費(fèi)米能級(jí)可控勢(shì)壘(FMB)二極管是一種基于InP/InGaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的超低噪聲THz探測(cè)器。FMB二極管用InGaAs/ InP異質(zhì)界面(InP勢(shì)壘~ 100mev)代替肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)中的金屬/半導(dǎo)體界面。這種低的勢(shì)壘高度可提供低的二極管差分電阻（Rd），并在二極管和寬帶蝴蝶結(jié)型天線之間提供良好的阻抗匹配。

      產(chǎn)品特點(diǎn)

? 超低噪聲等效功率（NEP）

?  高電壓和電流靈敏度

?  零偏置電壓操作

?  常溫操作

?  自互補(bǔ)蝴蝶結(jié)型天線

?  集成準(zhǔn)光學(xué)探測(cè)器

       具體參數(shù)

外形尺寸

FMB二極管核心概念

H.Ito et. al., Jpn. J. Appl. Phys., 56(1), pp. 014101-1-014101-7, 2017

異質(zhì)勢(shì)壘結(jié)構(gòu)由n-InGaAs，未摻雜的InP和n-InP層組成。根據(jù)載流子密度，高摻雜n-InGaAs中的費(fèi)米能級(jí)可以位于導(dǎo)帶邊緣以上（稱為“帶填充效應(yīng)”）?；谠撎卣鳜F(xiàn)象，可以將InP / InGaAs異質(zhì)界面處的勢(shì)壘高度（?Bn）降低至100meV以下。由于通過如此小的勢(shì)壘高度實(shí)現(xiàn)了低差分電阻，因此集成了寬帶扇形90°蝴蝶結(jié)型天線的FMB二極管可產(chǎn)生約5.0 pW / sqrt（Hz）的良好噪聲等效功率。

平方律檢波

H.Ito et.al.,Jpn.J.Appl.Phys.,56(1),pp.014101-1-014101-7,2017

IOD-FMB-18001模塊非常適合應(yīng)用于超低噪聲的平方律檢波。所獲得的電壓靈敏度在300 GHz時(shí)高達(dá)2MV/W，在1THz時(shí)高達(dá)0.2MV/W。上圖顯示了IOD-FMB-18001的輸入功率和輸出電壓之間的關(guān)系。300GHz的動(dòng)態(tài)范圍超過100dB（105）。噪聲等效功率（NEP）估計(jì)在300GHz時(shí)低至3.0pW/sqrt（Hz），在1THz時(shí)低至33pW/sqrt（Hz）。

光外差探測(cè)

H.Ito et. al., Electron. Lett., 54(18), pp.1080-1082, 2018

外差檢測(cè)方案是實(shí)現(xiàn)低噪聲測(cè)量最有用的技術(shù)。IOD-FMB-19001專為外差檢測(cè)而設(shè)計(jì)，是帶有寬帶跨阻放大器（TIA）的準(zhǔn)光學(xué)FMB二極管模塊。該模塊在平方律檢波模式下在300GHz時(shí)表現(xiàn)出約21kV/W的差分電壓靈敏度，在外差檢測(cè)模式下顯示出約11GHz的IF帶寬。上圖顯示了300GHz附近NEP與LO功率之間的關(guān)系。此處獲得的ZDNEP約為1.1×10-18W/Hz，LO功率僅為6μW。

4月22日10點(diǎn)半直播

“為食品分析創(chuàng)造更多可能性”

針對(duì)2022年最 新實(shí)施的36項(xiàng)食品安全國家標(biāo)準(zhǔn)，我們一直在持續(xù)關(guān)注并積極提供相應(yīng)的解決方案及優(yōu)化思路。

本周五十點(diǎn)半的直播，我們將結(jié)合GB 31656.11-2021繼續(xù)做優(yōu)化方案分享，希望能為您的實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用帶來助力。

當(dāng)然，不變的還有“在線答疑+福袋抽獎(jiǎng)”環(huán)節(jié)，誠意滿滿，鎖定逗點(diǎn)生物視頻號(hào)直播間別錯(cuò)過喲~

半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ)，包含大量的 雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場效應(yīng)管等。 直流I-V測(cè)試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的 基石。通常使用I-V特性分析，或I-V曲線，來決定器 件的基本參數(shù)。微電子器件種類繁多，引腳數(shù)量和待 測(cè)參數(shù)各不相同，除此以外，新材料和新器件對(duì)測(cè)試 設(shè)備提出了更高的要求，要求測(cè)試設(shè)備具備更高的低 電流測(cè)試能力，且能夠支持各種功率范圍的器件。

分立器件I-V特性測(cè)試的主要目的是通過實(shí)驗(yàn)，幫助工 程師提取半導(dǎo)體器件的基本I-V特性參數(shù)，并在整個(gè)工 藝流程結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣。

隨著器件幾何尺寸的減小，半導(dǎo)體器件特性測(cè)試對(duì)測(cè) 試系統(tǒng)的要求越來越高。通常這些器件的接觸電極尺 寸只有微米量級(jí)，這些對(duì)低噪聲源表，探針臺(tái)和顯微 鏡性能都提出了更高的要求。

