1）應用背景

365 nm 屬于 UVA（315–400 nm）波段，其波長短于可見光，能夠實現(xiàn)更小的衍射極限和更高分辨率。與深紫外相比，365 nm 光源與光學器件成熟度更高、成本更低，檢測效率更高，因此常用于半導體后道封裝與測試環(huán)節(jié)中的大范圍巡檢及微米級缺陷快速篩查。

圖1-1：半導體后道封測典型場景與缺陷示例

2）成像挑戰(zhàn)：

· 相機需兼具高紫外靈敏度與高速幀率，以滿足產(chǎn)線高速掃描要求。

· 常規(guī)高速工業(yè)相機在紫外波段響應有限，量子效率通常低于30%，難以在高幀率下進行高信噪比成像。

3）相機推薦：

圖1-2：UVA相機推薦

Libra UV在365 nm波段量子效率達到48%，在UVA相機中達到了上游水平，確保檢測精度；152?fps的高幀率結合全局快門，可確保高速移動的產(chǎn)線平臺上獲得清晰圖像，滿足高速生產(chǎn)線對效率的要求。

1）應用背景：

266 nm 屬于 UVC（100–280 nm）波段，光子能量更高，波長更短，能夠揭示亞微米級缺陷并提供高對比度成像。典型應用包括前道晶圓暗場缺陷檢測、薄膜厚度及均勻性分析，以及光致發(fā)光實驗。

圖2-1：半導體晶圓暗場檢測(散射信號極其微弱)

2）成像挑戰(zhàn)：

· 檢測對象往往為亞微米級缺陷，信號極弱，需要相機具備高量子效率（>60%）與低噪聲性能。

· 受硅基探測器材料限制，普通傳感器難以達到專業(yè)檢測所需的靈敏度水平。

3）相機推薦：

圖2-2：UVC 相機推薦

Gemini 8KTDI不僅在266 nm波段的紫外量子效率達到63.9%的高水平，使用 TDI（時間延遲積分）功能還能進一步提升紫外成像信噪比，降低深紫外光在空氣中吸收所造成的信號衰減影響。

高速行頻（1?MHz @ 8K TDI）結合鑫圖穩(wěn)定制冷技術和高精度DSNU/PRNU校正技術，不僅可抑制熱噪聲干擾，還能為成像提供更均一的成像背景，滿足前道晶圓檢測高速、高精度缺陷分析的需求。

1）應用背景：

193 nm 位于 DUV（100–200 nm）深紫外波段，是光刻環(huán)節(jié)的核心光源（ArF 準分子激光），在 20 nm 及更先進工藝中發(fā)揮著關鍵作用。在檢測環(huán)節(jié)，193 nm 被廣泛用于掩膜版缺陷檢測與光刻膠圖形驗證，可揭示亞微米甚至納米級缺陷，從而實現(xiàn)高精度工藝監(jiān)控。

圖3-1：掩膜缺陷示例

2）成像挑戰(zhàn)：

· 193?nm 光在空氣中會被氧氣和水汽強烈吸收，導致信號衰減；長光程應用甚至需要在真空或惰性氣體環(huán)境中進行。

· 常規(guī)硅基探測器對高能 193?nm 光子響應有限，通常需采用背照式（BSI）芯片，并輔以特殊優(yōu)化工藝以提升量子效率。

· 為確保弱信號條件下的高信噪比成像及長時間穩(wěn)定運行，相機需具備深度制冷和低噪聲設計。

3）相機推薦：

圖3-2：DUV/EUV 相機推薦

鑫圖構建了豐富的背照式 sCMOS 相機產(chǎn)品線，其在 193?nm 波段的響應能力已通過相關實驗室驗證。憑借 18 年在高信噪比成像、高速數(shù)據(jù)傳輸以及特殊波長極限探測技術的深厚積累，鑫圖成為國內(nèi)極少數(shù)能夠支持 193?nm 深紫外（DUV）、 13.5?nm 極紫外（EUV）高光子能量科研應用的專業(yè)相機供應商。

從UVA到EUV，紫外波長越短，檢測難度越大，對相機性能的要求也越高：相機必須具備更高的量子效率（QE）、更低的噪聲水平以及更優(yōu)的系統(tǒng)穩(wěn)定性，才能在極弱信號條件下保持清晰可靠的成像。作為國內(nèi)極少數(shù)覆蓋從UVA至EUV全鏈路成像解決方案的紫外相機方案提供商，鑫圖可為您匹配各類檢測環(huán)節(jié)所需的高可靠性產(chǎn)品與性能保障。

在半導體制造與檢測中，相機選型不僅要契合紫外波段，還需綜合考慮光學系統(tǒng)、光譜響應、平臺掃描速度、數(shù)據(jù)接口帶寬及與上下游設備的同步性等多維因素。若您計劃在設備系統(tǒng)中部署紫外成像方案，歡迎聯(lián)系鑫圖。我們的技術團隊將結合您的應用需求，提供從相機選型到系統(tǒng)落地的全流程技術支持。