本文描述了對(duì)半導(dǎo)體器件里金鍵合引線與電極（鋁焊盤(pán)）界面結(jié)合缺陷的觀察和分析。 截面拋光儀（CP)對(duì)金鍵合引線界面橫截面進(jìn)行拋光。

       使用JEOL的橫截面拋光儀（簡(jiǎn)稱(chēng)CP）對(duì)樣品進(jìn)行橫截面拋光，CP是一種利用氬離子束轟擊樣品表面的從而得到無(wú)應(yīng)力破壞的平滑橫截面的掃描電鏡制樣設(shè)備?？杉庸じ鞣N軟硬復(fù)合材料與傳統(tǒng)機(jī)械拋光相比，不會(huì)產(chǎn)生加工痕跡和扭曲變形。

       下圖是金線和鋁焊盤(pán)交界處的背散射電子成分像，可清晰地觀察到通道襯度和晶體的晶粒尺寸。

       X-Ray譜圖顯示了金線和電極焊盤(pán)交界處元素的空間分布。按照從上而下的順序, ① 金鍵合引線的Au層部分，可見(jiàn)通道襯度 ② 金屬間化合物(IMC)層Au-Al合金層 ③ Al電極 ④SiO₂ 層和 ⑤ Si 基板。

       我們知道IMC層的成型及厚度取決于鍵合后熱處理的溫度和時(shí)間，熱處理的工藝甚至可能會(huì)導(dǎo)致界面IMC層出現(xiàn)剝離。

       通過(guò)利用CP和SEM，可直接檢測(cè)橫截面方向IMC層的厚度及濃度，因此可用于半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的質(zhì)量管理和成品率監(jiān)控。

IGBT簡(jiǎn)介：

IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是常見(jiàn)的功率，期間經(jīng)常使用在強(qiáng)電流高電壓的場(chǎng)景中，如電動(dòng)汽車(chē)、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成，兼具了高輸入阻抗及低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)，IGBT是電力電子設(shè)備的“cpu”。

IGBT測(cè)試難點(diǎn)：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個(gè)測(cè)量模塊協(xié)同測(cè)試。

2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。

3、IGBT動(dòng)態(tài)電流范圍大，測(cè)試時(shí)需要量程范圍廣，且量程可以自動(dòng)切換的模塊進(jìn)行測(cè)試。

4、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下，自加熱效應(yīng)明顯，脈沖測(cè)試可以減少自加熱效應(yīng)，所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測(cè)試，用于評(píng)估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測(cè)試非常重要。

6、IGBT開(kāi)關(guān)特性非常重要，需要進(jìn)行雙脈沖動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試。

測(cè)試方案：

靜態(tài)測(cè)試設(shè)備：2600-PCT?？蛇x200V/10A低壓基本配置、200V/50A高流配置、3000V/10A高壓配置、3000V/50A高壓高流等配置。

測(cè)試載臺(tái):高功率探針臺(tái)/測(cè)試夾具

動(dòng)態(tài)測(cè)試設(shè)備：函數(shù)發(fā)生器+泰克示波器MSO5/6+探頭

測(cè)試載：臺(tái)配套電源測(cè)試板

泰克優(yōu)勢(shì)：

1.全面的靜態(tài)動(dòng)態(tài)測(cè)試方案；

2.zui高100A/3000V高壓高流高精度設(shè)備；四線法配置；可進(jìn)行脈沖測(cè)試；zui小脈寬100US；從fF到uf電容測(cè)試能力；

3.高性能測(cè)試夾具支持多種封裝類(lèi)型；

4.支持大多數(shù)探頭類(lèi)型，包括KHV三同軸，AHV三同軸，標(biāo)準(zhǔn)三同軸等；可適配絕大部分高功率探針臺(tái)；

5.高壓/高流/高壓&高流靈活配置。

測(cè)試項(xiàng)目舉例：

靜態(tài)參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng)目：

擊穿電壓；閾值電壓；開(kāi)態(tài)電流；漏電流；正向跨導(dǎo)；輸入電容；輸出電容；反向傳輸電容等；

動(dòng)態(tài)參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng)目：

開(kāi)通時(shí)間；關(guān)斷時(shí)間；關(guān)斷延遲時(shí)間；下降時(shí)間，單脈沖開(kāi)通能量；單脈沖關(guān)斷能量。

