高溫介電溫譜測試系統(tǒng)

       高溫介電溫譜測試系統(tǒng)運用三電極法設計原理測量。并參考美國 A.S.T.M 標準。重復性與穩(wěn)定性更好，采用雙屏蔽高頻測試線纜，提高測試參數(shù)的準確度，同時抗干擾能力更強。本設備也可應用于產(chǎn)品檢測以及新材料電學性能研究等用途。

       搭配Labview系統(tǒng)開發(fā)的Huacepro軟件，具備彈性的自定義功能，可進行介電溫譜、頻譜、升溫速度、測量參數(shù)等設置，符合壓電陶瓷與其它新材料測試多樣化的需求。電壓、過電流、超溫等異常情況以保證測試過程的安全；資料保存機制，當遇到電腦異常瞬時斷電可將資料保存于控制器中，不丟失試驗數(shù)據(jù)，設備重新啟動后可恢復原有試驗數(shù)據(jù)。

       目前電網(wǎng)中大量使用變頻器等高頻、高功率設備，將對電網(wǎng)造成諧波干擾。從而在高頻、弱信號測量過程中影響弱信號的采集，華測儀器公司推出的抗干擾模塊以及采用新的參數(shù)分析技術,實現(xiàn)了高達120MHz的高頻測量,從而滿足了很多半導體,功能材料和納米器件的測試需求.

消除不規(guī)則輸入的自動平均值功能 更強數(shù)據(jù)處理及內(nèi)部屏蔽

       華測系列阻抗分析儀是華測儀器電子事業(yè)部采用當前先進的自動平衡電橋原理研制成功的新一代阻抗測試儀器，為國產(chǎn)阻抗測試儀器的新的高度。解決同類儀器，在測量10Hz-50MHz的頻率瓶頸；解決了國外同類儀器只能分析、無法單獨測試的缺陷；采用單測和分析兩種界面，讓測試更簡單。得益于先進的自動平衡電橋技術，在10Hz-50MHz的頻率范圍可以保證0.05%的基本精度。 快達5ms的測試速度及高達50M的阻抗測試范圍可以滿足元件與材料的測量要求，特別有利于低損耗(D)電容器和高品質(zhì)因數(shù)(Q)電感器的測量。四端對的端口配置方式可有效消除測試線電磁耦合的影響，將低阻抗測試能力的下限比常規(guī)端配置的儀器向下擴展了十倍。

專用高頻測試線纜，更適合高頻測量

測試引線使用4端子對配置以擴展測量端口，附帶BNC陽頭連接板，用于連接高溫爐的測試夾具，同時測試線采用高頻測試專用測試線，設計兩層屏蔽。更適合高頻介電參數(shù)測量。

儀器優(yōu)勢：

1、它可以勻速、階梯（升\降溫）、循環(huán)沖擊，真空、氣氛等多種的加熱方式。

2、采用全新的移相觸發(fā)技術，完全可實現(xiàn)控制精度波動±0.25°c 以內(nèi)，溫控精度更高。

3、加熱速度更快、更快，同時它可以提供了材料的更多的測試環(huán)境。

設備優(yōu)勢

1、高速加熱與冷卻方式

       高能量的紅外燈和鍍金反射方式允許高速加熱到高溫。同時爐體可配置水冷系統(tǒng)，增設氣體冷卻裝置，可實現(xiàn)快速冷卻。

2、溫度高精度控制

        近紅外鍍金聚焦爐和溫度控制器的組合使用，可以準確控制樣品的溫度(遠比普通加溫方式)。此外，冷卻速度和保持在任何溫度下可提供高精度。

3、不同環(huán)境下的加熱與冷卻

       加熱/冷卻可用真空、氣氛環(huán)境、低溫（高純度惰性氣體 靜態(tài)或流動），操作簡單，使用石英玻璃制成。紅外線可傳送到加熱/冷卻室。

更強的擴展能力，實現(xiàn)一機多用

█ 多功能真空加熱 爐，可實現(xiàn)高溫、真空、氣氛環(huán)境下電學測試

█ 采用鉑金材料作為測量導線、以減少信號衰減、提高測試精度

█ 設備配置水冷裝置，降溫速度更快、效率更高

█ 可實現(xiàn)介電溫譜、介電頻譜等測量功能

█ 進口溫度傳感器、PID自動溫度控制，使測量溫度更準確

█ 近紅外加熱，樣品受熱更均勻，不存在感應電流，達到JZ測量

█ 10寸進口觸摸屏設計，一體化設計機械結(jié)構(gòu)，更加穩(wěn)定、可靠

█ 采用進口高頻測試線，抗干擾能力更強，采集精度更高

█ 99氧化鋁陶瓷絕緣，配和鉑金電極夾具

█ huace pro 強大的控制分析軟件與功能測試平臺系統(tǒng)相互兼容

設備測量參數(shù)

