 kV肖特基熱場發(fā)射電子源，與筒鏡式電子能量分析器CMA同軸。伴隨著這一核心技術是閃爍二次電子探測器、 高性能低電壓浮式氬濺射離子槍、高精度自動的五軸樣品臺和PHI創(chuàng)新的儀器控制和數據處理軟件包：SmartSoft AES ? 和 MultiPak ?。并且，目前ULVAC-PHI的PHI 710可以擴展冷脆斷樣品臺、EDS、EBSD、BSE、FIB等技術，深受廣大用戶認可。

PHI710激發(fā)源，分析器和探測器結構示意圖：

        為滿足當今納米材料的應用需求，PHI 710提供了最高穩(wěn)定性的 AES 成像平臺。隔聲罩、 低噪聲電子系統(tǒng)、 穩(wěn)定的樣品臺和可靠的成像匹配軟件可實現 AES對納米級形貌特征的成像和采譜。

        真正的超高真空（UHV）可保證分析過程中樣品不受污染，可進行明確、準確的表面表征。測試腔室的真空是由差分離子泵和鈦升華泵（TSP）抽氣實現的。肖特基場發(fā)射源有獨立的抽氣系統(tǒng)以確保發(fā)射源壽命。最新的磁懸浮渦輪分子泵技術用于系統(tǒng)粗抽，樣品引入室抽真空，和差分濺射離子槍抽氣。為了連接其他分析技術，如EBSD、 FIB、 EDS 和BSE，標配是一個多技術測試腔體。

         PHI 710 是由安裝在一個帶有 Microsoft Windows ? 操作系統(tǒng)的專用 PC 里的PHI SmartSoft-AES 儀器操作軟件來控制的。所有PHI電子光譜產品都包括執(zhí)行行業(yè)標準的 PHI MultiPak 數據處理軟件用于獲取數據的最大信息。710 可應用互聯(lián)網，使用標準的通信協(xié)議進行遠程操作。

AES的應用

        掃描俄歇納米探針可分析原材料（粉末顆粒，片材等）表面組成，晶粒觀察，金相分布，晶間晶界偏析，又可以分析材料表面缺陷如納米尺度的顆粒物、磨痕、污染、腐蝕、摻雜、吸附等，還具備深度剖析功能表征鈍化層，包覆層，摻雜深度，納米級多層膜層結構等。AES的分析深度4-50 ?，二次電子成像的空間分辨可達 3納米，成分分布像可達8納米，分析材料表面元素組成 （Li ~ U），是真正的納米級表面成分分析設備。可滿足合金、催化、半導體、能源電池材料、電子器件等材料和產品的分析需求。

AES 應用的幾種例子，從左到右為半導體FIB-cut，鋰電陰極向陶瓷斷面分析

小結

本文小編粗淺的介紹了俄歇電子能譜AES的一些基礎知識，后續(xù)我們還會提供更有價值的知識和信息，希望大家持續(xù)關注“表面分析家”！

Q：求問電鏡分辨率1.6nm和0.8nm在實效果差多少？主要觀測半導體芯片，具體差別在哪里？

A：當然總的來說空間分辨率越高，成像特征越清晰；但實際應用與樣品基體效應、分析需求、電鏡優(yōu)勢性能、操作條件比如加速電壓、電流、工作距離，真空環(huán)境等都有關系，由具體情況決定。

通常供應商提供分辨率指標都是在特定條件比如高加速電壓下低電流由標準樣品測試得到的。如果觀測半導體芯片，如果看淺表形貌特征，需要低加速電壓，這時候可能電鏡分辨率1.6nm和0.8nm的實際差異不大，要看此電鏡在低加速電壓的分辨能力；

當分析對象尺度接近電鏡空間分辨能力的時候，比如幾個納米的形貌特征（小于10nm），可能分辨率1.6nm和0.8nm的不同電鏡能體現出成像差異；但當分析特征的尺度遠大于空間分辨率的時候，比如100nm，從成像上兩者的差別不會很明顯。

