（1）樣品準(zhǔn)備

選用PMMA作為襯底,濺射所用靶材為In2O3:SnO2,(質(zhì)量比為90:10)陶瓷方靶,靶材尺寸為20 mmx50 mmx5 mm。實驗過程中保持濺射功率為180 W,濺射氣壓為0.4 Pa,對靶間距為12 cm,靶材下緣與基底間的距離為3 cm,射時間分別為20 min、30 min、40 min、50 min、60 min、70 min和80 min。所得的最佳藝在鍍有ITO薄膜的襯底上濺射制備SiO2增透薄膜。

（2）設(shè)備搭建

圖 1透射率測試搭建圖

圖1 濺射時間分別為(a)10 min、(b)20 min、(c)30 min、(d)40 min、(e)50 min和(f)60 min的SiO2增透膜透過率曲線

圖2 濺射時間分別為(a)25 min和(b)35 min的SiO2增透膜透過率曲線

圖3為增透前后ITO薄膜可見光區(qū)透光率曲線對比,實線和虛線分別為增透前后透過率曲線。從圖中可以看出,增透之后的薄膜透光率有明顯提高,在可見光波段平均透光率的提高大約在6%左右。對于ITO濺射時間小于1h的樣品,進行氧化硅增透之后,其平均透光率均在80%以上;對于ITO濺射時間小于50min的樣品增透之后的可見光透光率最高達到了85%以上。值得一提的是,SiO2增透膜有效的消減了ITO薄膜表面由于不同波長光線所引起的干涉效應(yīng),使原有薄膜的透過曲線變的更為平滑。可見通過SiO2增透設(shè)計之后達到了較好的效果。這也基本達到了基于光學(xué)設(shè)計使ITO薄膜的透光率大于80%的實驗設(shè)想,基本滿足了ITO薄膜工業(yè)應(yīng)用的需求。

圖3 HNO3添加濃度優(yōu)化結(jié)果

圖3 濺射時間分別為(a)30 min、(b)40 min、(c)50 min、(d)60 min、(e)70 min和(f)80 min的ITO/SiO2增透效果圖

采用上述參數(shù)優(yōu)化的Si O2對ITO薄膜進行增透工作,發(fā)現(xiàn)增透后薄膜可見光平均透光率提高大約6%,對于濺射時間小于60 min的ITO薄膜增透之后的平均透光率達到80%以上。可見通過二氧化硅增透設(shè)計之后達到了較好的效果。這也基本達到了基于光學(xué)設(shè)計使ITO薄膜的透光率大于80%的實驗設(shè)想,基本滿足了ITO薄膜工業(yè)應(yīng)用的需求。

上海的HS2048光譜儀可以用來研究ITO薄膜增透前后的可見光透過率性能的變化。