安泰測(cè)試致力于電子電力測(cè)試測(cè)量行業(yè)十二年，專(zhuān)注于電子電力檢測(cè)設(shè)備；公司具備專(zhuān)業(yè)的技術(shù)支持和選型能力，和泰克吉時(shí)利廠家建立了密切穩(wěn)定的合作關(guān)系，立足西北，服務(wù)全國(guó)的廣大客戶(hù)。歡迎有需求的電子電力工程師來(lái)電咨詢(xún)或者訪問(wèn)安泰測(cè)試網(wǎng)。

IGBT簡(jiǎn)介：

IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是常見(jiàn)的功率，期間經(jīng)常使用在強(qiáng)電流高電壓的場(chǎng)景中，如電動(dòng)汽車(chē)、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成，兼具了高輸入阻抗及低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)，IGBT是電力電子設(shè)備的“cpu”，被國(guó)家列為研究對(duì)象。

IGBT測(cè)試難點(diǎn)：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個(gè)測(cè)量模塊協(xié)同測(cè)試。

2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。

3、IGBT動(dòng)態(tài)電流范圍大，測(cè)試時(shí)需要量程范圍廣，且量程可以自動(dòng)切換的模塊進(jìn)行測(cè)試。

4、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下，自加熱效應(yīng)明顯，脈沖測(cè)試可以減少自加熱效應(yīng)，所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測(cè)試，用于評(píng)估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測(cè)試非常重要。

6、IGBT開(kāi)關(guān)特性非常重要，需要進(jìn)行雙脈沖動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試。

測(cè)試方案：

靜態(tài)測(cè)試設(shè)備：2600-PCT?？蛇x200V/10A低壓基本配置、200V/50A高流配置、3000V/10A高壓配置、3000V/50A高壓高流等配置。

測(cè)試載臺(tái):高功率探針臺(tái)/測(cè)試夾具

動(dòng)態(tài)測(cè)試設(shè)備：函數(shù)發(fā)生器+泰克示波器MSO5/6+探頭

測(cè)試載：臺(tái)配套電源測(cè)試板

泰克優(yōu)勢(shì)：

1.全面的靜態(tài)動(dòng)態(tài)測(cè)試方案；

2.zui高100A/3000V高壓高流高精度設(shè)備；四線法配置；可進(jìn)行脈沖測(cè)試；zui小脈寬100US；從fF到uf電容測(cè)試能力；

3.高性能測(cè)試夾具支持多種封裝類(lèi)型；

4.支持大多數(shù)探頭類(lèi)型，包括KHV三同軸，AHV三同軸，標(biāo)準(zhǔn)三同軸等；可適配絕大部分高功率探針臺(tái)；

5.高壓/高流/高壓&高流靈活配置。

測(cè)試項(xiàng)目舉例：

靜態(tài)參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng)目：

擊穿電壓；閾值電壓；開(kāi)態(tài)電流；漏電流；正向跨導(dǎo)；輸入電容；輸出電容；反向傳輸電容等；

動(dòng)態(tài)參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng)目：

開(kāi)通時(shí)間；關(guān)斷時(shí)間；關(guān)斷延遲時(shí)間；下降時(shí)間，單脈沖開(kāi)通能量；單脈沖關(guān)斷能量。

安泰測(cè)試致力于電子電力測(cè)試測(cè)量行業(yè)十二年，專(zhuān)注于電子電力檢測(cè)設(shè)備；公司具備專(zhuān)業(yè)的技術(shù)支持和選型能力，和泰克吉時(shí)利廠家建立了密切穩(wěn)定的合作關(guān)系，立足西北，服務(wù)全國(guó)的廣大客戶(hù)。歡迎有需求的電子電力工程師來(lái)電咨詢(xún)或者訪問(wèn)安泰測(cè)試網(wǎng)。

