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問(wèn)答社區(qū)

薄膜厚度和沉積率的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)主要有哪些方法

銘軒海祖公司 2017-11-01 17:09:55 367  瀏覽
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參與評(píng)論

全部評(píng)論(1條)

  • ruchanghui1990 2017-11-02 00:00:00
    真空鍍膜就是置待鍍材料和被鍍基板于真空室內(nèi),采用一定方法加熱待鍍材料,使之蒸發(fā)或升華,并飛行濺射到被鍍基板表面凝聚成膜的工藝。 一、鍍膜的方法及分類 在真空條件下成膜有很多優(yōu)點(diǎn):可減少蒸發(fā)材料的原子、分子在飛向基板過(guò)程中于分子的碰撞,減少氣體中的活性分子和蒸發(fā)源材料間的化學(xué)反應(yīng)(如氧化等),以及減少成膜過(guò)程中氣體分子進(jìn)入薄膜中成為雜質(zhì)的量,從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。通常真空蒸鍍要求成膜室內(nèi)壓力等于或低于10-2Pa,對(duì)于蒸發(fā)源與基板距離較遠(yuǎn)和薄膜質(zhì)量要求很高的場(chǎng)合,則要求壓力更低。 主要分為一下幾類: 蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。 蒸發(fā)鍍膜:通過(guò)加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面,稱為蒸發(fā)鍍膜。這種方法Z早由M.法拉第于1857年提出,現(xiàn)代已成為常用鍍膜技術(shù)之一。 蒸發(fā)物質(zhì)如金屬、化合物等置于坩堝內(nèi)或掛在熱絲上作為蒸發(fā)源,待鍍工件,如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩堝前方。待系統(tǒng)抽至高真空后,加熱坩堝使其中的物質(zhì)蒸發(fā)。蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數(shù)百埃至數(shù)微米。膜厚決定于蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率和時(shí)間(或決定于裝料量),并與源和基片的距離有關(guān)。對(duì)于大面積鍍膜,常采用旋轉(zhuǎn)基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發(fā)源到基片的距離應(yīng)小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程,以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學(xué)作用。蒸氣分子平均動(dòng)能約為0.1~0.2電子伏。 蒸發(fā)源有三種類型。①電阻加熱源:用難熔金屬如鎢、鉭制成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置于坩堝中的蒸發(fā)物質(zhì)。電阻加熱源主要用于蒸發(fā)Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。②高頻感應(yīng)加熱源:用高頻感應(yīng)電流加熱坩堝和蒸發(fā)物質(zhì)。③電子束加熱源:適用于蒸發(fā)溫度較高(不低于2000[618-1])的材料,即用電子束轟擊材料使其蒸發(fā)。 蒸發(fā)鍍膜與其他真空鍍膜方法相比,具有較高的沉積速率,可鍍制單質(zhì)和不易熱分解的化合物膜。 為沉積高純單晶膜層,可采用分子束外延方法。生長(zhǎng)摻雜的GaAlAs單晶層的分子束外延裝置。噴射爐中裝有分子束源,在超高真空下當(dāng)它被加熱到一定溫度時(shí),爐中元素以束狀分子流射向基片?;患訜岬揭欢囟龋练e在基片上的分子可以徙動(dòng),按基片晶格次序生長(zhǎng)結(jié)晶用分子束外延法可獲得所需化學(xué)計(jì)量比的高純化合物單晶膜,薄膜Z慢生長(zhǎng)速度可控制在1單層/秒。通過(guò)控制擋板,可精確地做出所需成分和結(jié)構(gòu)的單晶薄膜。分子束外延法廣泛用于制造各種光集成器件和各種超晶格結(jié)構(gòu)薄膜。 濺射鍍膜:用高能粒子轟擊固體表面時(shí)能使固體表面的粒子獲得能量并逸出表面,沉積在基片上。濺射現(xiàn)象于1870年開(kāi)始用于鍍膜技術(shù),1930年以后由于提高了沉積速率而逐漸用于工業(yè)生產(chǎn)。通常將欲沉積的材料制成板材——靶,固定在陰極上?;糜谡龑?duì)靶面的陽(yáng)極上,距靶幾厘米。系統(tǒng)抽至高真空后充入 10-1帕的氣體(通常為氬氣),在陰極和陽(yáng)極間加幾千伏電壓,兩極間即產(chǎn)生輝光放電。放電產(chǎn)生的正離子在電場(chǎng)作用下飛向陰極,與靶表面原子碰撞,受碰撞從靶面逸出的靶原子稱為濺射原子,其能量在1至幾十電子伏范圍。濺射原子在基片表面沉積成膜。