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熱點(diǎn)應(yīng)用丨半導(dǎo)體行業(yè)的質(zhì)量密碼——單晶硅代位碳含量測試

來源:天美儀拓實(shí)驗(yàn)室設(shè)備(上海)有限公司 更新時(shí)間:2025-06-24 17:45:18 閱讀量:133
導(dǎo)讀:單晶硅是大規(guī)模集成電路和半導(dǎo)體器件的主要材料,其純度直接影響器件的性能和可靠性。代位碳雜質(zhì)的存在會(huì)直接影響單晶硅的電學(xué)性能,如電阻率、載流子遷移率等。通過精確測量代位碳含量,可以嚴(yán)格控制硅材料中的碳雜質(zhì),從而提高單晶硅的質(zhì)量和性能。

單晶硅是大規(guī)模集成電路和半導(dǎo)體器件的主要材料,其純度直接影響器件的性能和可靠性。代位碳雜質(zhì)的存在會(huì)直接影響單晶硅的電學(xué)性能,如電阻率、載流子遷移率等。通過精確測量代位碳含量,可以嚴(yán)格控制硅材料中的碳雜質(zhì),從而提高單晶硅的質(zhì)量和性能。

(圖片來源于網(wǎng)絡(luò))

方法原理

室溫測試時(shí),分別采集背景、參比樣品、測試樣品的透射光譜,參比光譜和樣品光譜扣除背景光譜后轉(zhuǎn)換為吸收光譜,并采用差譜法扣除碳吸收譜帶位置上的硅晶格吸收。

根據(jù)比耳定律計(jì)算硅中代位碳原子在波數(shù)為605cm-1處紅外吸收峰的吸收系數(shù),按給出的標(biāo)定因子確定代位碳原子含量。

測試條件和步驟

1.室溫,紅外光譜儀分辨率:2cm-1;掃描次數(shù):64次;

2.確認(rèn)紅外光束通過測試參比樣品和樣品的中心位置;在相同的測試條件下,測試參比樣品和樣品在500cm-1~700cm-1波數(shù)范圍內(nèi)的吸收光譜;

3.進(jìn)行參比樣品和樣品的圖譜運(yùn)算(差譜法)(碳吸收帶的半峰寬應(yīng)不大于6cm-1);

4.代位碳原子含量的計(jì)算:

α:吸收系數(shù)(cm-1);

X:樣品厚度(mm);

Ap:吸收峰定點(diǎn)位置的吸光度值;

Ab:基線處的吸光度值。

N[c]:代位碳原子含量(cm-3);

F:標(biāo)定因子,8.2×1016cm-2

α:吸收系數(shù)(cm-1)。

適用范圍

適用于電阻率大于3Ω?cm的P型硅單晶片及電阻率大于1Ω?cm的n型硅單晶片中的代位碳原子含量的測試。

注意事項(xiàng)

1.室溫測試時(shí),參比樣品的碳含量應(yīng)小于1×1015cm-3;

2.碳可能存在于間隙位置,此方法不能測試總碳含量;

3.測試樣品和參比樣品之間的厚度差宜盡可能小,以避免硅晶格吸收對(duì)測試的影響;

4.樣品表面拋光質(zhì)量對(duì)測試結(jié)果會(huì)產(chǎn)生影響,樣品表面應(yīng)無刀痕、劃傷、橘皮、小凹坑等;

5.樣品厚度約為2mm,測試樣品和參比樣品厚度差宜不大于0.010mm;

6.樣品測試區(qū)的厚度變化應(yīng)不大于0.005mm。

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應(yīng)用于新型材料(如,聚合物、半導(dǎo)體、生物傳感等)、制藥行業(yè)、環(huán)境科學(xué)、食品科學(xué)等領(lǐng)域的紅外波段信號(hào)的檢測和分析。

IA30緊湊型高精度紅外光譜儀

參考標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 1558-2023《硅中代位碳含量的紅外吸收測試方法》

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