氮吹儀也叫氮?dú)獯蹈蓛x、自動(dòng)快速濃縮儀等，該儀器通過(guò)將氮?dú)饪焖佟⑦B續(xù)、可控的吹向加熱樣品的表面，使待處理樣品中的水分迅速蒸發(fā)、分離，從而實(shí)現(xiàn)羊皮的無(wú)氧濃縮，同時(shí)，該儀器能夠保持樣品的純凈，從而達(dá)到快速分離純化的效果。氮吹儀不僅操作簡(jiǎn)單，而且可以同時(shí)處理多個(gè)樣品，這就大大縮短了檢測(cè)時(shí)間。從而，它得到了廣泛的應(yīng)用。

2.氮吹儀原理--結(jié)構(gòu)組成

氮吹儀主要包括氣體分配室、氣針、高度調(diào)節(jié)支架、氮?dú)饨涌凇⒏叨任⒄{(diào)部件、支柱、固定組件、機(jī)箱、襯套、加熱塊、樣品試管或試瓶等部件。試管通過(guò)帶彈簧的試管夾和支撐盤(pán)來(lái)固定位置。根據(jù)試管大小和溶劑多少，各導(dǎo)氣管可獨(dú)立升降至合適的高度。

3.氮吹儀原理

氮吹儀利用氮?dú)馐且环N不活潑的氣體，能起到隔絕氧氣的作用，如果加強(qiáng)它周?chē)目諝饬鲃?dòng)，提高他的溫度，就可以達(dá)到防止氧化的目的。同時(shí)采用對(duì)底部進(jìn)行加溫，而頂部用氮?dú)饣蚩諝膺M(jìn)行吹掃，通過(guò)氮?dú)獾目焖倭鲃?dòng)可以打破液體上空的氣液平衡，使液體揮發(fā)濃縮速度加快、迅速揮發(fā)，從而達(dá)到讓樣品快速濃縮的目的。

4.氮吹儀原理--應(yīng)用

氮吹儀通過(guò)加熱樣液進(jìn)行吹掃，使得待處理樣品迅速濃縮，從而實(shí)現(xiàn)快速分離純化，它主要應(yīng)用于大批量樣品的濃縮制備，諸如藥wu篩選、激su分析、液相、氣相以及質(zhì)譜分析中的樣品前處理制備。具體應(yīng)用領(lǐng)域如下：

生物分析：如血清、血漿、血液、尿液等;

化學(xué)品殘留、農(nóng)殘分析：如蔬菜、水果、谷物以及植物組織等;

環(huán)境分析：如飲用水、地下水和污染水樣等;

商品檢測(cè)：如檢驗(yàn)克羅夫特等;

食品飲料：如牛奶、酒、啤酒等;

制藥藥檢：如中藥制藥、制藥質(zhì)量控制等;

交流C-V測(cè)試可以揭示材料的氧化層厚度，晶圓工藝的界面陷阱密度，摻雜濃度，摻雜分布以及載流子壽命等，通常使用交流C-V測(cè)試方式來(lái)評(píng)估新工藝，材料， 器件以及電路的質(zhì)量和可靠性等。比如在MOS結(jié)構(gòu)中， C-V測(cè)試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底 摻雜濃度N、氧化層中可動(dòng)電荷面密度Q1、和固定電 荷面密度Qfc等參數(shù)。

C-V測(cè)試要求測(cè)試設(shè)備滿(mǎn)足寬頻率范圍的需求，同時(shí)連線簡(jiǎn)單，系統(tǒng)易于搭建，并具備系統(tǒng)補(bǔ)償功能，以補(bǔ)償系統(tǒng)寄生電容引入的誤差。

進(jìn)行C-V測(cè)量時(shí)，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時(shí)利用一個(gè)交流信號(hào)進(jìn)行測(cè)量。一般這類(lèi)測(cè)量中使用的交流信號(hào)頻率在10KHz到10MHz之間。所加載的 直流偏壓用作直流電壓掃描，掃描過(guò)程中測(cè)試待測(cè)器件待測(cè)器件的交流電壓和電流，從而計(jì)算出不同電壓下的電容值。

