全部

• 2026-04-09 22:51發(fā)布了技術(shù)文章

  國產(chǎn)替代新進(jìn)展：MIR100近紅外顯微鏡在多層石墨烯堆垛研究中的技術(shù)驗證與應(yīng)用

  在凝聚態(tài)物理與二維材料研究領(lǐng)域，多層石墨烯的堆垛順序（如ABA、ABC堆垛）及其層間耦合效應(yīng)，直接決定了材料的電子能帶結(jié)構(gòu)與量子輸運特性。

  國產(chǎn)替代 近紅外顯微鏡 MIR100 42人看過

• 2026-04-09 22:44發(fā)布了技術(shù)文章

  近紅外顯微鏡MIR50 光模塊共晶貼片在線檢測與可靠性保障

  在光通訊模塊的共晶貼片（Eutectic Die Bonding）工藝后，使用近紅外（NIR）顯微鏡進(jìn)行在線檢測，是解決“硅基材料不透明”痛點、確保激光器（DFB/EML）與探測器高可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

  近紅外顯微鏡 1.6T光模塊 半導(dǎo)體封裝檢測 43人看過

• 2026-01-25 21:33發(fā)布了技術(shù)文章

  基于MIR100紅外反射模式的905nm車載激光雷達(dá) VCSEL氧化孔徑測量方案

  在紅外反射模式下，MIR100的照明光（波長范圍覆蓋905nm）照射到VCSEL芯片表面。

  MIR100紅外反射 車載激光雷達(dá) VCSEL氧化孔徑測量 103人看過

• 2026-01-25 21:20發(fā)布了技術(shù)文章

  近紅外顯微鏡在廣義缺陷檢測與結(jié)構(gòu)觀測中的工作原理詳解

  近紅外顯微鏡作為一種非破壞性檢測工具，其能力源于近紅外光（波長780-2500nm）特別的物理性質(zhì)：一定的穿透深度、對特定官能團(tuán)的響應(yīng)性以及與微觀結(jié)構(gòu)的相互作用。

  近紅外顯微鏡 廣義缺陷檢測與結(jié)構(gòu)觀測 卡斯圖電子 150人看過

• 2026-01-25 21:14發(fā)布了技術(shù)文章

  蘇州卡斯圖MIR800近紅外顯微鏡在MEMS鍵合檢測中的應(yīng)用

  蘇州卡斯圖MIR800系列近紅外顯微鏡（NIRM）是專為MEMS鍵合工藝研發(fā)的檢測設(shè)備，采用雙波長近紅外成像技術(shù)（1050nm/1200nm），為半導(dǎo)體行業(yè)提供可靠的鍵合質(zhì)量評估方案。

  近紅外顯微鏡 蘇州卡斯圖MIR800近紅外顯微鏡 MEMS鍵合檢測 106人看過

• 2025-12-22 16:23發(fā)布了技術(shù)文章

  MIR100近紅外成像區(qū)別多層石墨烯堆垛

  堆垛構(gòu)型是二維層狀材料中一個奇特的結(jié)構(gòu)自由度，在對稱性破缺以及多種新奇的電學(xué)、光學(xué)、磁學(xué)和拓?fù)洮F(xiàn)象中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

  MIR100近紅外 近紅外成像 多層石墨烯堆垛 98人看過

• 2025-12-22 16:12發(fā)布了技術(shù)文章

  面向1.6T光模塊制造的共晶質(zhì)量觀察方案

  在1.6T光模塊的技術(shù)發(fā)展中，共封裝光學(xué)（CPO）與硅光集成是重要的技術(shù)路徑。其內(nèi)部激光器、調(diào)制器等核心芯片需要通過共晶貼片工藝實現(xiàn)高標(biāo)準(zhǔn)的集成。該焊接界面的質(zhì)量，對模塊的整體性能與工作穩(wěn)定性存在影響

  1.6T光模塊制造 共晶質(zhì)量觀察 卡斯圖MIR100近紅外顯微鏡 78人看過

• 2025-12-22 16:06發(fā)布了技術(shù)文章

  高速率光模塊共晶貼片后紅外檢查

  在400G、800G及未來1.6T光模塊的制造中，共晶貼片工藝的質(zhì)量是影響產(chǎn)品性能與長期穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素。共晶界面存在的空洞、裂紋等潛在缺陷，會直接影響散熱效率、信號質(zhì)量和機械牢固度。

  高速率光模塊 共晶貼片后紅外檢查 光模塊 66人看過

• 2025-12-22 15:53發(fā)布了技術(shù)文章

  蘇州卡斯圖MIR100近紅外顯微鏡如何揭示石墨烯的隱藏結(jié)構(gòu)

