目標(biāo)
為了進(jìn)一步開發(fā)基于金剛石和納米金剛石的光電器件和其他應(yīng)用，在寬光譜范圍內(nèi)對(duì)大塊金剛石和金剛石表面的電子缺陷狀態(tài)和電子躍遷進(jìn)行非接觸表征是非常有意義的。
解決方案
開爾文探針（直接測(cè)量接觸電位差，ΔCPD）和調(diào)制區(qū)域中的非接觸表面光電壓（SPV）光譜提供了從近紅外（<0.5 ev）到深紫外（="">6 eV）光譜范圍內(nèi)的躍遷能量和電荷分離方向的高靈敏度的信息。
應(yīng)用實(shí)例
金剛石具有5.47 eV的超寬間接帶隙[1]。
圖1顯示了通過CVD制備的多晶金剛石樣品的ΔCPD光譜及其導(dǎo)數(shù)?？梢郧宄貐^(qū)分與缺陷態(tài)激發(fā)有關(guān)的躍遷和帶隙周圍的躍遷 [2]。
對(duì)于另一個(gè)鉆石樣品的調(diào)制SPV光譜，靈敏度有所增加，在5.258和5.544eV處，與間接激子和橫向光學(xué)聲子輔助吸收有關(guān)的躍遷非常明顯。
相關(guān)光譜就像指紋一樣可以使用，例如，用于生產(chǎn)線的在線控制
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