以上是經驗淺談，畢竟PHI不是電鏡供應商，僅供大家參考。

Q：請問AES和SEM-EDS測試的元素分布的區(qū)別？

A：AES和EDS成分分析的主要區(qū)別：

Q：這種AES化學態(tài)的分析和XPS有什么區(qū)別？

A：總的來說化學態(tài)分析主要用XPS，而AES主要獲得元素信息，也有一定的化學態(tài)信息： 

(1)俄歇激發(fā)本身涉及不同軌道能級三個電子的行為，俄歇電子動能與三個電子對應的軌道的結合能相關，比較難預測動能變化與化學態(tài)的相關性，不像XPS是單電子激發(fā)，原子得電子和失電子帶來的結合能位移有一定的原則，有助于判斷化學態(tài)；

(2)俄歇是電子源入射，電子源本身對化學態(tài)尤其是有機材料的化學鍵有一定的破壞作用；電子源激發(fā)出的圖譜里有較大的背景（背散電子 彈性散射和非彈性散射背底、二次電子背底等）影響譜峰判定，給化學態(tài)判斷帶來影響；

(3)AES能量分辨率沒有XPS能量分辨高，AES譜峰寬、譜峰分裂多（多種終態(tài)），不對稱性等都影響化學態(tài)判斷。而XPS譜峰（能量分辨好、背底干擾小、對稱性好、 特征峰比如軌道分裂峰、衛(wèi)星峰等）有化學態(tài)特征性。

Q：請問不導電的樣品可以測試AES嗎？

A：俄歇主要用于測導體，半導體，對于絕緣材料除非改善荷電效應可以用俄歇分析，但對于有機材料本身電子束對化學鍵損傷，即使測出有機材料的元素比如C/O/N/S對有機材料的成分分析來說信息非常有限，意義不大。

Q：硅酸鹽粘土礦物可以嗎？也是絕緣性的？AES可以區(qū)分出來不同羥基嗎? Si-OH Al-OH可以區(qū)分出來嗎? 

A：同上，除非能改善荷電效應才能分析絕緣材料，本來荷電效應大就會使譜峰信號差，譜峰變形嚴重（展寬、能量位移等），不能進行化學態(tài)判定，所以主要獲得元素信息，不能識別化學態(tài)（比如羥基等）。

Q：請問AES在鈣鈦礦太陽能電池上有何應用嗎？

A：只要樣品有一定導電性或通過樣品制備改善荷電效應，都可以用AES進行分析，所以AES可以分析鈣鈦礦太陽能電池材料（采用導電銅膠固定樣品），但因為鈣鈦礦材料主要是有機金屬鹵化物半導體材料，AES電子束對有機化學鍵有一定損傷，不能用于化學態(tài)判定，但可以用俄歇表征元素定性和半定量結果（里面有特征元素比如Pb/I(Br)等），但也有譜峰重合問題（比如I和O譜峰）；所以總體來說AES對鈣鈦礦材料成分表征有一定局限性。

Q：為何俄歇譜縱坐標是：電子數和能量乘積，XPS的縱坐標是只有電子數而沒有能量?

A：請參考我們的俄歇講堂第二課有關硬件原理的回放視頻。

Q：俄歇和XPS都用SCA，為何得到信號不同？

A：首先，我不確定我是否清楚這個問題。因此，我會以兩種方式作出回答。diyi種回答：XPS是通過用X射線轟擊樣品,從而產生包括光電子，俄歇電子和二次電子。 結果中XPS能譜將是這三種電子的疊加。對于AES，它是由電子擊中樣本，產生俄歇電子，二次電子和背散射電子。結果譜將是這三種電子的疊加。因此，如果我們的問題是為什么XPS和AES的“信號”不同，可以如以上的方法解釋。第二種回答：對于XPS分析，能量分析器將以FAT模式工作，輸入透鏡會對正在偵測電子減速至同一的動能，以讓分析器的通過能保持不變。 對于俄歇分析，能量分析器將以FRR模式工作，偵測中的電子會以固定的減速比進入能量分析器，并時通過能實際上持續(xù)變化。 因此，結果圖譜也將有所不同。