在CV特性測(cè)試方案中，同時(shí)集成了美國(guó)吉時(shí)利公司源表（SMU）和合作伙伴針對(duì)CV測(cè)試設(shè)計(jì)的專(zhuān)用精 密LCR分析儀。源表SMU可以輸出正負(fù)電壓，電壓 輸出分辨率高達(dá)500nV。同時(shí)配備的多款LCR表和 CT8001 直流偏置夾具，可以覆蓋 100Hz~ 1MHz 頻 率和正負(fù)200V電壓范圍內(nèi)的測(cè)試范圍。

方案特點(diǎn)：

★包含C-V（電容-電壓），C-T（電容-時(shí)間），C-F （電容-頻率）等多項(xiàng)測(cè)試測(cè)試功能，C-V測(cè)試可同時(shí)支持測(cè)試四條不同頻率下的曲線

★測(cè)試和計(jì)算過(guò)程由軟件自動(dòng)執(zhí)行，能夠顯示數(shù)據(jù)和 曲線，節(jié)省時(shí)間

★提供外置直流偏壓盒，偏壓支持到正負(fù)200V， 頻率范圍 100Hz - 1MHz。

★支持使用吉時(shí)利24XX/26XX系列源表提供偏壓

測(cè)試功能：

電壓-電容掃描測(cè)試

頻率-電容掃描測(cè)試

電容-時(shí)間掃描測(cè)試

MOS器件二氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度等參數(shù)的計(jì)算

原始數(shù)據(jù)圖形化顯示和保存

MOS電容的 C-V 特性測(cè)試方案

系統(tǒng)結(jié)構(gòu)：

系統(tǒng)主要由源表、LCR 表、探針臺(tái)和上位機(jī)軟件組成。 LCR 表支持的測(cè)量頻率范圍在0.1Hz~ 30MHz。源表 (SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過(guò)偏置夾具盒 CT8001加載在待測(cè)件上。

LCR 表測(cè)試交流阻抗的方式是在 HCUR 端輸出交流電 流，在 LCUR 端測(cè)試電流，同時(shí)在 HPOT 和 LPOT 端 測(cè)量電壓值。電壓和電流通過(guò)鎖相環(huán)路同步測(cè)量，可 以精確地得到兩者之間的幅度和相位信息，繼而可以推算出交流阻抗參數(shù)。

典型方案配置：

系統(tǒng)參數(shù)：

下表中參數(shù)以 PCA1000 LCR 表和 2450 源表組成的 C-V測(cè)試系統(tǒng)為例：

安泰測(cè)試已為西安多所院校、企業(yè)和研究所提供吉時(shí)利源表現(xiàn)場(chǎng)演示，并獲得客戶(hù)的高度認(rèn)可，安泰測(cè)試將和泰克吉時(shí)利廠家一起，為客戶(hù)提供更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)和全面的測(cè)試方案，為客戶(hù)解憂(yōu)。

       基于二維材料的范德瓦爾斯界面在光電子器件領(lǐng)域具有廣泛的發(fā)展前景，不同材料組成的界面可以在很大程度上調(diào)控器件的發(fā)光光譜范圍。然而，層間堆疊方式不同帶來(lái)的晶格失配以及錯(cuò)位都會(huì)YZ電子與聲子耦合作用，影響光電器件的工作效率。近期，瑞士日內(nèi)瓦大學(xué)的的Alberto F. Morpurgo?教授課題組在《自然-材料》雜志上發(fā)表了低溫光致發(fā)光光譜研究設(shè)計(jì)范德瓦爾斯界面的工作。通過(guò)組合導(dǎo)帶底部與價(jià)帶頂部都在Γ點(diǎn)（倒格矢空間）的二維晶體材料，形成范德瓦爾斯界面，避免了動(dòng)量失配。這樣的范德瓦爾斯界面將不受光學(xué)躍遷與晶格常數(shù)、兩層材料之間旋轉(zhuǎn)角或者晶格錯(cuò)位的影響，為基于二維原子晶體的光電子器件的發(fā)展打下了重要的基礎(chǔ)。