溫度范圍： RT-800 (高達1650)°C

樣品尺寸：φ＜25mm，d＜4mm

控溫精度：±0.25°C

電極材料：鉑金

升溫斜率：10°C/min（可設定）

夾具輔助材料：99氧化鋁陶瓷

測試頻率 : 10Hz~120MHz

絕緣材料：99氧化鋁陶瓷

加熱方式：近紅外加熱

測試功能：介電溫譜、頻譜

冷卻方式：水冷

數(shù)據(jù)傳輸：4個USB接口

輸入電壓：110~220V

設備尺寸：600x500x350mm

ε介電常數(shù)、（ε'、ε''介電常數(shù)實部與虛部）、C電容、(C’、C''電容實部與虛部、D損耗、R電阻、(R'、R''電阻實部與虛部）、Z、（Z'、Z''阻抗實部與虛部）、

Y導納、Y’、Y''（導納實部與虛部）、X電抗、Q品質(zhì)因數(shù)、cole-cole圖譜、機電耦合系數(shù)Kp、等一系列測量參數(shù)及介電溫譜與頻譜等測試功能。

熱釋電系數(shù)測試儀

 GB T 3389-2008 壓電陶瓷材料性能測試方法

一、熱釋電系數(shù)測試儀簡介：

        壓電陶瓷除了具有一般介質(zhì)材料所具有的介電性和彈性性能外，還具有壓電性能。壓電陶瓷經(jīng)過極化處理之后，就具有了各向異性，每項性能參數(shù)在不同方向上所表現(xiàn)的數(shù)值不同，這就使得壓電陶瓷的性能參數(shù)比一般各向同性的介質(zhì)陶瓷多得多。壓電陶瓷的眾多的性能參數(shù)是它被廣泛應用的重要基礎。

        本設備可以分析被測樣品熱釋電系數(shù)隨溫度、時間變化的曲線，通過軟件將這些變化曲線的溫度譜、時間譜等集成一體并進行分析測量并可以直接得出樣品的熱釋電圖譜。對試樣大小及形狀無特殊要求，圓片、方塊、長條、柱形等均可測量，可廣泛用于鐵電、壓電材料（壓電陶瓷、高分子）以及相關器件性能的評價與測試。  

         本試驗儀器采用動態(tài)電流法測量壓電陶瓷材料的熱釋系數(shù)，測熱釋電系數(shù)測試系統(tǒng)的功能就是實現(xiàn)對微弱熱釋電電流信號和溫度信號的實時測量。其構(gòu)成可以分為:熱釋電樣品加熱、溫度測量、升降溫速度控制、熱釋電電流測量和測量數(shù)據(jù)處理通過工業(yè)計算機數(shù)據(jù)處理，得出壓電陶瓷材料的熱釋電系數(shù)。

         熱釋電系數(shù)測試系統(tǒng)基于熱釋電動態(tài)電流法設計,由溫度控制器、加熱爐體、微電流放大器、溫度測試儀以及計算機軟件系統(tǒng)組成。溫度控制器控制加熱爐體內(nèi)部溫度;樣品的電流信號通過微電流放大器、輸入到計算機;而溫度信號則直接通過溫度測試儀傳送到計算機。能測量具有熱釋電性能的單晶、陶瓷、厚膜及薄膜材料樣品, 適用范圍廣。

二、熱釋電系數(shù)測試儀技術參數(shù)：

測量溫度：室溫~200℃；

控溫精度：±0.5℃，

測溫精度：±0.5℃；

升溫斜率：1-5℃/min（可控）；

降溫斜率：1-5℃/min（可控）；

電流放大器：AD4530

電流范圍：fA (10?12A)~20mA

電壓采集輸入阻抗：1X1012Ω

三、熱釋電系數(shù)測試儀產(chǎn)品特點：

采用新的RAM嵌入式開發(fā)平臺;

