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“先進激光材料”帶間級聯(lián)激光器首次“又亮又準”

來源:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司 更新時間:2026-01-07 18:18:26 閱讀量:120
導讀: 封面圖以中紅外激光光束為核心元素,右側(cè)為傳統(tǒng)法布里-珀羅(FP)激光器的發(fā)散光束(雙瓣狀,象征高階?;旌希髠?cè)為集成多模干涉(MMI)耦合器的激光器輸出的準直基模光束(單瓣狀,接近衍射極限

    封面圖以中紅外激光光束為核心元素,右側(cè)為傳統(tǒng)法布里-珀羅(FP)激光器的發(fā)散光束(雙瓣狀,象征高階?;旌希髠?cè)為集成多模干涉(MMI)耦合器的激光器輸出的準直基模光束(單瓣狀,接近衍射極限)。封面圖直觀對比了傳統(tǒng)FP激光器與集成MMI耦合器的帶間級聯(lián)激光器(ICL)的光束質(zhì)量差異,突出MMI通過自映像效應高階模、優(yōu)化光束質(zhì)量的原理,衍射極限光束象征研究目標——實現(xiàn)高功率與高光束質(zhì)量的協(xié)同輸出,為自由空間通信等應用提供理想光源。

研究背景

中紅外(3-4 μm)激光在氣體檢測、紅外對抗等領(lǐng)域有著迫切的應用需求。以甲烷氣體遠程檢測為例,激光器需要同時具備高功率以穿透遠距離空間,以及高光束質(zhì)量以保證良好的準直性。然而,現(xiàn)有帶間級聯(lián)激光器(ICL)受限于材料熱導率低的問題,功率提升與脊寬設計之間存在矛盾。當脊寬較窄(<6 μm)時,雖能保證基橫模輸出,但單模功率僅數(shù)毫瓦;若采用寬脊設計以提升功率,則會激發(fā)高階橫模,導致光束質(zhì)量下降,如14 μm脊寬FP器件發(fā)散角達41°,無法滿足遠距離探測需求。

傳統(tǒng)方案中,側(cè)壁光柵雖能部分抑制高階模,光束質(zhì)量因子(M2)達到1.9,但仍未實現(xiàn)衍射極限輸出。此外,由于GaSb基ICL缺乏半絕緣填充材料,難以移植InP基量子級聯(lián)激光器(QCL)的耦合陣列設計。因此,如何突破ICL的“功率-光束質(zhì)量”矛盾,成為亟待解決的關(guān)鍵科學問題。

創(chuàng)新工作

中國科學院半導體所劉峰奇研究員團隊提出了一種“MMI-ICL” 集成結(jié)構(gòu),通過自映像效應選擇性濾除奇階模(如 TE1),同時保留偶階模(如 TE0/TE2),從而在寬脊條件下實現(xiàn)基模主導輸出。在結(jié)構(gòu)優(yōu)化方面,研究采用了對稱1×1 MMI 設計(圖 1),寬度為36 μm,經(jīng)拍長公式計算確定長度為1356 μm,該長度確保MMI在特定位置對目標模式實施有效調(diào)控。為降低反射損耗,MMI 兩端采用34°的錐形連接結(jié)構(gòu)。

圖1 MMI-ICL結(jié)構(gòu)示意圖

通過COMSOL仿真開展模式調(diào)控的理論分析,結(jié)果表明,8 μm、11 μm脊寬器件中只保留TE0,14 μm脊寬器件中除了TE0模式外,TE2模式也有較高透射率(圖 2)。工藝實現(xiàn)上,基于分子束外延(MBE)技術(shù)生長了 7 級有源區(qū)超晶格結(jié)構(gòu),通過濕法腐蝕制備脊波導,并采用 SiO2鈍化技術(shù)保障電隔離。

圖2 COMSOL仿真結(jié)果

實驗結(jié)果表明,該集成結(jié)構(gòu)在光束質(zhì)量優(yōu)化方面成效顯著。11 μm 脊寬的 MMI-ICL 器件遠場發(fā)散角為 26°,對應的M2為1.23,即1.1倍衍射極限;而14 μm 脊寬器件的發(fā)散角從FP器件的 41°大幅降至18°,M2為1.57,且旁瓣微弱(圖3),這表明 MMI 結(jié)構(gòu)對高階模式的效果顯著。在功率性能方面,MMI 區(qū)域的設計增大了有源區(qū)面積,使得器件光功率較 FP 器件明顯提升,同時并未增加閾值電流密度,實現(xiàn)了功率與光束質(zhì)量的協(xié)同優(yōu)化。

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圖3 MMI-ICL器件光束質(zhì)量優(yōu)化的實驗結(jié)果

該研究的理論貢獻主要體現(xiàn)在兩個方面:一是揭示了 MMI 在寬脊器件中的模式選擇機制,即奇階模因干涉相消而被,偶階模則通過自映像效應實現(xiàn)高效耦合輸出;二是提出了“脊寬 - 損耗差”設計準則,并通過實驗驗證14 μm為MMI調(diào)控的脊寬上限。

從技術(shù)優(yōu)勢來看,MMI-ICL集成結(jié)構(gòu)具有多方面的顯著特點。其兼容性良好,無需二次外延工藝,僅通過常規(guī)脊波導工藝流程即可實現(xiàn)基橫模主導輸出,簡化了工藝復雜度;錐形結(jié)構(gòu)的引入有效降低了插損,提高了工藝容差,為該技術(shù)的實際應用奠定了基礎。這項研究為解決半導體激光器功率提升與光束質(zhì)量保持之間的矛盾提供了新的有效途徑,在中紅外激光領(lǐng)域具有重要的應用前景。

后續(xù)工作

未來將優(yōu)化MMI參數(shù)以進一步TE2模,探索DFB或DBR光柵結(jié)構(gòu)的引入以實現(xiàn)單縱模輸出;同時開發(fā)熱管理方案以應對寬脊器件溫升,推動ICL在激光雷達等大功率場景的應用。


參考文獻: 中國光學期刊網(wǎng)



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