與蒸發(fā)鍍膜不同,濺射鍍膜不受膜材熔點(diǎn)的限制,可濺射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等難熔物質(zhì)。濺射化合物膜可用反應(yīng)濺射法,即將反應(yīng)氣體 (O、N、HS、CH等)加入Ar氣中,反應(yīng)氣體及其離子與靶原子或?yàn)R射原子發(fā)生反應(yīng)生成化合物(如氧化物、氮化物等)而沉積在基片上。沉積絕緣膜可采用高頻濺射法?;b在接地的電極上,絕緣靶裝在對(duì)面的電極上。高頻電源一端接地,一端通過(guò)匹配網(wǎng)絡(luò)和隔直流電容接到裝有絕緣靶的電極上。接通高頻電源后,高頻電壓不斷改變極性。等離子體中的電子和正離子在電壓的正半周和負(fù)半周分別打到絕緣靶上。由于電子遷移率高于正離子,絕緣靶表面帶負(fù)電,在達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí),靶處于負(fù)的偏置電位,從而使正離子對(duì)靶的濺射持續(xù)進(jìn)行。采用磁控濺射可使沉積速率比非磁控濺射提高近一個(gè)數(shù)量級(jí)。 離子鍍:蒸發(fā)物質(zhì)的分子被電子碰撞電離后以離子沉積在固體表面,稱為離子鍍。這種技術(shù)是D.麥托克斯于1963年提出的。離子鍍是真空蒸發(fā)與陰極濺射技術(shù)的結(jié)合。一種離子鍍系統(tǒng)如圖4[離子鍍系統(tǒng)示意圖],將基片臺(tái)作為陰極,外殼作陽(yáng)極,充入惰性氣體(如氬)以產(chǎn)生輝光放電。從蒸發(fā)源蒸發(fā)的分子通過(guò)等離子區(qū)時(shí)發(fā)生電離。正離子被基片臺(tái)負(fù)電壓加速打到基片表面。未電離的中性原子(約占蒸發(fā)料的95%)也沉積在基片或真空室壁表面。電場(chǎng)對(duì)離化的蒸氣分子的加速作用(離子能量約幾百~幾千電子伏)和氬離子對(duì)基片的濺射清洗作用,使膜層附著強(qiáng)度大大提高。離子鍍工藝綜合了蒸發(fā)(高沉積速率)與濺射(良好的膜層附著力)工藝的特點(diǎn),并有很好的繞射性,可為形狀復(fù)雜的工件鍍膜。 二、薄膜厚度的測(cè)量 隨著科技的進(jìn)步和精密儀器的應(yīng)用,薄膜厚度測(cè)量方法有很多,按照測(cè)量的方式分可以分為兩類:直接測(cè)量和間接測(cè)量。直接測(cè)量指應(yīng)用測(cè)量?jī)x器,通過(guò)接觸(或光接觸)直接感應(yīng)出薄膜的厚度。 常見(jiàn)的直接法測(cè)量有:螺旋測(cè)微法、精密輪廓掃描法(臺(tái)階法)、掃描電子顯微法(SEM); 間接測(cè)量指根據(jù)一定對(duì)應(yīng)的物理關(guān)系,將相關(guān)的物理量經(jīng)過(guò)計(jì)算轉(zhuǎn)化為薄膜的厚度,從而達(dá)到測(cè)量薄膜厚度的目的。 常見(jiàn)的間接法測(cè)量有:稱量法、電容法、電阻法、等厚干涉法、變角干涉法、橢圓偏振法。按照測(cè)量的原理可分為三類:稱量法、電學(xué)法、光學(xué)法。 常見(jiàn)的稱量法有:天平法、石英法、原子數(shù)測(cè)定法; 常見(jiàn)的電學(xué)法有:電阻法、電容法、渦流法; 常見(jiàn)的光學(xué)方法有:等厚干涉法、變角干涉法、光吸收法、橢圓偏振法。 下面簡(jiǎn)單介紹三種: 1. 干涉顯微鏡法 干涉條紋間距Δ0,條紋移動(dòng)Δ,臺(tái)階高為t=(Δ/Δ0 )*0.5λ,測(cè)出Δ0 和Δ,即可,其中λ為單色光波長(zhǎng),如用白光,λ取 530nm。 2. 稱重法 如果薄膜面積A,密度ρ和質(zhì)量m可以被精確測(cè)定的話,膜厚t就可以計(jì)算出來(lái): d=m/Aρ。 3 石英晶體振蕩器法 廣泛應(yīng)用于薄膜淀積過(guò)程中厚度的實(shí)時(shí)測(cè)量,主要應(yīng)用于淀積速度,厚度的監(jiān)測(cè),還可以反過(guò)來(lái)(與電子技術(shù)結(jié)合)控制物質(zhì)蒸發(fā)或?yàn)R射的速率,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)于淀積過(guò)程的自動(dòng)控制。 對(duì)于薄膜制造商而言,產(chǎn)品的厚度均勻性是Z重要的指標(biāo)之一,想要有效地控制材料厚度,厚度測(cè)試設(shè)備是必不可少的,但是具體要選擇哪一類測(cè)厚設(shè)備還需根據(jù)軟包材的種類、廠商對(duì)厚度均勻性的要求、以及設(shè)備的測(cè)試范圍等因素而定。 三、真空鍍膜機(jī)保養(yǎng)知識(shí): 1. 關(guān)閉泵加熱系統(tǒng),然后分離蒸鍍室(主要清潔灰塵,于蒸鍍殘?jiān)?2. 關(guān)閉電源或程序打入維護(hù)狀態(tài) 3. 清潔卷繞系統(tǒng)(幾個(gè)滾軸,方阻探頭,光密度測(cè)量器) 4. 清潔中罩室(面板四周) 5. 泵系統(tǒng)冷卻后打開(kāi)清潔(注意千萬(wàn)不能掉入雜物,檢查泵油使用時(shí)間與量計(jì)做出更換或添加處理) 6. 檢查重冷與電氣柜設(shè)備 這次實(shí)習(xí)給了我們了解了鍍膜技術(shù)的原理、技術(shù),使我們了解了工廠的生產(chǎn),感覺(jué)很新穎,收獲很多。

