方法原理
室溫測試時(shí),分別采集背景、參比樣品、測試樣品的透射光譜,參比光譜和樣品光譜扣除背景光譜后轉(zhuǎn)換為吸收光譜,并采用差譜法扣除碳吸收譜帶位置上的硅晶格吸收。
根據(jù)比耳定律計(jì)算硅中代位碳原子在波數(shù)為605cm-1處紅外吸收峰的吸收系數(shù),按給出的標(biāo)定因子確定代位碳原子含量。
測試條件和步驟
1.室溫,紅外光譜儀分辨率:2cm-1;掃描次數(shù):64次;
2.確認(rèn)紅外光束通過測試參比樣品和樣品的中心位置;在相同的測試條件下,測試參比樣品和樣品在500cm-1~700cm-1波數(shù)范圍內(nèi)的吸收光譜;
3.進(jìn)行參比樣品和樣品的圖譜運(yùn)算(差譜法)(碳吸收帶的半峰寬應(yīng)不大于6cm-1);
4.代位碳原子含量的計(jì)算:
α:吸收系數(shù)(cm-1);
X:樣品厚度(mm);
Ap:吸收峰定點(diǎn)位置的吸光度值;
Ab:基線處的吸光度值。
N[c]:代位碳原子含量(cm-3);
F:標(biāo)定因子,8.2×1016cm-2;
α:吸收系數(shù)(cm-1)。
適用范圍
適用于電阻率大于3Ω?cm的P型硅單晶片及電阻率大于1Ω?cm的n型硅單晶片中的代位碳原子含量的測試。
注意事項(xiàng)
1.室溫測試時(shí),參比樣品的碳含量應(yīng)小于1×1015cm-3;
2.碳可能存在于間隙位置,此方法不能測試總碳含量;
3.測試樣品和參比樣品之間的厚度差宜盡可能小,以避免硅晶格吸收對(duì)測試的影響;
4.樣品表面拋光質(zhì)量對(duì)測試結(jié)果會(huì)產(chǎn)生影響,樣品表面應(yīng)無刀痕、劃傷、橘皮、小凹坑等;
5.樣品厚度約為2mm,測試樣品和參比樣品厚度差宜不大于0.010mm;
6.樣品測試區(qū)的厚度變化應(yīng)不大于0.005mm。
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參考標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 1558-2023《硅中代位碳含量的紅外吸收測試方法》
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