Q：高和低電子束分析時，樣品深度不一樣嗎？

A：偵測深度不會隨著入射電子束能量的升高或降低而改變。AES是表面分析技術，因為產生的俄歇電子僅具有?5nm的非彈性平均自由程。無論入射電子束能量是高還是低，這都是相同的。但是，需要注意的一件事是，更高或更低的入射電子束能量將極大地改變背散射電子的行為，當中在SEM和AES的結果都會因為這因素而受到影響。

Q：彈性散射峰的強度忽高忽低，為啥？

A：通常，在進行Zalign調整工作距離時，我們會看到彈性峰在Z合適的Z值處達到Z大訊號強度。如果您看到強度信號不穩(wěn)，Z好請工程師進行檢查出真正的原因。

Q：AES能做元素價態(tài)分析嗎？

A：可以。如ppt材料（以及下面）所示，AES能夠實現一些化學態(tài)面掃(Map)分析。

Q：高能區(qū)域的峰信號弱，怎樣改善?

A：可以使用更高的入射電子束能量以獲得在這動能的俄歇峰更好的信噪比。通常我們會說，如果感興趣的俄歇峰 > 1000eV動能，Z好使用較高的入射電子束能量（例如10kV），而如果感興趣的俄歇峰位于較低的KE范圍（<1000eV），那么可以使用較低的入射電子束能量（例如3kV或5kV）去獲得更好的峰值訊噪比圖譜結果。

Q：如有重疊峰，軟件可以依據次強峰去自動換算?

A：是的，MultiPak可以很容易地做到這一點。只需將選定的元素改成所希望用的另一軌道的峰(e.g.Cu1改到Cu2)，就可以使用同元素不同軌道俄歇峰做定量。

Q：定量計算式，需要扣除背底嗎?

A：在XPS中我們是使用峰的面積進行定量計算，而在AES中，我們則是使用微分譜中峰對峰(Peak-to-Peak)強度去做定量計算。因此，對于AES定量分析，并不存在扣背景扣除的概念。但是像在PPT講堂中提到，另一些時侯如背景太高而影響峰形時,或需要判斷化學態(tài)峰形狀等原因，有時我們是會需要對俄歇原始數據進行背景扣除的。

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1.問：求問電鏡分辨率1.6nm和0.8nm在實際效果差多少？主要觀測半導體芯片，具體差別在哪里？

回復：當然總的來說空間分辨率越高，成像特征越清晰；但實際應用與樣品基體效應、分析需求、電鏡優(yōu)勢性能、操作條件比如加速電壓、電流、工作距離，真空環(huán)境等都有關系，由具體情況決定。

通常供應商提供分辨率指標都是在特定條件比如高加速電壓下低電流由標準樣品測試得到的。如果觀測半導體芯片，如果看淺表形貌特征，需要低加速電壓，這時候可能電鏡分辨率1.6nm和0.8nm的實際差異不大，要看此電鏡在低加速電壓的分辨能力；

當分析對象尺度接近電鏡空間分辨能力的時候，比如幾個納米的形貌特征（小于10nm），可能分辨率1.6nm和0.8nm的不同電鏡能體現出成像差異；但當分析特征的尺度遠大于空間分辨率的時候，比如100nm，從成像上兩者的差別不會很明顯。

以上是經驗淺談，畢竟PHI不是電鏡供應商，僅供大家參考。

2.問：請問AES和SEM-EDS測試的元素分布的區(qū)別？

回復: AES 和 EDS成分分析的主要區(qū)別：

3.問：這種AES化學態(tài)的分析和XPS有什么區(qū)別？

回復: 