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薄膜厚度和表面測(cè)量先進(jìn)技術(shù)研討會(huì)

會(huì)議概況

2019年5月22日,為了促進(jìn)測(cè)量技術(shù)行業(yè)的需求,優(yōu)尼康科技和清華大學(xué)電子工程系聯(lián)合舉辦的薄膜厚度和表面測(cè)量先進(jìn)技術(shù)研討會(huì),于清華大學(xué)羅姆樓如期舉行。首次置辦,一舉取得圓滿成功。

 

專家精彩的報(bào)告

該次邀請(qǐng)了清華大學(xué),北京大學(xué),北京理工大學(xué)的專家作為演講嘉賓,分別與我們分享了On-line 膜厚監(jiān)控在超精密切削加工中的應(yīng)用、可集成自由電子輻射器件的研究、The Research Progresses in 21’ Wafers HVPE System and GaN Single-crystal Substrates。另外還邀請(qǐng)了lingxian的設(shè)備供應(yīng)商KLA-Tencor公司的幾位博士為我們帶來(lái)精彩的分享演講。分享的主題分別為:KLA Profiler products introduction and its applications、Advances in Spectral Reflectance Measurement and Cloud-Based 3D Analysis、Nano Indenter G200 and its applications、ZETA Multi-mode optical profiler introduction and applications。

 

研討&展示相得益彰

該研討會(huì),除了聆聽(tīng)專家分享演講外,受邀參會(huì)的高校、科研院所、高科技企業(yè)的人員還可以在現(xiàn)場(chǎng)觀摩我司的產(chǎn)品、技術(shù)應(yīng)用深入交流、現(xiàn)場(chǎng)測(cè)樣。其中不乏一些用戶就現(xiàn)場(chǎng)對(duì)產(chǎn)品表示的濃烈興趣。參加人員表示,此次活動(dòng)受益匪淺。


現(xiàn)場(chǎng)精彩時(shí)刻


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