德國斯圖加特大學(xué) J?rg Wrachtrup 教授團隊依托低溫NV色心掃描成像磁強計-attoNVM在二維超導(dǎo)體 NbSe?磁通渦旋動力學(xué)研究中取得突破性成果，相關(guān)論文發(fā)表于《Physical Review Letters》。此前，傳統(tǒng)掃描隧道顯微鏡（STM）因依賴潔凈導(dǎo)電表面，無法適配帶保護性六方氮化硼（h-BN）包覆層或殘留物的樣品；常規(guī)磁成像技術(shù)又難以兼顧納米空間分辨率與微秒時間分辨率，無法捕捉渦旋動態(tài)演化。

attoNVM 憑借特有技術(shù)優(yōu)勢逐一突破限制：在 1.8K 低溫下，以<50nm 分辨率清晰分辨單個磁通渦旋，即使 NbSe?樣品表面有制備殘留物仍可精準(zhǔn)測量；依托9T-1T-1T矢量磁體完整覆蓋 “渦旋玻璃相 - 渦旋液體相 - 金屬態(tài)” 全相圖，證實薄層超導(dǎo)體中渦旋尺寸符合 Pearl 模型的膨脹特性；更通過超低振動設(shè)計與高量子效率探測器，首次捕捉到冷卻速率對渦旋晶格的影響 —— 快速冷卻（1 分鐘內(nèi)降溫）形成弱磁對比的無序渦旋，慢速冷卻（數(shù)小時降溫）則構(gòu)建穩(wěn)定有序的渦旋晶格，為二維超導(dǎo)量子現(xiàn)象研究提供了直接可視化證據(jù)。

低溫NV色心磁強計測量二維超導(dǎo)體中渦旋態(tài)。（a）用于探測納米尺度局部磁響應(yīng)的NV色心磁強計示意圖;（b）5.1nm厚的NbSe₂薄片的相圖隨溫度和磁場的變化，確定了三個不同的相：渦旋玻璃、渦旋液體和金屬態(tài)。(c)渦旋玻璃相的磁場圖，顯示明顯的磁場對比度，并突出樣品邊界。(d)高分辨率掃描分辨出NbSe₂薄片中的單個渦旋。

不同厚度的二維NbSe₂中的渦旋排列。（a）氧化物襯底上厚度為5.1nm NbSe₂樣品S1的磁場分布圖。渦旋結(jié)構(gòu)的形態(tài)呈現(xiàn)無序狀態(tài)，顯示出微弱的空間相關(guān)性以及寬泛、模糊的自相關(guān)峰。(c)厚度為11.59nm NbSe₂樣品S2的磁場分布圖，其渦旋結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)顯著增強的六邊形有序排列。所有比例尺均為1 μm。

5.1 nm NbSe₂樣品中與冷卻速率相關(guān)的渦旋排列。(a) NbSe₂在快速冷卻（1分鐘內(nèi)從6.3K降至2K）后的雜散場分布圖，顯示弱磁對比。(c)慢速冷卻（數(shù)小時從6.3K降至2K）后的磁場分布圖，顯示渦旋對比度顯著增強。

《Nature Materials》：解鎖二維反鐵磁體調(diào)控新范式

美國波士頓學(xué)院 Brian B. Zhou 教授團隊借助低溫NV色心掃描成像磁強計-attoNVM在原子層厚 CrPS?反鐵磁疇與橫向交換偏置研究中取得里程碑式進展，相關(guān)成果發(fā)表于《Nature Materials》。此前，原子層厚材料中反鐵磁 - 鐵磁（AFM-FM）界面的微觀特性、疇壁運動機制長期缺乏直接觀測手段，制約了高密度磁存儲技術(shù)的發(fā)展。

attoNVM 憑借高靈敏度與納米級成像能力，實現(xiàn)多項關(guān)鍵突破：在 2K 低溫下精準(zhǔn)解析五層 CrPS?的傾斜磁矩（相對于 z 軸傾斜 16°），解決磁易軸爭議；首次可視化偶數(shù)層 CrPS?中的反相疇壁，清晰捕捉到疇壁與樣品缺陷的對應(yīng)關(guān)系，證實雜散場源自表面磁化差異；更通過動態(tài)調(diào)控實驗，實現(xiàn)反鐵磁疇壁的可控成核與平移 —— 利用 0.6T 磁場脈沖可在六層 CrPS?中形核疇壁，通過逐步調(diào)節(jié)外場（0.35T→1.0T→-0.3T）實現(xiàn)疇?wèi)B(tài)逐級切換，最終將三個相鄰 AFM 結(jié)構(gòu)域調(diào)控為類 FM 區(qū)域，實現(xiàn)可調(diào)多級橫向交換偏置，為二維磁體在自旋電子器件中的應(yīng)用開辟新路徑。

