為什么說冷卻劑的凈化系統(tǒng)不能顯著降低冷卻劑的總放射性水平

成的話好熱的 2017-03-05 09:05:17 576 瀏覽

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ga7kj0 2017-03-06 00:00:00

下泄流從容積控制箱頂部的噴頭噴出，霧化，增加了氣液傳質(zhì)表面，裂變氣體從冷卻劑中解析出來。半衰期較短的裂變氣體在容積控制箱滯留過程中就衰變掉了，對(duì)長(zhǎng)半衰期核素（如85Kr）去除效果較差。因此提出了一種定期用氫氣和氮?dú)鈷邭獾姆椒ǎ瑢⒘炎儦怏w載帶到廢氣處理系統(tǒng)。據(jù)報(bào)道，這樣可以使冷卻劑中85Kr，的濃度降低到原濃度的1/30，噴淋還利于氫氣被冷卻劑溶解。上述凈化流程就是壓水堆核電廠化容系統(tǒng)冷卻劑凈化的一般流程，它仍存在某些缺點(diǎn)。實(shí)踐表明，上述流程對(duì)于冷卻劑的化學(xué)凈化是有效的，混合離子床和陽(yáng)離子床能使水的電導(dǎo)率降低一個(gè)數(shù)量級(jí)以上；但是對(duì)于放射性水平的降低，效果并不顯著。首先因?yàn)闃渲ぷ鳒囟鹊南拗?，這就使凈化流量不能選得太大?？梢栽O(shè)想，如果不啟用凈化裝置，冷卻劑中短半衰期核素(例如Ba，T?=85min)由于從燃料元件中的逃逸率同衰變率很快達(dá)到平衡，濃度不再增加；而長(zhǎng)半衰期的核素（例如137Cs， T =30a）的濃度將不斷增加。與此相反，一旦凈化裝置投入運(yùn)行，長(zhǎng)半衰期核素的濃度急劇減小，而短半衰期核素的濃度則變化不大。這可以從式(4.2)中看出，對(duì)于那些半衰期很短的核素，λ>>kd，式中第三項(xiàng)可以忽略，也就是說核素在冷卻劑中的濃度僅與逃逸率和衰變率有關(guān)，而與凈化速度無(wú)關(guān)。因此，在凈化流量較小的情況下，這一系統(tǒng)對(duì)短半衰期核素的去除能力有限。同時(shí)，這一系統(tǒng)流程對(duì)于占了冷卻劑比活度絕大部分的惰性氣體的去除也不徹底。總之，現(xiàn)有的凈化系統(tǒng)并不能顯著降低冷卻劑的總放射性水平。設(shè)置凈化系統(tǒng)的目的，主要是保持冷卻劑的化學(xué)水質(zhì)。

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　　高純氫氣發(fā)生器啟動(dòng)之前應(yīng)做好充分的準(zhǔn)備工作，加氫氧化鉀電解液（稱取KOH100g溶解于1L的高純水中），充分?jǐn)嚢枞芙獾入娊庖和耆鋮s后再倒入儲(chǔ)液桶中使用，然后加入高純水不要超過上限水位線，也不要低于下限水位線，擰上外蓋。液位管中的白色東西是液位管接口處的潤(rùn)滑劑，不影響使用，待整體換液后就好。

　　根據(jù)原理的不同，高純氫氣發(fā)生器凈化系統(tǒng)可分為三類，分別是：硅膠/分子篩凈化系統(tǒng)、變壓吸附凈化系統(tǒng)以及鈀薄膜凈化系統(tǒng)。

　　1、硅膠/分子篩凈化系統(tǒng)：硅膠和分子篩凈化系統(tǒng)是高純氫氣發(fā)生器常用的凈化裝置。一般而言，使用硅膠進(jìn)行初步脫水，分子篩進(jìn)一步脫水。由于硅膠價(jià)格便宜、活化再生方便，應(yīng)此硅膠/分子篩凈化系統(tǒng)是使用Z為廣泛的脫水方式。需要注意的是，當(dāng)硅膠吸附水分之后，會(huì)由天藍(lán)色變?yōu)榉奂t色，應(yīng)當(dāng)及時(shí)更換。

　　2、變壓吸附凈化系統(tǒng)：變壓吸附是一項(xiàng)用于氣體分離的技術(shù)，是利用吸附劑及不同壓力下對(duì)不同物質(zhì)的吸附容量的不同從而達(dá)到氣體分離的目的。其過程是在高壓下吸附劑將氣體中的雜質(zhì)吸附，目標(biāo)氣體（H2）被吸附相對(duì)較少，穿過吸附層成為所需的氣體，然后在低壓下被吸附的雜質(zhì)氣解吸出來，這樣的過程反復(fù)循環(huán)，終得到高純氣體（H2）。

　　3、鈀薄膜凈化系統(tǒng)：相比于以上兩種凈化系統(tǒng)，鈀薄膜凈化系統(tǒng)的原理在于利用高溫下只有氫原子才能穿透鈀銀合金薄膜的特性來進(jìn)行凈化。當(dāng)氫原子穿透鈀銀合金薄膜之后，在鈀薄膜的另一側(cè)，單原子氫重新組合為雙原子氫氣。

（來源：南京普拉勒科技有限公司）

2019-09-05 15:10:08 832 0