LB膜制備系統(tǒng)，LB膜是將單分子膜轉(zhuǎn)移到固體載體上的膜，可形成單層或多層，是1935年由Langmuir和他的學(xué)生Blodgett提出的，故稱之為L(zhǎng)angmuir－Blodgett 膜，或垂直累積膜法，簡(jiǎn)稱為L(zhǎng)B膜。Langmuir-Blodgett （LB）膜通常將LB膜分成X、Y、Z三類，Z常見的是Y型膜。    LS膜定義：由Schaefer提出，稱之為L(zhǎng)angmuir－Schaefer法的水平附著累積膜法，簡(jiǎn)稱為L(zhǎng)S膜。Langmuir-Schaefer(也叫LS膜)膜是一個(gè)或者多個(gè)單層材料堆積在液體表面和固體基片上形成的。這種沉積可以用一個(gè)恒定的分子密度漂浮單層水平浸漬基片或?qū)⒒鶎咏佑|單層形成。換句話說，就是通過水平浸漬固體基片從氣相到液相或從液相經(jīng)氣相使幾個(gè)Langmuir膜堆積在固體表面。所得到的膜從超薄的單層到數(shù)百層組成的多層結(jié)構(gòu)。LS膜技術(shù)源于LB膜技術(shù)，并且和LB膜技術(shù)很相似。唯 一不同的是LS膜是水平提膜，而不是垂直提膜。

       LB膜制備系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)  ：

      （1）膜厚為分子級(jí)水平（納米數(shù)量級(jí)），具有特殊的物理化學(xué)性質(zhì)；

      （2）可以制備單分子膜，也可以逐層累積形成多層LB膜，組裝方式任意選擇；

      （3）可以人為選擇不同的高分子材料，累積不同的分子層，使之具有多種功能；

      （4）成膜可在常溫常壓下進(jìn)行，所需能量小，基本不破壞成膜材料的高分子結(jié)構(gòu)；

      （5）LB膜技術(shù)在控制膜層厚度及均勻性方面遠(yuǎn)比常規(guī)制膜技術(shù)優(yōu)越；

      （6）可有效地利用LB膜分子自身的組織能力，形成新的化合物；

      LB膜制備系統(tǒng)的缺點(diǎn) ：

      （1）由于LB膜淀積在基片上時(shí)的附著力是依靠分子間作用力，屬于物理鍵力，因此膜的機(jī)械性能較差；

      （2）要獲得排列整齊而且有序的LB膜，必須使材料含有兩性基團(tuán)，這在一定程度上給LB成膜材料的設(shè)計(jì)帶來困難； 

      （3）制膜過程中需要使用氯仿等有毒的有機(jī)溶劑，這對(duì)人體健康和環(huán)境具有很大的危害性； 

      （4）制膜設(shè)備昂貴，制膜技術(shù)要求很高。