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- gcv83 2017-01-04 00:00:00
- X射線熒光衍射:利用初級X射線光子或其他微觀離子激發(fā)待測物質(zhì)中的原子,使之產(chǎn)生熒光(次級X射線)而進行物質(zhì)成分分析和化學態(tài)研究的方法.按激發(fā)、色散和探測方法的不同,分為X射線光譜法(波長色散)和X射線能譜法(能量色散). 當原子受到X射線光子(原級X射線)或其他微觀粒子的激發(fā)使原子內(nèi)層電子電離而出現(xiàn)空位,原子內(nèi)層電子重新配位,較外層的電子躍遷到內(nèi)層電子空位,并同時放射出次級X射線光子,此即X射線熒光.較外層電子躍遷到內(nèi)層電子空位所釋放的能量等于兩電子能級的能量差,因此,X射線熒光的波長對不同元素是特征的. 根據(jù)色散方式不同,X射線熒光分析儀相應(yīng)分為X射線熒光光譜儀(波長色散)和X射線熒光能譜儀(能量色散). X射線熒光光譜儀主要由激發(fā)、色散、探測、記錄及數(shù)據(jù)處理等單元組成.激發(fā)單元的作用是產(chǎn)生初級X射線.它由高壓發(fā)生器和X光管組成.后者功率較大,用水和油同時冷卻.色散單元的作用是分出想要波長的X射線.它由樣品室、狹縫、測角儀、分析晶體等部分組成.通過測角器以1∶2速度轉(zhuǎn)動分析晶體和探測器,可在不同的布拉格角位置上測得不同波長的X射線而作元素的定性分析.探測器的作用是將X射線光子能量轉(zhuǎn)化為電能,常用的有蓋格計數(shù)管、正比計數(shù)管、閃爍計數(shù)管、半導體探測器等.記錄單元由放大器、脈沖幅度分析器、顯示部分組成.通過定標器的脈沖分析信號可以直接輸入計算機,進行聯(lián)機處理而得到被測元素的含量. X射線熒光能譜儀沒有復雜的分光系統(tǒng),結(jié)構(gòu)簡單.X射線激發(fā)源可用X射線發(fā)生器,也可用放射性同位素.能量色散用脈沖幅度分析器 .探測器和記錄等與X射線熒光光譜儀相同. X射線熒光光譜儀和X射線熒光能譜儀各有優(yōu)缺點.前者分辨率高,對輕、重元素測定的適應(yīng)性廣.對高低含量的元素測定靈敏度均能滿足要求.后者的X射線探測的幾何效率可提高2~3數(shù)量級,靈敏度高.可以對能量范圍很寬的X射線同時進行能量分辨(定性分析)和定量測定.對于能量小于2萬電子伏特左右的能譜的分辨率差. X射線熒光分析法用于物質(zhì)成分分析,檢出限一般可達10-5~10-6克/克(g/g),對許多元素可測到10-7~10-9g/g,用質(zhì)子激發(fā)時 ,檢出可達10-12g/g;強度測量的再現(xiàn)性好;便于進行無損分析;分析速度快;應(yīng)用范圍廣,分析范圍包括原子序數(shù)Z≥3的所有元素.除用于物質(zhì)成分分析外,還可用于原子的基本性質(zhì)如氧化數(shù)、離子電荷、電負性和化學鍵等的研究.
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一、物相分析
根據(jù)晶體對X射線的衍射特征-衍射線的位置、強度及數(shù)量來鑒定結(jié)晶物質(zhì)之物相的方法,就是X射線物相分析法。一張衍射圖譜上衍射線的位置(方向)僅和原子排列周期性有關(guān);衍射線的強度則取決于原子種類、含量、相對位置等性質(zhì);衍射線的位置和強度就完整地反映了晶體結(jié)構(gòu)的二個特征,從而成為辨別物相的依據(jù)。
1、定性分析方法
(1)圖譜直接對比法:直接比較待測樣品和已知物相的譜圖,該法可直觀簡單的對物相進行鑒定,但相互比較的譜圖應(yīng)在相同的實驗條件下獲取,該法比較適合于常見相及可推測相的分析。
(2)數(shù)據(jù)對比法:將實測數(shù)據(jù)(2θ、d、I/I1)與標準衍射數(shù)據(jù)比較,可對物相進行鑒定。
(3)計算機自動檢索鑒定法:建立標準物相衍射數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)庫(PDF卡片),將樣品的實測數(shù)據(jù)輸入計算機,由計算機按相應(yīng)的程序進行檢索,但這種方法還在不斷地完善。
2、定量分析方法
每種物相的衍射線強度隨其相含量的增加而提高,由強度值的計算可確定物相的含量。定量分析可用來確定混合物中某一化合物的含量。
對于多相樣品,當通過定性相分析確定了樣品中所存在的物相后,就需要更深入的了解各相的相對百分含量。目前定量方法有:外標法、內(nèi)標法、標準加入法、RIR值法,其中RIR值法最為簡單方便。
RIR法定量是利用各種純物質(zhì)與α三氧化二鋁按照重量比1:1混合,測試二者強度的比值K,制作成一個數(shù)據(jù)庫,在日常多組分混合物定量分析時,將K值引入利用計算機擬合計算各物相組分含量。