可以進行在線升級、遠程協(xié)助及故障診斷；

采用目前精度高的電流放大器AD4530

集成10.1”電容觸摸寬屏顯示，軟件操作更加流暢，體驗感更好；

加溫裝置、測量夾具、顯示及軟件集成于一體；

測量精度會高，儀器更加穩(wěn)定且易維護；

可實現(xiàn)壓電陶瓷的熱釋電系數(shù)測試；

實現(xiàn)常溫、高溫、等多環(huán)境下測試

        溫度控制部分由可控硅移相器和升降溫控制電路組成 。 可控硅移相器控制可控硅導通角的變化來控制加熱器電壓的大小, 從而控制了加熱爐的升降溫過程。升降溫控制電路內(nèi)部具有時間程序控制, 通過調(diào)節(jié)時間程序給出一定時間間隔的脈沖信號, 控制可控硅移相器, 進而逐步增減可控硅的導通角以保證加熱爐溫度隨時間近似線性上升。

四、強大的軟件功能：

        HC5000系列測試系統(tǒng)的軟件平臺 hacepro ,采用labview系統(tǒng)開發(fā)，符合導體、半導體材料的各項測試需求，具備強大的的穩(wěn)定性與安全性，并具備斷電資料的保存功能，圖像資料可保存恢復，支持新的國際標準。兼容，XP、win7、win10系統(tǒng)。

五、友善的使用介面

█ 多語介面：支持中文/英文 兩種語言界面；

█ 即時監(jiān)控：系統(tǒng)測試狀態(tài)即時瀏覽，無須等待；

█ 圖例管理：通過軟件中的狀態(tài)圖示，一目了然，立即對狀態(tài)說明，了解測試狀態(tài)；

█ 使用權(quán)限：可設定使用者的權(quán)限，方便管理；

█ 故障狀態(tài)：軟件具有設備的故障報警功能。

HCP650-PM溫控探針臺

一、溫控探針臺簡介：

HCP650-PM溫控探針臺可單獨使用，也可搭配顯微鏡／光譜儀使用。 其可在－190°C ~ 600°C范圍內(nèi)控溫，同時允許探針電測試、光學觀察和樣品氣體環(huán)境控制。 探針臺上蓋與底殼構(gòu)成—個氣密腔，可往內(nèi)充入氮氣等保護氣體，來防止樣品在負溫下結(jié)霜，或高溫下氧化。

         HCP650-PM溫控探針臺，是一款溫度范圖－190°C~600°C 的溫控探針臺。 使用時還可對樣品氣氛進行控制。 這樣即使在極低溫度下，腔體也不產(chǎn)生結(jié)霜影響實驗， 又可以防止樣品發(fā)生氧化。此款溫控探針臺通過杠桿式支架， 使用的是彎針探針。 相比傳統(tǒng)的直針探針， 這種設計不僅點針更準確， 而且點針力度更大， 和樣品的 電接觸性更勝一籌。

冷熱臺可配合KEITHLEY Keysight等國際品牌測量源表進行電學性能測量。

二、溫控探針臺產(chǎn)品特點：

1、可編程精密控溫?？瑟毩⒖刂?/p>

2、探針需開蓋移動，樣品臺面電接地

3、4探針，分別導通冷熱臺外殼上的4個BNC接口杠桿式探針支架，電接觸性更好，彎針探針，點針更準確

4、默認氣密腔室，2個快速自鎖接頭，可充保護氣體 上蓋帶有樣品觀察窗

5、內(nèi)置干燥氣體管道，用千負溫時對視窗的除霜

6、視窗可拆卸與更換，不同材質(zhì)窗片實現(xiàn)不同觀察

電學參數(shù)：

三、溫控探針臺溫控參數(shù)：

溫度范圍－190°C ~ 600°C （負溫需配液氮制冷系統(tǒng))

傳感器／溫控方式 1000鉛° RTD / PID控制° （含LVDC°降噪電源）

ZUI 大加熱／制冷速度：＋80 (/min (100 (時）－50 (/min (100°(時）

最小加熱／制冷速度：±0.01°C /min

溫度分辨率：0.01°C

溫度穩(wěn)定性：±0.05°C（>25°C），±0.1°C（>25°C）

軟件工程：可設溫控速率，可設溫控程序，可記錄溫控曲線

加熱參數(shù)

