KRi 離子源常見(jiàn)工藝應(yīng)用
通過(guò)使用上海伯東美國(guó) KRi 離子源可以對(duì)材料進(jìn)行加工, 真空環(huán)境下, 實(shí)現(xiàn)沉積薄膜, 干式蝕刻和材料表面改性等工藝.

KRi 離子源常見(jiàn)工藝應(yīng)用

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)寬束離子源, 根據(jù)設(shè)計(jì)原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)zhuan利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó) KRi考夫曼公司離子源中國(guó)總代理.
 

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