總的來說化學態(tài)分析主要用XPS，而AES主要獲得元素信息，也有一定的化學態(tài)信息：

1)  俄歇激發(fā)本身涉及不同軌道能級三個電子的行為，俄歇電子動能與三個電子對應的軌道的結合能相關，比較難預測動能變化與化學態(tài)的相關性，不像XPS是單電子激發(fā)，原子得電子和失電子帶來的結合能位移有一定的原則，有助于判斷化學態(tài)；

2)  俄歇是電子源入射，電子源本身對化學態(tài)尤其是有機材料的化學鍵有一定的破壞作用；電子源激發(fā)出的圖譜里有較大的背景（背散電子'彈性散射和非彈性散射背底、二次電子背底等）影響譜峰判定，給化學態(tài)判斷帶來影響；

3)  AES能量分辨率沒有XPS能量分辨高，AES譜峰寬、譜峰分裂多（多種終態(tài)），不對稱性等都影響化學態(tài)判斷。而XPS譜峰（能量分辨好、背底干擾小、對稱性好、 特征峰比如軌道分裂峰、衛(wèi)星峰等）有化學態(tài)特征性。

4.問:請問AES在鈣鈦礦太陽能電池上有何應用嘛？

回復：只要樣品有一定導電性或通過樣品制備改善荷電效應，都可以用AES進行分析，所以AES可以分析鈣鈦礦太陽能電池材料（采用導電銅膠固定樣品），但因為鈣鈦礦材料主要是有機金屬鹵化物半導體材料，AES電子束對有機化學鍵有一定損傷，不能用于化學態(tài)判定，但可以用俄歇表征元素定性和半定量結果（里面有特征元素比如Pb/I(Br)等）， 但也有譜峰重合問題（比如I和O譜峰）；所以總體來說AES對鈣鈦礦材料成分表征有一定局限性。

5.問：請問不導電的樣品可以測試AES嗎？

回復 : 俄歇主要用于測導體，半導體，對于絕緣材料除非改善荷電效應可以用俄歇分析，但對于有機材料本身電子束對化學鍵損傷，即使測出有機材料的元素比如C/O/N/S對有機材料的成分分析來說信息非常有限，意義不大。

6.問：硅酸鹽粘土礦物可以嗎？也是絕緣性的？AES可以區(qū)分出來不同羥基嗎? Si-OH Al-OH可以區(qū)分出來嗎?

回復: 同上，除非能改善荷電效應才能分析絕緣材料，本來荷電效應大就會使譜峰信號差，譜峰變形嚴重（展寬、能量位移等），不能進行化學態(tài)判定，所以主要獲得元素信息，不能識別化學態(tài)（比如羥基等）。

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在“光電子能譜儀器結構與功能特點”的課程中，小伙伴們隨堂提出的問題，在此可以找到答案。希望這些答案能讓你更好的學習和使用XPS，同時也別忘了給我們多多轉發(fā)喲~

1.問：老師，收集電子與電子之間的動能也不一樣把？

答：是的，所有不同的KE電子都將進入輸入透鏡，從而進入分析儀。但是只有選定的KEZ終會到達檢測器。

2.問：輸入透鏡會改變電子的速度嗎？

答：是。 分析儀有兩種工作模式。在FAT模式（固定分析器能量傳輸）下，進入輸入透鏡的檢測電子將“減速”（所謂的延遲）。 但是Z終的概念是相同的，只有所選擇的特定能量電子Z終將到達檢測器。

3.問：透鏡巨電子的原理可以再講講嗎？

答：儀器真空中大部份外形就像是一塊甜甜圈形狀的導體。 在透鏡上施加負電壓，從而將收集的電子排斥回透鏡的ZX路徑或我們希望它們飛行的光路。

4.問：樣品不導電時就要進行電子補充來中和嗎？導電答：性非常好的樣品接地了，就不需要中和吧？

答：是, 半導體或絕緣體必須關雙束中和。 否則，就像我們解釋的那樣，樣品上在XPS激發(fā)電子(負)離開時會對樣品本身累積正電荷，沒有雙束中和的話XPS結果光譜就會出現峰位移動或峰形狀變化。