加熱區(qū)/樣品區(qū)： 28mm x30 mm

樣品腔高：6.3mm *樣品ZD厚度由探針決定

放樣：打開上蓋后置入樣品再點針，關上蓋后無法移動探針

氣氛控制：氣密腔，可充入保護氣體

外殼冷卻：可通循環(huán)水，以維持外殼溫度在常溫附近

安裝方式：水平安裝或垂直安裝

臺體尺寸／重量：180mm x 130 mm x 26 mm/ 1500g

壓電陶瓷極化專用電源

壓電陶瓷極化專用電源儀器優(yōu)勢：

1、采用先進的GIBT電壓驅(qū)動式功率半導體器件與倍壓整流方式實現(xiàn)，升壓更加平穩(wěn)．

2、設備直流輸出紋波更低， 更適合功能材料極化， 設備采用TVS保護，更加安全。

3、配合華測生產(chǎn)的循環(huán)油加熱系統(tǒng)， 采用上位機控制升壓與加溫，更加穩(wěn)定。

高壓直流電源：

華測HCHV系列系列高壓電源是高性能機箱式高壓電源， 具有完善的保護系統(tǒng)。 可遙控或本地控制，前面板有電壓、電流顯示，高壓輸入端過壓、過流、短路保護、拉弧、過溫保護和安全鎖等功能。 寬范圍調(diào)整和靈活的多項可選功能． HCHV系列是一種高性能、 高可靠性、 高品質(zhì)的直流高壓電源，更適合材料電學高壓試驗與材料檢測。

壓電陶瓷極化專用電源產(chǎn)品參數(shù)：

輸入電壓：200V to 240V  VAC±10%  50/60Hz      

輸出電壓: 20kV、30kV、50kV、60kV、80kV、100kV多種規(guī)格，也可按用戶要求定制電源

輸入電壓控制:外部控制電壓：0 - 10 V  （ 輸入阻抗大于10 KΩ）

直流偏壓: 前面板電位計設置在- 100 %和+ 100 %之間

紋波:0.02%±1 Vp-p

穩(wěn)  定 性:0.016%

顯示方式:VFD顯示屏

電壓監(jiān)視:面板BNC  -10V ~+10V，輸出阻抗 1KΩ

電流監(jiān)視：面板BNC  -10V ~+10V，輸出阻抗 1KΩ

保護：過壓保護、過流保護、接地保護、短路保護

使用溫度：0°C to +40°C

保存溫度：-20°C to +60°C

濕度：20% to 75%RH

配     件：電源線 1.5m，高壓輸出電纜 1.5m

產(chǎn)品規(guī)格：

高壓放大器

          高壓放大器將輸入電壓轉(zhuǎn)換為高壓及波形輸出如下圖所示。目前，對高壓放大器的需求越來越大越來越多，現(xiàn)在已經(jīng)成為研究中不可或缺的工具并為這些領域開發(fā)、試驗和集成一個系統(tǒng)，如電子、物理、生物、化學、YL等行業(yè)。華測生產(chǎn)的各種高壓放大器，滿足客戶的對功能材料測試的要求。

產(chǎn)品特點：

高壓放大器選型：

高溫介電溫譜儀是什么？

 　　高溫介電溫譜儀是一款專門用于評估電介質(zhì)材料高溫介電機制（材料極化、儲能、馳豫、相變、微結(jié)構(gòu)變化、分子團重新取向等）的重要測量系統(tǒng)，該系統(tǒng)通過測量介電常數(shù)、介電損耗和阻抗、相位隨溫度、頻率變化的關系，直接得出電介質(zhì)材料的溫度譜、頻率譜、阻抗譜、Cole-Cole圖等重要的物理性能參數(shù)。高溫介電溫譜儀是科研實驗室新材料的開發(fā)和研究、生產(chǎn)質(zhì)量控制和生產(chǎn)工藝優(yōu)化的重要工具。

　　高溫介電溫譜儀從專業(yè)角度來說，其實就是高溫介電溫譜測量系統(tǒng)。高溫介電溫譜測量系統(tǒng)是為了滿足材料在高溫環(huán)境下的介電性能測量需求而設計的。它由硬件設備和測量軟件組成，包括高溫測試平臺、高溫測試夾具、阻抗分析儀和高溫介電測量系統(tǒng)軟件四個組成部分。高溫測試平臺是為樣品提供一個高溫環(huán)境；高溫測試夾具提供待測試樣品的測試平臺；阻抗分析儀則負責測試各組參數(shù)數(shù)據(jù)。Z后，再通過測量軟件將這些硬件設備的功能整合在一起，形成一套由實驗方案設計到溫度控制、參數(shù)測量、圖形數(shù)據(jù)顯示與數(shù)據(jù)分析于一體的高溫介電溫譜測量系統(tǒng)。