半導(dǎo)體分立器件I-V特性測(cè)試方案，泰克公司與合作 伙伴使用泰克吉時(shí)利公司開發(fā)的高精度源測(cè)量單元 （SMU）為核心測(cè)試設(shè)備，配備使用簡便靈活，功能 豐富的CycleStar測(cè)試軟件，及穩(wěn)定的探針臺(tái)，為客戶提供了可靠易用的解決方案，極大的提高了用戶 的工作效率。

吉時(shí)利方案特點(diǎn)：

豐富的內(nèi)置元器件庫，可以根據(jù)測(cè)試要求選擇所需要的待測(cè)件類型；

測(cè)試和計(jì)算過程由軟件自動(dòng)執(zhí)行，能夠顯示數(shù)據(jù)和曲線，節(jié)省了大量的時(shí)間；

穩(wěn)定的探針臺(tái)，針座分辨率可高達(dá)0.7um，顯微鏡放大倍數(shù)高達(dá)x195倍；

可支持同時(shí)操作兩臺(tái)吉時(shí)利源表，可以完成三端口器件測(cè)試。

測(cè)試功能：

二極管特性的測(cè)量與分析

極型晶體管BJT特性的測(cè)量與分析

MOSFET場效應(yīng)晶體管特性的測(cè)量與分析

MOS 器件的參數(shù)提取

系統(tǒng)結(jié)構(gòu)：

系統(tǒng)主要由一臺(tái)或兩臺(tái)源精密源測(cè)量單元（SMU）、 夾具或探針臺(tái)、上位機(jī)軟件構(gòu)成。以三端口MOSFET 器件為例，共需要以下設(shè)備：

1、兩臺(tái)吉時(shí)利 2450 精密源測(cè)量單元

2、四根三同軸電纜

3、夾具或帶有三同軸接口的探針臺(tái)

4、三同軸T型頭

5、上位機(jī)軟件與源測(cè)量單元（SMU）的連接方式如下圖所示，可以使用LAN/USB/GPIB中的任何一個(gè)接口進(jìn)行連接。

系統(tǒng)連接示意圖：

典型方案配置：

西安某高?，F(xiàn)場演示圖

安泰測(cè)試已為西安多所院校、企業(yè)和研究所提供吉時(shí)利源表現(xiàn)場演示，并獲得客戶的高度認(rèn)可，安泰測(cè)試將和泰克吉時(shí)利廠家一起，為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)和全面的測(cè)試方案，為客戶解憂。

近期有很多用戶在網(wǎng)上咨詢I-V特性測(cè)試， I-V特性測(cè)試是很多研發(fā)型企業(yè)和高校研究的對(duì)象，分立器件I-V特性測(cè)試可以幫助工程師提取半導(dǎo)體器件的基本I-V特性參數(shù)，并在整個(gè)工藝流程結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣。

I-V特性測(cè)試難點(diǎn)：

種類多

微電子器件種類繁多，引腳數(shù)量和待測(cè)參數(shù)各不相同，此外，新材料和新器件對(duì)測(cè)試設(shè)備提出了更高的要求，要求測(cè)試設(shè)備具備更高的低電流測(cè)試能力，且能夠支持各種功率范圍的器件。

尺寸小

隨著器件幾何尺寸的減小，半導(dǎo)體器件特性測(cè)試對(duì)測(cè)試系統(tǒng)的要求越來越高。通常這些器件的接觸電極尺寸只有微米量級(jí)，這些對(duì)低噪聲源表，探針臺(tái)和顯微鏡性能都提出了更高的要求。

I-V特性測(cè)試方案： 

針對(duì)I-V 特性測(cè)試難點(diǎn)，安泰測(cè)試建議可采用keithley高精度源測(cè)量單元（SMU）為核心測(cè)試設(shè)備，配備使用簡便靈活、功能豐富的 CycleStar 測(cè)試軟件，及穩(wěn)定的探針臺(tái)。

圖：系統(tǒng)配置連接示意圖

測(cè)試功能：

這是一個(gè)簡單易用的I-V特性測(cè)試方案，無論對(duì)于雙端口或三端口器件，如二極管、晶體管、場效應(yīng)管都很適用。

? 二極管特性的測(cè)量與分析

? 雙極型晶體管 BJT 特性的測(cè)量與分析

? MOSFET 場效應(yīng)晶體管特性的測(cè)量與分析

? MOS器件的參數(shù)提取 

吉時(shí)利源表簡介及熱門型號(hào)推薦：

吉時(shí)利源表將數(shù)字萬用表 (DMM)、電源、實(shí)際電流源、電子負(fù)載和脈沖發(fā)生器的功能集成在一臺(tái)儀器中。通過吉時(shí)利源表進(jìn)行分立器件 I-V 特性測(cè)試時(shí)，支持同時(shí)操作兩臺(tái)吉時(shí)利源表，輕松完成三端口器件測(cè)試。此外，因?yàn)榧獣r(shí)利源表兼顧高精度和通用性，廣泛適用于教育、科研、產(chǎn)業(yè)等眾多行業(yè)。

安泰測(cè)試作為泰克吉時(shí)利長期合作伙伴，為多家院校，研究所提供了I-V特性測(cè)試方案，并提供了吉時(shí)利源表現(xiàn)場演示，如果您也有相關(guān)應(yīng)用，歡迎關(guān)注安泰測(cè)試網(wǎng)。