飛納電鏡推出的 Pharos STEM 高分辨掃描透射電鏡一體機(jī)，融合 TEM 與 STEM 雙模態(tài)成像、超高分辨率探針控制，以及多模態(tài)分析探測(cè)器，面向材料科學(xué)、生命科學(xué)、電子工業(yè)等領(lǐng)域的實(shí)驗(yàn)室、研究機(jī)構(gòu)和制造現(xiàn)場(chǎng)。該系列以“高集成度、高自動(dòng)化、可擴(kuò)展分析”為核心設(shè)計(jì)理念，致力于在同一臺(tái)設(shè)備上實(shí)現(xiàn)樣品制備前后的一體化表征，減少轉(zhuǎn)運(yùn)與對(duì)位時(shí)間，提升數(shù)據(jù)的一致性與可重復(fù)性。

主要參數(shù)與型號(hào)

• Pharos STEM-200K
• 加速電壓范圍：60–200 kV
• 光槍：冷場(chǎng)發(fā)射槍（CFEG），高亮度、低電子源發(fā)散
• 成像分辨率：TEM 約0.20–0.25 ?，STEM 約0.9–1.0 ?（在特定模式下）
• 分析通道：EDS 能譜探頭，覆蓋常見元素，單點(diǎn)譜和元素映射
• 透射/掃描模式切換：快速自動(dòng)對(duì)位、自動(dòng)對(duì)焦與對(duì)比度優(yōu)化
• Pharos STEM-300K
• 加速電壓范圍：80–300 kV
• 光槍與透鏡系統(tǒng)：高穩(wěn)定性，具備低震動(dòng)架構(gòu)
• 成像分辨率：TEM 約0.18–0.22 ?，STEM 約0.8–0.95 ?
• 探測(cè)系統(tǒng)：EDS + EELS（電子能損譜）耦合，兼容多通道元素分析
• 斷層與映射：全局自動(dòng)化對(duì)齊、快速 tomography 支持
• Pharos STEM-400K
• 加速電壓范圍：60–400 kV，厚樣品成像能力更強(qiáng)
• 硬件擴(kuò)展：增強(qiáng)型能量選擇濾波器（GIF），高效原位分析能力
• 最高性能：超高分辨成像與高通量分析并行，適用于復(fù)雜金屬、陶瓷及功能材料
• 數(shù)據(jù)分析：集成的多模態(tài)分析工作流，支持自定義分析腳本與批量數(shù)據(jù)處理

核心硬件與設(shè)計(jì)亮點(diǎn)

• 一體化 TEM/STEM 平臺(tái)：同機(jī)實(shí)現(xiàn)高分辨率透射像與原子尺度的掃描像，避免樣品轉(zhuǎn)運(yùn)導(dǎo)致的對(duì)位誤差。
• 高穩(wěn)定電子槍：CFEG 提供低發(fā)散和高亮度，提升低劑量成像與高分辨成像的一致性。
• Cs-corrected 確保高分辨率：在多種模式下保持穩(wěn)定的像差校正，提升點(diǎn)對(duì)點(diǎn)分辨率與像質(zhì)均勻性。
• 集成化分析頭：EDS、EELS、HAADF 等探測(cè)器緊湊布局，支持元素分布、化學(xué)狀態(tài)與能帶信息的快速耦合分析。
• 自動(dòng)化軟件生態(tài)：從自對(duì)準(zhǔn)、自動(dòng)對(duì)焦、對(duì)比度優(yōu)化，到自動(dòng)采集、批量處理，提供從數(shù)據(jù)獲取到初步定量的閉環(huán)工作流。
• 高級(jí)成像模式：高角度 STEM、低劑量模式、快速掃描、原位加熱/低溫適配（視具體配置而定），覆蓋材料微觀表征的多場(chǎng)景需求。
• 跨模態(tài)成像與數(shù)據(jù)管理：統(tǒng)一的軟件界面管理 TEM、STEM、EDS、EELS、Tomography 等模塊，支持元數(shù)據(jù)追溯和實(shí)驗(yàn)?zāi)０寤瘓?zhí)行。