原子級層厚CrPS?中不同層數(shù)的反鐵磁體（AFM）。（1a）NV色心掃描研究CrPS?材料。在磁成像過程中，外場 Bext以54.7°角施加于xz平面法線方向，該方向平行于NV軸。(2b)塊體CrPS?中的磁矩（紅色和藍色箭頭）在相鄰層之間交替排列（A型反鐵磁結(jié)構(gòu)）。（1d）標(biāo)有層厚標(biāo)注的樣品1光學(xué)圖像。（1e）樣品雜散場BS沿NV中心軸方向在五層角區(qū)的圖像。（1g）采用最佳擬合方向重建的磁化強度振幅 σ ，該方向被確定為近ac平面傾斜。

偶數(shù)層CrPS?中的反相磁疇。（a）樣品1的雜散場BS圖像。頂部和底部五層區(qū)域分別采用相反的磁化狀態(tài)+5和?5。(b）六層反相疇壁的高分辨率BS測量。BS中的垂直脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)對應(yīng)樣品中的物理缺陷（褶皺）。（c）代表性幾何結(jié)構(gòu)的偶層疇壁軌跡微磁模擬。（d）四層與六層區(qū)域過渡的BS圖像，顯示偶數(shù)層信號與厚度不成正比。（f）CrPS?樣品2的BS圖像。插圖：樣品光學(xué)照片。（g）雙層膜中疇壁的高分辨率BS圖像。（h）樣品2的磁疇模擬。

偶-奇界面橫向交換偏置。(a) 樣品2中窄與寬三層（3L）區(qū)域及樣品1中五層（5L）區(qū)域的磁滯回線。（b-e）磁滯回線不同外置磁場（標(biāo)記為a）窄與寬三層區(qū)域的雜散場BS圖像：-41mT(b)、-70mT(c)、-2mT(d)、12mT(e)。（f）所有偶數(shù)層均為|+?時，Bc1處狹窄三層區(qū)域磁化反轉(zhuǎn)的圖像。（g）當(dāng)鄰近偶數(shù)層處于疇?wèi)B(tài)時，Bc1反轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)（上）與模擬結(jié)果（下）如圖中所示。

疇壁的受控成核與平移。（a）CrPS?薄片3中雙層區(qū)域的磁滯回線。插圖：光學(xué)圖像。（b-d）樣品3在雙層磁滯回線不同 Bext 下的BS圖像，如圖a中標(biāo)記：-75mT(b)、-124mT(c)、17mT(d)。（e）CrPS?樣品4的BS圖像，所有區(qū)域均處于| + ?態(tài)。（f，g,h）將Bz外場升至(0.35，1，-0.3) T后恢復(fù)的圖像。(i)樣品1中偶數(shù)層疇壁的場驅(qū)動運動。

attoNVM是由德國attocube與瑞士QZabre強強聯(lián)合推出的商用干式低溫NV色心掃描成像磁強計。通過將先進的硬件與軟件無縫集成，用戶可在2 K~300 K寬溫區(qū)范圍內(nèi)實現(xiàn)高效磁成像與磁學(xué)定量測量。該系統(tǒng)利用NV色心的本征量子特性進行探測，傳感器無需額外校準(zhǔn)。

低溫NV色心掃描成像磁強計-attoNVM

此次免費測樣活動，將為科研團隊提供近距離體驗 attoNVM 核心性能的機會，無論是二維材料的磁疇表征、超導(dǎo)材料的磁通渦旋觀測，還是新型磁性材料的納米磁場分布分析，均可申請參與。活動僅限50個名額，申請成功后，attocube 技術(shù)團隊將提供全程專業(yè)支持，協(xié)助完成樣品測試與數(shù)據(jù)解讀。歡迎掃描下方二維碼，搶占科研助力先機！

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