某光學(xué)薄膜制造商采用20cm 的濺射源為 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 輔助濺射制備 LaF3 薄膜.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):
離子源型號 | RFICP220 |
Discharge | RFICP 射頻 |
離子束流 | >800 mA |
離子動(dòng)能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 20 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 10-40 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 30 cm |
直徑 | 41 cm |
中和器 | LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

運(yùn)行結(jié)果:
1. 采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 鍍制的 LaF3 薄膜折射率更高, 且不存在折射率的梯度分布
2. 制備的 LaF3薄膜的環(huán)境穩(wěn)定性更高
3. 離子源濺射制備的減反膜透過率為99.2%, 反射率為 0.1%, 表現(xiàn)了較好的光學(xué)特性
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