軟件與數(shù)據(jù)處理能力

• 操作界面：直觀的工作區(qū)分區(qū)，提供儀器狀態(tài)、樣品信息、成像參數(shù)的可追溯記錄。
• 自動(dòng)化工作流：可建立模板化實(shí)驗(yàn)，包含對(duì)位、對(duì)焦、像差校正、噪聲抑制與對(duì)比度增強(qiáng)等步驟的可重復(fù)執(zhí)行。
• 數(shù)據(jù)分析：內(nèi)置定量分析工具，支持粒子尺寸分布、晶體取向、相分析、元素分布映射、能譜定量等常用分析。
• 可擴(kuò)展性：允許用戶自定義腳本或插件，便于與本地實(shí)驗(yàn)室信息管理系統(tǒng)（LIMS）對(duì)接及自動(dòng)化批處理。
• 數(shù)據(jù)管理與導(dǎo)出：原始數(shù)據(jù)、處理過程和結(jié)果以元數(shù)據(jù)形式整合，支持常見文件格式導(dǎo)出，便于撰寫論文與報(bào)告。

典型應(yīng)用場(chǎng)景

• 金屬與合金材料微觀組織表征：晶粒邊界、相界面、析出相的分布與形貌，以及晶格應(yīng)變的定量分析。
• 納米材料結(jié)構(gòu)與成分分析：量子點(diǎn)、量子線、納米晶的尺寸、形貌、組分與界面特征。
• 半導(dǎo)體與電子器件材料：薄膜、異質(zhì)結(jié)、界面化學(xué)狀態(tài)、缺陷分布以及應(yīng)力場(chǎng)的定量研究。
• 能源材料：鋰電池正負(fù)極材料、固態(tài)電解質(zhì)的相分離、孔隙結(jié)構(gòu)及導(dǎo)電性相關(guān)的微觀機(jī)制。
• 薄膜與陶瓷材料：厚度均勻性、晶相分布、微觀缺陷與燒結(jié)致密化過程的可視化。

場(chǎng)景化FAQ

• Pharos STEM 系列適合哪些樣品？適用于金屬合金、納米材料、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷材料及能源材料等多種樣品，尤其在需要高分辨成像和多模態(tài)分析時(shí)表現(xiàn)突出。
• 與傳統(tǒng)單模態(tài) TEM 相比，主要優(yōu)勢(shì)在哪里？在同一平臺(tái)完成 TEM/STEM、EDS、EELS、成像與分析，減少樣品轉(zhuǎn)運(yùn)和對(duì)位誤差，提升數(shù)據(jù)一致性與工作流自動(dòng)化程度。
• 如何選擇型號(hào)？若樣品厚度較大或需要在高電壓下保持穩(wěn)定成像，建議選 300 kV 或 400 kV 版本；若以常規(guī)薄膜材料或納米粒子分析為主，200 kV 版本已能滿足高分辨成像與高效分析需求。
• 安裝與環(huán)境要求有哪些？需要穩(wěn)定的振動(dòng)隔離、合格的電源與良好的真空系統(tǒng)，以及合規(guī)的實(shí)驗(yàn)室安全與通風(fēng)條件。具體規(guī)格以采購清單為準(zhǔn)。
• 數(shù)據(jù)分析工作流是否可定制？可以在軟件內(nèi)通過腳本或插件實(shí)現(xiàn)定制分析、批處理任務(wù)和與本地存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)接，方便科研筆記和報(bào)告自動(dòng)化生成。

購買與使用建議

• 在選型階段，結(jié)合樣品類型、所需分辨率、分析深度和日常工作流，明確是否需要 EDS/EELS、 tomography、原位能力等擴(kuò)展功能。
• 考慮實(shí)驗(yàn)室的自動(dòng)化需求和未來擴(kuò)展，優(yōu)先選擇具備模塊化升級(jí)路徑的機(jī)型，以便隨材料科學(xué)研究方向的變化而升級(jí)硬件或軟件。
• 與供應(yīng)商溝通現(xiàn)場(chǎng)培訓(xùn)、遠(yuǎn)程診斷與維護(hù)服務(wù)水平，以及后續(xù)軟件更新的節(jié)奏，以確保長期穩(wěn)定運(yùn)行。

總結(jié) Pharos STEM 一體機(jī)在高分辨率成像、原位分析能力及自動(dòng)化工作流方面提供了整合化解決方案，適合實(shí)驗(yàn)室與工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)對(duì)高通量、可重復(fù)數(shù)據(jù)的嚴(yán)苛要求。通過多模態(tài)分析頭和強(qiáng)大的數(shù)據(jù)處理平臺(tái)，該系統(tǒng)幫助研究人員快速得到結(jié)構(gòu)、化學(xué)與電性信息的綜合認(rèn)知，支持材料設(shè)計(jì)、工藝優(yōu)化和質(zhì)量控制等多種應(yīng)用場(chǎng)景。