導電樣品可以說是沒必要開中和。 但是，如果不確定，建議您啟用雙光束中和功能，因為它會自動運行。

5.問：測試時添加偏壓可以消除電荷嗎？效果怎樣？原位XPS對于普通樣能測嗎？可以通氣？

答：荷電的原因是由于樣品導電性不好, 因此給本身導電性就不好的樣本施加偏壓不會有“中和”效果. 也沒有幫助。 通常，在樣品上施加偏壓是出于其他目的，例如在UPS中，以使KE = 0的能位出現。

對于XPS，只要可以抽真空，基本上可以測試任何固體樣品。

通氣的話, 如講堂中提到XPSdiyi個要求是超高真空。 因此，對于任何XPS系統(tǒng)而言，實際上都是不可能原位通氣的。 但是，有一種稱為NAPXPS的技術，它允許在分析條件下進行氣體反應。 但這是一種不同的技術。

6.問：離子刻蝕的速度大概有多快呢？大概時怎么樣一個量級呢？例子里刻蝕60A大概要多久？

答：對于單原子氬離子槍，束能量高達5kV。 它的速度可以高達數百納米/分鐘。

對于氬團簇離子源，對于有機材料刻蝕的效率特別高。 刻蝕速度也可以超過幾百納米/分鐘。

7.問：可以在濺射中進行刻蝕深度的表征嗎？刻蝕樣品時，刻蝕深度可以實時得到嗎？怎樣知道一個刻蝕過程的深度呢？

答：不可以。XPS系統(tǒng)的基本功能是XPS。 離子濺射源都是附加功能，它可以簡單地進行刻蝕。 不可能真正知道被刻蝕的實際深度。 通常，儀器會使用一些標準樣品來校準刻蝕速率。 例如，我們可以在Si上使用100nm的SiO2薄膜進行刻蝕深度分析，以了解將氧刻蝕完需要多長時間,就可以知道大約的刻蝕速率。

但是，現實生活中的樣品肯定不會總是SiO2。 因此，寫論文的一種非常普遍的方法是，會加上一句如“在SiO2上的濺射速率為XXX nm / min”作為參考。

如果Z終真的想知道濺射深度的厚度，那么另一種方法是他們可以在深度分析之后取出樣品，然后通過表面輪廓儀（如AFM或Alpha step等）測試刻蝕坑深度。

8、問：請問老師樣品臺和樣品之間的雙面膠有什么要求嗎？為什么？

答：在大部份的例子中，Z好做用導電性好，黏性適中, 且對超高真空更適合(干凈且脫氣少)的雙面膠。例如雙面銅膠就會比碳膠好.

9、問：請問微區(qū)XPS需要什么額外配件么？是什么型號的呢？還有就是微區(qū)找樣的原理和步驟能說明一下么？因為實際找樣過程中，十分難找。

答：PHI XPS 定位非常方便，特別是微區(qū)。其他設備可能在定位時只使用光學鏡頭定位，其問題是光學看的一不一定就在X射線或分析器的光路上（特別如果是在百微米以下時）。在PHI設備在掃描聚焦X射線快速成像下，成的像就是從X射線源產生，因此可確保位置百分bai準確，可以參考下圖如何在一兩分鐘完成準確定位。

10、問：想請問老師半導體薄膜和金屬薄膜利用ups計算功函時有什么區(qū)別？利用譜圖計算時候，都要結合右邊的費米邊計算嗎？半導體薄膜是否可以測試出費米邊，測不出怎么計算？

答：首先要注意的是樣品制備。 在UPS中，當我們要計算功函數或電離勢能時，我們知道需要對樣本施加偏壓，以使KE = 0起始邊可以在譜圖數據中顯示。 當中，金屬樣品的實驗非常簡單，因為它們是導體。 同樣，對于金屬（導體），基本上我們可以預期費米邊將處于結合能= 0eV的位置（正確來說導體不存在HOMO或LUMO的概念，但由于以下會討論和半導體做比較，或者暫時可以想象導體的HOMO / LUMO / Fermi能級都在同一能級）。因此，整個功函數計算可以變得非常簡單，（請參見下圖）。