需要說明的是此定量結(jié)果為半定量,當然在具體樣品分析時,可以將ICP-OES、碳硫氧氮等元素分析方法結(jié)合起來,提高定量準確性。若樣品又含有有機物,也可將FTIR、TGA、GC-MS結(jié)合起來進行定量分析。
測試樣品:未知化合物成分分析、某化合物中不同物相定量分析(如二氧化鈦中的銳鈦礦物相和金紅石物相含量)、輔助失效分析、輔助礦物分析、輔助高分子材料定量分析。
二、精密測定點陣參數(shù)
點陣常數(shù)是晶體物質(zhì)的基本結(jié)構(gòu)參數(shù)。點陣常數(shù)的測定是通過X射線衍射線的位置(θ)的測定而獲得的。
確定點陣參數(shù)的主要方法是多晶X射線衍射法。
X射線衍射法測定點陣參數(shù)是利用精確測得的晶體衍射線峰位2θ角數(shù)據(jù),然后根據(jù)布拉格定律和點陣參數(shù)與晶面間距d值之間的關(guān)系式計算點陣參數(shù)的值。
點陣參數(shù)精確測定的應(yīng)用:可用于研究物質(zhì)的熱膨脹系數(shù)、固溶體類型及含量、固相溶解度曲線、宏觀應(yīng)力、化學熱處理層的分析、過飽和固溶體分解過程等。
三、宏觀應(yīng)力的測定
宏觀應(yīng)力的存在使部件內(nèi)部的晶面間距發(fā)生改變,所以可以借助X射線衍射方法來測定材料部件中的應(yīng)力。
按照布拉格定律可知:在一定波長輻射發(fā)生衍射的條件下,晶面間距的變化導致衍射角的變化,測定衍射角的變化即可算出宏觀應(yīng)變,因而可進一步計算得到應(yīng)力大小。
X射線衍射法來測定試樣中宏觀應(yīng)力的優(yōu)點:
(1)可以測量試樣上小面積和極薄層內(nèi)的宏觀應(yīng)力,如果與剝層方法相結(jié)合,還可測量宏觀應(yīng)力在不同深度上的梯度變化;
(2)不用破壞試樣即可測量;
(3)測量結(jié)果可靠性高;
四、晶粒尺寸大小的測定
材料中晶粒尺寸小于10nm時,將導致多晶衍射實驗的衍射峰顯著增寬。故根據(jù)衍射峰的增寬可以測定其晶粒尺寸。
在不考慮晶體點陣畸變的影響條件下,無應(yīng)力微晶尺寸可以由謝樂(Scherrer)公式計算 :
D:晶粒尺寸(nm)
q :衍射角
b :衍射峰的半高寬,在計算的過程中,需轉(zhuǎn)化為弧度(rad)
l :單色入射X射線波長
K :為Scherrer常數(shù)
當B為峰的半高寬時 k=0.89
當B為峰的積分寬度時 k=0.94
五、取向分析
測定單晶取向和多晶的結(jié)構(gòu)(擇優(yōu)取向)。測定硅鋼片的取向就是一例。另外,為研究金屬的范性形變過程,如孿生、滑移、滑移面的轉(zhuǎn)動等,也與取向的測定有關(guān)。
擇優(yōu)取向度F參數(shù)的計算:
以計算一般的晶面如(hk1)的F因子為例,需計算出與該晶面方向平行的所有晶面的強度之和。
六、結(jié)晶度的測定
結(jié)晶性高聚物中晶體部分所占的百分比叫做結(jié)晶度。是一種重要的工藝指標。低分子晶體,由于完全結(jié)晶,沒有結(jié)晶度問題。高分子晶體,由于長的鏈狀結(jié)構(gòu)不易完全整規(guī)排列,往往導致非完全結(jié)晶。
兩態(tài)分明體系的衍射圖由兩部分簡單疊加而成。一部分是晶態(tài)產(chǎn)生的衍射峰,另一部分非晶態(tài)產(chǎn)生的彌散隆峰。理論上推導得出如下質(zhì)量的結(jié)晶度公式:
通過軟件計算的結(jié)晶度為相對結(jié)晶度,主要是針對晶態(tài)和非晶態(tài)差別明顯的衍射圖進行分析。常見四種結(jié)晶狀態(tài)的XRD圖譜:
(a)結(jié)晶完整的晶體,晶粒較大,內(nèi)部原子的排列比較規(guī)則,衍射譜線強、尖銳且對稱;(b)非晶樣品沒有衍射峰;
(b)結(jié)晶不完整的晶體,由于晶粒過于細小,晶體中有缺陷而使衍射峰形寬闊而彌散;
(d)結(jié)晶度越差,衍射能力越弱,峰形越寬。
七、XRD其他方面的應(yīng)用
*對晶體結(jié)構(gòu)不完整性的研究
包括對層錯、位錯、原子靜態(tài)或動態(tài)地偏離平衡位置,短程有序,原子偏聚等方面的研究。
*結(jié)構(gòu)分析
對新發(fā)現(xiàn)的合金相進行測定,確定點陣類型、點陣參數(shù)、對稱性、原子位置等晶體學數(shù)據(jù)。
*液態(tài)金屬和非晶態(tài)金屬
研究非晶態(tài)、液態(tài)金屬結(jié)構(gòu),如測定近程序參量、配位數(shù)等。
*合金相變
包括脫溶、有序無序轉(zhuǎn)變、母相新相的晶體學關(guān)系等。
*特殊狀態(tài)下的分析
在高溫、低溫和瞬時的動態(tài)分析。
*此外,小角度散射用于研究電子濃度不均勻區(qū)的形狀和大小;X射線形貌術(shù)用于研究近完整晶體中的缺陷如位錯線等。
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