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它來了!近紅外光譜“力挺”半導體行業(yè)

瑞士萬通中國 2020-11-19 14:36:52 621  瀏覽
  • 什么是半導體?

    半導體( semiconductor),指常溫下導電性能介于導體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。

    半導體按照制造技術可以分為:集成電路器件、分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類。


    什么是芯片?

    芯片,又稱微電路(microcircuit)、微芯片(microchip)、集成電路(integrated circuit, IC)。是指內含集成電路的硅片,體積很小,常常是計算機或其他電子設備的一部分。


    制造工藝流程

    注:CMP即化學機械拋光

    *圖片來源自網(wǎng)絡

    光刻和刻蝕

    光刻是將圖形轉移到覆蓋在半導體硅片表面的光刻膠上的過程。這些圖形必須再轉移到光刻膠下面組成器件的各薄層上,這一工藝過程我們稱之為刻蝕,即選擇性地刻蝕掉該薄層上未被掩蔽的部分。


    刻蝕的方法

    刻蝕有兩種基本方法:濕法化學刻蝕和干法刻蝕。

    濕法化學刻蝕的機理主要包括三個階段:反應物通過擴散到反應物表面,化學反應在表面上進行,然后通過擴散將反應生成物從表面移除。濕法化學刻蝕較為適用于多晶硅、氧化物、氮化物、金屬和Ⅲ-Ⅴ族化合物的表面刻蝕。

    近紅外光譜技術

    因其特有的優(yōu)勢在半導體行業(yè)有著廣泛的應用

    √非侵入式的方法

    √防止的微小的污染

    √準確性高,重現(xiàn)性好

    √無需稀釋樣品

    √可以定量分析

    √既能做化學分析又能做物理指標

    √含有特制光纖探頭的在線近紅外光譜儀可以集成到整個系統(tǒng)中


    應用案例

    使用近紅外光譜儀測定混酸刻蝕液

    分別選用1mm和4mm光程的比色皿測得譜圖如下,通過觀察光譜可以發(fā)現(xiàn)從1900nm開始4mm光程的比色皿光譜噪聲開始增加,因此我們選用1mm光程比色皿進行測定。

    通過Vision軟件建模,并測定的混酸刻蝕液各組分含量與實驗室常規(guī)方法分析的數(shù)值如下表所示,可以看到近紅外的預測結果與實驗室方法基本一致,誤差很小。


    應用案例

    使用在線近紅外光譜儀測定清洗液

    如下圖為使用瑞士萬通在線近紅外光譜儀連續(xù)監(jiān)控客戶的SC1清洗液狀態(tài)。我們可以看到隨著清洗液的消耗,NH4OH的含量逐漸降低,客戶可以根據(jù)監(jiān)控的情況操作清洗流程。

    應用案例

    使用在線近紅外光譜儀動態(tài)監(jiān)測IPA異丙醇

    IPA異丙醇作為清洗去除劑,在清洗的過程中會有雜質混入該溶劑。它的近紅外光譜如下圖,在1900nm~2000nm波長范圍內,明顯可見雜質EKC-265對譜圖的影響。

    我們利用該波段建立EKC-265的近紅外模型,可以看到模型的R2達9.9989,SEC為0.0629。利用該模型我們就可以即可監(jiān)控異丙醇中的雜質含量的變化。

    瑞士萬通DS2500 近紅外光譜液體分析儀及配件

    XDS在線近紅外光譜分析儀

    無損光譜技術

    波長范圍800nm~2200nm,可實現(xiàn)廣泛的應用

    可實時進行定性分析、多組分定量分析與趨勢分析

    儀器符合NEMA4X防護等級

    無需化學試劑,綠色環(huán)保節(jié)約成本

    特氟龍材質流通池

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熱門問答

它來了!近紅外光譜“力挺”半導體行業(yè)

什么是半導體?

半導體( semiconductor),指常溫下導電性能介于導體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。

半導體按照制造技術可以分為:集成電路器件、分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類。


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芯片,又稱微電路(microcircuit)、微芯片(microchip)、集成電路(integrated circuit, IC)。是指內含集成電路的硅片,體積很小,常常是計算機或其他電子設備的一部分。


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注:CMP即化學機械拋光

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光刻和刻蝕

光刻是將圖形轉移到覆蓋在半導體硅片表面的光刻膠上的過程。這些圖形必須再轉移到光刻膠下面組成器件的各薄層上,這一工藝過程我們稱之為刻蝕,即選擇性地刻蝕掉該薄層上未被掩蔽的部分。


刻蝕的方法

刻蝕有兩種基本方法:濕法化學刻蝕和干法刻蝕。

濕法化學刻蝕的機理主要包括三個階段:反應物通過擴散到反應物表面,化學反應在表面上進行,然后通過擴散將反應生成物從表面移除。濕法化學刻蝕較為適用于多晶硅、氧化物、氮化物、金屬和Ⅲ-Ⅴ族化合物的表面刻蝕。

近紅外光譜技術

因其特有的優(yōu)勢在半導體行業(yè)有著廣泛的應用

√非侵入式的方法

√防止的微小的污染

√準確性高,重現(xiàn)性好

√無需稀釋樣品

√可以定量分析

√既能做化學分析又能做物理指標

√含有特制光纖探頭的在線近紅外光譜儀可以集成到整個系統(tǒng)中


應用案例

使用近紅外光譜儀測定混酸刻蝕液

分別選用1mm和4mm光程的比色皿測得譜圖如下,通過觀察光譜可以發(fā)現(xiàn)從1900nm開始4mm光程的比色皿光譜噪聲開始增加,因此我們選用1mm光程比色皿進行測定。

通過Vision軟件建模,并測定的混酸刻蝕液各組分含量與實驗室常規(guī)方法分析的數(shù)值如下表所示,可以看到近紅外的預測結果與實驗室方法基本一致,誤差很小。


應用案例

使用在線近紅外光譜儀測定清洗液

如下圖為使用瑞士萬通在線近紅外光譜儀連續(xù)監(jiān)控客戶的SC1清洗液狀態(tài)。我們可以看到隨著清洗液的消耗,NH4OH的含量逐漸降低,客戶可以根據(jù)監(jiān)控的情況操作清洗流程。

應用案例

使用在線近紅外光譜儀動態(tài)監(jiān)測IPA異丙醇

IPA異丙醇作為清洗去除劑,在清洗的過程中會有雜質混入該溶劑。它的近紅外光譜如下圖,在1900nm~2000nm波長范圍內,明顯可見雜質EKC-265對譜圖的影響。

我們利用該波段建立EKC-265的近紅外模型,可以看到模型的R2達9.9989,SEC為0.0629。利用該模型我們就可以即可監(jiān)控異丙醇中的雜質含量的變化。

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波長范圍800nm~2200nm,可實現(xiàn)廣泛的應用

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2024-11-19 15:40:45 274 0
近紅外光譜解析實用指南。。謝謝
 
2017-11-05 04:12:31 496 2

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