       雙層或者多層過(guò)渡金屬硫化物（例如WS₂，MoS₂, MoSe₂ ）的價(jià)帶頂部在Γ點(diǎn)，可以與導(dǎo)帶底部在Γ點(diǎn)的多層InSe材料形成范德瓦爾斯界面，該界面允許直接躍遷。通過(guò)分析光致發(fā)光光譜（PL光譜）對(duì)雙層InSe與雙層WS₂范德瓦爾斯界面的測(cè)量結(jié)果（見(jiàn)圖1），可以判定雙層InSe與雙層WS₂范德瓦爾斯界面的直接躍遷存在且能量為1.55eV。

圖1. (a)雙層InSe與雙層WS₂的結(jié)構(gòu)示意圖。 (b)雙層InSe與雙層WS₂的能帶圖。(c）溫度5K時(shí)雙層InSe與雙層WS₂范德瓦爾斯界面的光致發(fā)光光譜， 內(nèi)置圖：2L-InSe/2L-WS₂光學(xué)照片。比例尺：10微米。

       通過(guò)分析發(fā)光光譜隨溫度變化的數(shù)據(jù)（圖2a-b），研究者發(fā)現(xiàn)雙層InSe與雙層WS₂范德瓦爾斯界面的直接躍遷發(fā)光光譜隨溫度降低強(qiáng)度增加。該界面發(fā)光光譜隨激光強(qiáng)度增加的變化（圖2c）也表明其發(fā)光機(jī)制是直接躍遷。圖2d為6層InSe與雙層WS₂界面切面SEM電鏡圖。通過(guò)分析該6層InSe與雙層WS₂范德瓦爾斯界面的切面發(fā)光光譜的旋光數(shù)據(jù)（圖2e）可直接證實(shí)該界面是直接躍遷的機(jī)制。

圖2. (a-b): 雙層InSe與雙層WS₂范德瓦爾斯界面PL光譜隨溫度變化數(shù)據(jù)圖。(c):光譜隨激發(fā)激光強(qiáng)度的變化。(d):6層InSe與雙層WS₂界面切面的SEM電鏡圖。（e）6層InSe與雙層WS₂界面切面處發(fā)光光譜的旋光數(shù)據(jù)圖。

       研究者也分析了多層InSe與雙層WS2范德瓦爾斯界面PL光譜（圖3a-b）以及四層InSe與多層WS2范德瓦爾斯界面PL光譜。綜合分析以上不同層數(shù)二維材料組成的范德瓦爾斯界面PL光譜的能帶圖以及實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，表明該不同層數(shù)二維材料組成的范德瓦爾斯界面未受到兩層材料之間旋轉(zhuǎn)角或者晶格錯(cuò)位的影響而存在層間發(fā)光光譜。

圖3.  (a) 多層InSe與雙層WS2范德瓦爾斯界面PL光譜數(shù)據(jù)，溫度為5K。(b): InSe與雙層WS2范德瓦爾斯界面PL光譜能量與InSe層數(shù)關(guān)系圖。(c): 四層InSe與多層WS2范德瓦爾斯界面PL光譜能量與WS2層數(shù)關(guān)系圖。

       文章中，作者使用了德國(guó)attocube公司的attoDRY系列低溫恒溫器來(lái)實(shí)現(xiàn)器件在極低溫條件下使用熒光光譜分析二維材料中的范德瓦爾斯界面。文章實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明通過(guò)合理的選擇二維材料組合成范德瓦爾斯界面，可以設(shè)計(jì)出具有很寬廣發(fā)光范圍的光電器件。

圖4：低振動(dòng)無(wú)液氦磁體與恒溫器—attoDRY系列，超低振動(dòng)是提供高分辨率與長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定光譜的關(guān)鍵因素。

attoDRY2100+CFM I主要技術(shù)特點(diǎn)：

+ 應(yīng)用范圍廣泛:  PL/EL/ Raman等光譜測(cè)量

+ 變溫范圍：1.8K - 300K

+ 空間分辨率：< 1 mm

+ 無(wú)液氦閉環(huán)恒溫器

+ 工作磁場(chǎng)范圍：0...9T (12T, 9T-3T，9T-1T-1T矢量磁體可選)