　　高溫介電溫譜測量系統(tǒng)就是可以在高溫、真空、氣氛測量條件下測量電介質(zhì)材料的介電常數(shù)和損耗、阻抗譜COLE-COLE圖、機電耦合系數(shù)Kp的科研儀器設備。除高溫介電溫譜測量系統(tǒng)外，北京華測試驗儀器有限公司還有高低溫介電溫譜測量系統(tǒng)、低溫介電溫譜測量系統(tǒng)（由低溫真空探針臺和介電測量套件組成）等。

高、低溫介電測量系統(tǒng)用于分析寬頻、高、低溫環(huán)境條件下被測樣品的阻抗Z、電抗X、導納Y、電導G、電納B、電感L、介電損耗D、品質(zhì)因數(shù)Q等物理量，同時還可以分析被測樣品隨溫度、頻率、時間、偏壓變化的曲線，是專業(yè)從事材料介電性能、溫度弛豫、電弛豫研究的理想測試工具。用戶通過軟件可以直接得出介電間、頻率、偏壓變化的曲線，高溫介電測量系統(tǒng)是功能材料測試必備電學性能評估設備。系統(tǒng)搭配Labview系統(tǒng)開發(fā)的hcpro軟件，具備彈性的自定義功能，可進行頻率、溫度、時間、測試項等設置，符合材料測試多樣化測試的需求。

本系統(tǒng)主要用于材料在不同溫度不同頻率下的電學性能測試，系統(tǒng)包含高、低溫環(huán)境、阻抗分析儀、測試夾具，測試軟件于一體，可測試材料的介電常數(shù)，介質(zhì)損耗，阻抗譜Co-Co圖，機電耦合系數(shù)等，同時可分析被測樣品隨溫度，頻率，時間變化的曲線，測試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測試項目要求選購；,實現(xiàn)了自動完成不同環(huán)境下的阻抗、介電參數(shù)的測量與分析。另外，還可根據(jù)用戶提供的其他LCR品牌或型號完成定制需求。軟件可根據(jù)實驗方案設計，通過測量C和D值，自動完成介電常數(shù)和介電損耗隨頻率、電壓、偏壓、溫度、時間多維變化的曲線。一次測量，同時輸出，測量效率高、數(shù)據(jù)豐富多樣。

寬頻介電阻抗譜測試儀系統(tǒng)

系統(tǒng)功能：

寬頻介電譜儀可以通過與寬頻阻抗的完mei結(jié)合達到極寬的頻率范圍（20HZ-120M）；能靈敏地測量高分子材料介電常數(shù)及損耗等參數(shù)；具有極寬的阻抗分析范圍（10mΩ~100TΩ）；可以測量各種固體、薄膜材料。其自主研發(fā)的全自動在線控制軟件可以實時進行多達不同參數(shù)的測量與分析。

本儀器還可以進行不同溫度范圍的測量，自主研發(fā)精確溫度控制系統(tǒng)，可以滿足不同電介質(zhì)材料測量時對溫度范圍和控溫精度的不同要求，配合高低溫測試模塊，用于研究電介質(zhì)材料在高溫條件下的介電性能。

寬頻介電阻抗譜儀不僅是實驗室開發(fā)和研究新材料的重要測量手段，也是生產(chǎn)質(zhì)量控制和優(yōu)化生產(chǎn)工藝的強有力的工具。寬頻介電阻抗譜儀廣泛應用于化學、物理化學、電化學、電子、電工工程、材料科學、生物學和制藥等領域，特別是聚合物、樹脂、陶瓷、橡膠、玻璃、液晶、石油及懸浮體等材料的研究。

設備單元框圖

寬頻介電阻抗譜儀測試系統(tǒng)硬件主要包括阻抗分析儀、高阻計、高壓放大器、溫控模塊，高低溫測試環(huán)境（測試夾具）、工控電腦、供電及測試線纜構(gòu)成。

設備測試功能框圖

寬頻介電譜儀可實現(xiàn)常溫環(huán)境下的介電常數(shù)及損耗測量、高低溫環(huán)境下的介電溫譜及介電頻譜測量，也可以進行不同溫度下超高阻測量以及TSDC熱激勵電流測量功能。