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KRI 離子源應(yīng)用于電子束蒸鍍設(shè)備

來源:伯東企業(yè)(上海)有限公司 更新時(shí)間:2023-03-22 16:40:44 閱讀量:166

KRI 離子源應(yīng)用于電子束蒸鍍設(shè)備 E-beam Evaporation System
特殊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)電子束沉積是一種實(shí)用且高度可靠的系統(tǒng), 上海伯東某客戶電子束蒸鍍系統(tǒng)可針對量產(chǎn)使用單一大坩堝也可以有多個(gè)坩堝來達(dá)到產(chǎn)品多層膜結(jié)構(gòu), 在基板乘載上對應(yīng)半導(dǎo)體研究和大型設(shè)備設(shè)計(jì)單片和多片公自轉(zhuǎn)的設(shè)計(jì). 為了獲得大的制程靈活性, 可以結(jié)合考夫曼離子源進(jìn)行離子輔助沉積或者預(yù)清潔等功能.
KRI 離子源應(yīng)用于電子束蒸鍍設(shè)備
電子束蒸鍍設(shè)備
----------- 電子束蒸鍍設(shè)備 E-beam Evaporation System ----------

上海伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 參數(shù):

型號(hào)

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

Discharge 陽極

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

離子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射


流量

3-10 sccm

5-30 sccm

5-30 sccm

10-40 sccm

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

長度

12.7 cm

23.5 cm

24.6 cm

30 cm

39 cm

直徑

13.5 cm

19.1 cm

24.6 cm

41 cm

59 cm

中和器

LFN 2000


上海伯東美國 KRI 提供霍爾離子源, 考夫曼離子源和射頻離子源, 歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)利. 廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:

上海伯東: 羅先生                               臺(tái)灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
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