+ 低溫消色差物鏡NA=0.82

+ 精細(xì)定位范圍： 5mm X 5mm X 5mm @ 4K

+ 精細(xì)掃描范圍：30 mm X 30 mm@4K

+ 可進(jìn)行電學(xué)測(cè)量，配備標(biāo)準(zhǔn)chip carrier

+ 可升級(jí)到AFM/MFM、PFM、ct-AFM、KPFM、SHPM等功能

參考文獻(xiàn)：

[1]. Nicolas Ubrig? et al, Design of van der Waals interfaces for broad spectrum optoelectronics, Nature Materials,19,299–304 (2020) 

半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ)，包含大量的 雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管等。 直流I-V測(cè)試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的 基石。通常使用I-V特性分析，或I-V曲線，來(lái)決定器 件的基本參數(shù)。微電子器件種類(lèi)繁多，引腳數(shù)量和待 測(cè)參數(shù)各不相同，除此以外，新材料和新器件對(duì)測(cè)試 設(shè)備提出了更高的要求，要求測(cè)試設(shè)備具備更高的低 電流測(cè)試能力，且能夠支持各種功率范圍的器件。

分立器件I-V特性測(cè)試的主要目的是通過(guò)實(shí)驗(yàn)，幫助工 程師提取半導(dǎo)體器件的基本I-V特性參數(shù)，并在整個(gè)工 藝流程結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣。

隨著器件幾何尺寸的減小，半導(dǎo)體器件特性測(cè)試對(duì)測(cè) 試系統(tǒng)的要求越來(lái)越高。通常這些器件的接觸電極尺 寸只有微米量級(jí)，這些對(duì)低噪聲源表，探針臺(tái)和顯微 鏡性能都提出了更高的要求。

半導(dǎo)體分立器件I-V特性測(cè)試方案，泰克公司與合作 伙伴使用泰克吉時(shí)利公司開(kāi)發(fā)的高精度源測(cè)量單元 （SMU）為核心測(cè)試設(shè)備，配備使用簡(jiǎn)便靈活，功能 豐富的CycleStar測(cè)試軟件，及穩(wěn)定的探針臺(tái)，為客戶(hù)提供了可靠易用的解決方案，極大的提高了用戶(hù) 的工作效率。

吉時(shí)利方案特點(diǎn)：

豐富的內(nèi)置元器件庫(kù)，可以根據(jù)測(cè)試要求選擇所需要的待測(cè)件類(lèi)型；

測(cè)試和計(jì)算過(guò)程由軟件自動(dòng)執(zhí)行，能夠顯示數(shù)據(jù)和曲線，節(jié)省了大量的時(shí)間；

穩(wěn)定的探針臺(tái)，針座分辨率可高達(dá)0.7um，顯微鏡放大倍數(shù)高達(dá)x195倍；

可支持同時(shí)操作兩臺(tái)吉時(shí)利源表，可以完成三端口器件測(cè)試。

測(cè)試功能：

二極管特性的測(cè)量與分析

極型晶體管BJT特性的測(cè)量與分析

MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性的測(cè)量與分析

MOS 器件的參數(shù)提取

系統(tǒng)結(jié)構(gòu)：

系統(tǒng)主要由一臺(tái)或兩臺(tái)源精密源測(cè)量單元（SMU）、 夾具或探針臺(tái)、上位機(jī)軟件構(gòu)成。以三端口MOSFET 器件為例，共需要以下設(shè)備：

1、兩臺(tái)吉時(shí)利 2450 精密源測(cè)量單元

2、四根三同軸電纜

3、夾具或帶有三同軸接口的探針臺(tái)

