國(guó)內(nèi)由于功率器件起步較晚，其測(cè)試設(shè)備的研制也相對(duì)晚于國(guó)外。為了確保碳化硅功率模塊在應(yīng)用中的可靠性，其靜態(tài)特性的測(cè)試研究十分重要。靜態(tài)參數(shù)測(cè)試是評(píng)估功率器件性能是否達(dá)標(biāo)的基礎(chǔ)流程。靜態(tài)參數(shù)主要是指SiC

IGBT產(chǎn)品，按照封裝形式和集成程度的不同，可分為IGBT裸片、IGBT單管、IGBT模塊以及IPM/PIM模塊，IGBT產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)較多，一般會(huì)包含如下幾種類(lèi)型參數(shù)：靜態(tài)參數(shù)，動(dòng)態(tài)參數(shù)，熱參數(shù)。

LED必須在合適的電流電壓驅(qū)動(dòng)下才能正常工作。其電壓-電流之間的關(guān)系稱(chēng)為I-V特性。通過(guò)對(duì)LED電特性的測(cè)試，可以獲得對(duì)應(yīng)正向電壓（Vf）、反向電壓（Vr）及漏電流（Ir）等參數(shù)，以及相應(yīng)的I-V曲線

IGBT靜態(tài)參數(shù)主要是指IGBT本身固有的，與其工作條件無(wú)關(guān)的參數(shù)，只有保證IGBT的靜態(tài)參數(shù)沒(méi)有問(wèn)題，才進(jìn)行動(dòng)態(tài)參數(shù)