但是，對于半導體薄膜，diyi個重要的因素是如何提高樣品導電性。 因此，根據我們有關樣品制備的網絡課程，可以嘗試使用壓制Mask固定樣品或減少薄膜的厚度。 通常根據我們的經驗，如果我們能夠使樣品表面對樣品托（地）的表面電阻在kohm范圍內（當然要盡可能?。┑脑?，那么該實驗就有可能可以成功。 在這種情況下，所有結果取決于譜圖的實際結果。 對于半導體，我們需要左側（KE = 0）和右側（費米邊緣和HOMO）來計算功函數和電離勢能（請參見下圖）。 如果無法顯示邊緣之一，則很可能表明您的樣品導電性仍然比較差，無法進行此實驗。 這時候唯yi可以做的就是回到“通過樣品制備來不斷提高樣品導電性”這一點。

11、    請問對于圖譜數據分析價帶導帶和費米能級位置時，有沒有什么標準

為了確定E0（onset），E-fermi，E-HOMO，E-LUMO的位置，Z常見的方法是通過用直線繪制上升和下降邊，然后將其交叉點定義為其能位，或者使用中點法，在 費米邊定義費米能級。 請參見下面的示例。

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B1010臺式電導率儀采用嵌入式系統(tǒng)設計，集信號采集、數據處理、顯示功能與一體，智能化程度高，測量精確，操作方便；用于測量水溶液導電能力的強弱，從而間接判斷溶液中離子含量的多少或水質的好壞等，廣泛應用于電力、石油化工、食品品飲料、造紙等行業(yè)，也可以用于高等院校、科研機構等進行教學或科學研究。 

儀器特點

1、192×64點陣液晶中文或英文、多參數顯示、內容豐富、易于理解。

2、采用嵌入式系統(tǒng)設計，速度最快、精度z高便于功能擴展。

3、采用微電子技術，全部貼片(SMT)工藝，實現低功耗，提高了性價比和可靠性。

4、增強型塑料外殼，防水設計，穩(wěn)重堅固。

5、增強型塑料外殼，美觀堅固。

6、關鍵參數密碼保護，防止非操作人員對本機誤操作，保證儀器的基本性能。

7、簡單的人性化鍵盤設計，操作快速、通俗易懂。

8、補償溫度自動測量或手動輸入。

9、具有測量數據、運行、校準記錄存儲、查詢功能。

技術參數

?   顯   示：192×64點陣液晶，可選擇顯示中文或英文

?  ?量   程：K=0.01：(0.000～2.000)μS/cm、(0.000～20.00)μS/cm，2個量程自動切換

                 K=0.1：(0.000～20.00)μS/cm、(0.000～200.0)μS/cm，2個量程自動切換

                 K=1：(0.000～200.0)μS/cm、(0.000～2000)μS/cm，2個量程自動切換

                 K=10： (0.000～2000)μS/cm、(0.000～20.00)mS/cm，2個量程自動切換

?  ?最小分辨率：0.001μs/cm

?  ?基本誤差：±1%F.S

?  ?讀數響應時間：≤10秒

?  ?溫度傳感器: Pt1000

?  ?測溫范圍:( 0.0～99.9)℃

?  ?測溫精度: ±0.5℃

?  ?溫度分辨率: 0.1℃

?  ?溫度補償系數:( 0.00～9.99)%/℃

?  ?補償參考溫度: 25℃

?  ?水樣溫度：(5～60)℃

?  ?環(huán)境溫度：(5～45)℃

?  ?環(huán)境條件：濕度≤90%RH(無冷凝)

?  ?儲運溫度：(-25～55)℃

?  ?供電電源：交流(85～265) V、頻率(45～65)Hz

?  ?功    率：≤5W

?  ?外形尺寸：205mm×210 mm×80mm（長×寬×高）

?  ?重    量：1.5kg