4、三同軸T型頭

5、上位機(jī)軟件與源測(cè)量單元（SMU）的連接方式如下圖所示，可以使用LAN/USB/GPIB中的任何一個(gè)接口進(jìn)行連接。

系統(tǒng)連接示意圖：

典型方案配置：

西安某高?，F(xiàn)場(chǎng)演示圖

安泰測(cè)試已為西安多所院校、企業(yè)和研究所提供吉時(shí)利源表現(xiàn)場(chǎng)演示，并獲得客戶(hù)的高度認(rèn)可，安泰測(cè)試將和泰克吉時(shí)利廠家一起，為客戶(hù)提供更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)和全面的測(cè)試方案，為客戶(hù)解憂(yōu)。

電容-電壓(C-V)測(cè)量廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOS CAP和MOSFET結(jié)構(gòu)，C-V 測(cè)試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底摻雜濃度N、氧化層中可動(dòng)電荷面密度Q1、和固定電荷面密度Qfc等參數(shù)。

C-V測(cè)試方法

進(jìn)行 C-V 測(cè)量時(shí)，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時(shí)利用一個(gè)交流信號(hào)進(jìn)行測(cè)量。一般這類(lèi)測(cè)量中使用的交流信號(hào)頻率在10KHz 到10MHz 之間。所加載的直流偏壓用作直流電壓掃描，掃描過(guò)程中測(cè)試待測(cè)器件待測(cè)器件的交流電壓和電流，從而計(jì)算出不同電壓下的電容值。

C-V測(cè)試系統(tǒng)

LCR表與待測(cè)件連接圖

MOS電容的C-V測(cè)試系統(tǒng)主要由源表、LCR 表、探針臺(tái)和上位機(jī)軟件組成。LCR 表支持的測(cè)量頻率范圍在 0.1Hz~30MHz。源表(SMU) 負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過(guò)偏置夾具盒CT8001 加載在待測(cè)件上。以PCA1000LCR表和吉時(shí)利2450源表組成的C-V 測(cè)試系統(tǒng)為例，可以滿(mǎn)足精確測(cè)量的要求：

吉時(shí)利2450系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

吉時(shí)利2450型觸摸屏數(shù)字源表是一款集I—V特性測(cè)試、曲線追蹤儀和半導(dǎo)體分析儀功能于一體的低成本數(shù)字源表。吉時(shí)利2450豐富的功能也讓它非常適合集成到自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)中：

●嵌入式測(cè)試腳本處理器 (TSP)：它將完整的測(cè)度程序加載到儀器的非易失性存儲(chǔ)器，無(wú)需依賴(lài)外部PC控制器，產(chǎn)能更高。

●TSP-Link通信總線：支持測(cè)試系統(tǒng)擴(kuò)展，實(shí)現(xiàn)多臺(tái)2450儀器和其他基于TSP技術(shù)儀器的系統(tǒng)拓展，拓展的測(cè)試系統(tǒng)最多可連接32臺(tái)2450，在一臺(tái)主儀器的TSP控制下進(jìn)行多點(diǎn)或多通道并行測(cè)試。

●兼容的2400工作模式：除了2450 SCPI工作模式， 2450還支持2400 SCPI工作模式，并兼容現(xiàn)有的2400 SCPI程序。這保護(hù)了用戶(hù)的軟件投資，避免儀器升級(jí)換代所帶來(lái)測(cè)試軟件的轉(zhuǎn)換工作。

●PC連接和自動(dòng)化：后面板三同軸電纜連接端口、儀器通信接口（GPIB、USB 2.0和LXI/Ethernet）、D型9針數(shù)字I/O端口（用于內(nèi)部/外部觸發(fā)信號(hào)及機(jī)械臂控制）、儀器安全互鎖裝置及TSP-Link連接端口簡(jiǎn)化多儀器測(cè)試系統(tǒng)的集成。

安泰測(cè)試作為泰克吉時(shí)利長(zhǎng)期合作伙伴，專(zhuān)業(yè)提供設(shè)備選型和測(cè)試方案的提供，為西安多家企業(yè)和院校提供吉時(shí)利源表現(xiàn)場(chǎng)演示，并獲得客戶(hù)的高度認(rèn)可，如果您想了解吉時(shí)利源表更多應(yīng)用方案，歡迎訪問(wèn)安泰測(cè)試網(wǎng)。