  在石墨烯研究與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中，準(zhǔn)確識別其層數(shù)、堆垛順序和微觀應(yīng)變是調(diào)控電學(xué)、光學(xué)性能的關(guān)鍵。然而，傳統(tǒng)可見光顯微鏡受限于物理原理的瓶頸，難以實現(xiàn)對這些關(guān)鍵參數(shù)的無損、快速檢測。

  蘇州卡斯圖MIR100 近紅外顯微 石墨烯的隱藏結(jié)構(gòu) 69人看過

• 2025-12-22 15:38發(fā)布了技術(shù)文章

  透射近紅外顯微鏡在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用

  透射式近紅外顯微技術(shù)（以蘇州卡斯圖MIR800設(shè)備為例）在半導(dǎo)體行業(yè)中，作為一種重要的材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析手段，其價值在于能夠?qū)Π雽?dǎo)體材料及器件進(jìn)行非破壞性的內(nèi)部狀態(tài)觀察

  透射近紅外顯微鏡 近紅外顯微鏡 半導(dǎo)體行業(yè) 165人看過

• 2025-09-13 22:49發(fā)布了技術(shù)文章

  銦鎵砷（InGaAs）相機量子效率（QE）解析 及其在VCSEL氧化孔徑檢測中的應(yīng)用價值

  該技術(shù)方案適用于半導(dǎo)體器件研發(fā)、光通信組件檢測等領(lǐng)域，為相關(guān)研究提供可靠的檢測手段。

  銦鎵砷（InGaAs）相機量子效率（QE）解析 在VCSEL氧化孔徑檢測中的應(yīng)用價值 半導(dǎo)體器件研發(fā)、光通信組件檢測 116人看過

• 2025-09-13 22:43發(fā)布了技術(shù)文章

  VCSEL常用波段檢測與氧化孔徑測量解決方案 （結(jié)合蘇州卡斯圖MIR100近紅外顯微鏡）

  在VCSEL（垂直腔面發(fā)射激光器）的研發(fā)與生產(chǎn)中，氧化孔徑的測量對器件的光束質(zhì)量、功率效率和可靠性具有重要影響。

  VCSEL常用波段檢測 氧化孔徑測量解決方案 近紅外顯微鏡 149人看過

• 2025-06-02 13:17發(fā)布了技術(shù)文章

  3D數(shù)碼顯微鏡在鋰電池檢測中的應(yīng)用分析 技術(shù)特點與設(shè)備比較

  本文將從技術(shù)角度分析3D超景深數(shù)碼顯微鏡在鋰電池檢測中的具體應(yīng)用，并對不同檢測設(shè)備進(jìn)行客觀比較，為行業(yè)用戶提供參考信息。

  3D數(shù)碼顯微鏡 3D數(shù)碼顯微鏡在鋰電池檢測中的應(yīng)用分析 鋰電池檢測 262人看過

• 2025-06-02 12:45發(fā)布了技術(shù)文章

  3D數(shù)碼超景深顯微鏡在儲能行業(yè)的技術(shù)應(yīng)用與特點分析

  傳統(tǒng)的二維檢測手段已難以滿足高精度、快速響應(yīng)的觀測需求，而3D數(shù)碼超景深顯微鏡憑借其光學(xué)成像技術(shù)和三維重構(gòu)能力，為儲能材料的研發(fā)與生產(chǎn)質(zhì)量控制提供了創(chuàng)新的解決方案。

  3D數(shù)碼超景深顯微鏡 3D數(shù)碼超景深顯微鏡在儲能行業(yè)的技術(shù)應(yīng)用與特點分析 顯微鏡 192人看過

• 2025-06-01 21:05發(fā)布了技術(shù)文章

  半導(dǎo)體封裝Marking深度測量的必要性 及現(xiàn)有測量方案對比分析

  隨著電子設(shè)備向小型化、高密度化發(fā)展，半導(dǎo)體封裝尺寸不斷縮小，對標(biāo)記質(zhì)量的要求也越來越高。標(biāo)記深度不僅影響產(chǎn)品外觀和可追溯性，更直接關(guān)系到封裝體的結(jié)構(gòu)完整性和長期可靠性。

  半導(dǎo)體封裝Marking 半導(dǎo)體封裝Marking深度測量 半導(dǎo)體封裝Marking深度測量的必要性 及現(xiàn)有測量方案對比分析 139人看過

• 2025-06-01 20:59發(fā)布了技術(shù)文章

  測量顯微鏡在半導(dǎo)體封裝行業(yè)中的精密檢測應(yīng)用 —以蘇州卡斯圖MT-400AH為例

  半導(dǎo)體封裝工藝對尺寸精度、缺陷控制的要求很高，測量顯微鏡作為關(guān)鍵檢測設(shè)備，在封裝過程中的質(zhì)量控制環(huán)節(jié)發(fā)揮著重要作用。

  測量顯微鏡 半導(dǎo)體封裝行業(yè)中的精密檢測應(yīng)用 蘇州卡斯圖MT-400AH 154人看過

加載更多