半導(dǎo)體參數(shù)分析儀（器件分析儀）是一種集多種測量和分析功能于一體的測試儀器，可準(zhǔn)確執(zhí)行電流-電壓（IV）和電容測量（CV(電容-電壓)、C -  f(電容-頻率)以及 C –  t(電容-時(shí)間)測量），并快速、輕松地對測量結(jié)果進(jìn)行分析，完成半導(dǎo)體參數(shù)測試。半導(dǎo)體參數(shù)測試是確定半導(dǎo)體器件特征及其制造過程的一項(xiàng)基礎(chǔ)測量。在參數(shù)測試中，通常需要進(jìn)行IV測量，包括分辨率低至1pA的小電流測量和高達(dá)1MHz的CV測量，并對主要特征/參數(shù)進(jìn)行分析。雖然半導(dǎo)體參數(shù)分析儀的設(shè)計(jì)初衷是進(jìn)行半導(dǎo)體評(píng)測，但因其優(yōu)越的性能、強(qiáng)大的功能以及出色的易操作性，現(xiàn)已在各種材料、器件和電子器件的IV和CV表征中得到廣泛應(yīng)用。

半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可為表征任務(wù)提供更高的性能、更強(qiáng)的可用性以及更高的效率。參數(shù)分析儀集多種測量資源于一身，可輕松進(jìn)行IV和CV測量，無需匯集或集成多種儀器，例如電源、電壓表、電流表、LCR表、開關(guān)矩陣等。參數(shù)分析儀的主要測量元器件是電源/測量單元（SMU）。SMU是一種將電壓/電流源功能和電壓/電流表功能結(jié)合于單一模塊中的測量模塊。由于該參數(shù)分析儀將電源和測量電路緊密集成，所以相比使用多種獨(dú)立儀器進(jìn)行相同測量來說，可以提供更高的精度、分辨率以及更小的測量誤差。

此外，參數(shù)分析儀還具有分析功能，使您無需借助外部PC便可快速地交互檢查和分析顯示屏上的測量結(jié)果。由于半導(dǎo)體參數(shù)分析儀具有多種功能，因此適用于從探索分析到自動(dòng)測試的各種測量環(huán)境。

全“芯”新品！SPA6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀，1200V/100A，一鍵執(zhí)行測試，超高性價(jià)比！模塊化集成設(shè)計(jì)，配置多種不同規(guī)格的SMU，可同時(shí)進(jìn)行直流I-V、超快脈沖式I-V、C-V 測試，幫助你實(shí)現(xiàn)測試效率與開支的平衡！

產(chǎn)品特點(diǎn)  

30μV-1200V，1pA-100A  寬量程測試能力

測量精度高，全量程下可達(dá)0.03%

內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測試程序，直接調(diào)用測試簡便 

自動(dòng)實(shí)時(shí)參數(shù)提取、 數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù)

在CV和IV測量之間快速切換而無需重新布線

供靈活的夾具定制方案，兼容性強(qiáng)

免費(fèi)提供上位機(jī)軟件及SCPI指令集

應(yīng)用場景及測試參數(shù)

納米材料：電阻率、載流子遷移率、載流子濃度、霍爾電壓

柔性材料：拉伸/扭轉(zhuǎn)/彎折、V-t、I-t、R-t、電阻率、靈敏度

IC芯片：O/S、IIH/IIL、VOH/VOL、I/O  Pin IV曲線

分立器件：BVDSS/IGSS/IDSS/Vgs(th)/Rdson、Ciss/Coss/Crss、輸出/轉(zhuǎn)移/CV曲線等

光電探測器：暗電流ID、結(jié)電容Ct、反向擊穿電壓VBR、響應(yīng)度R

鈣鈦礦電池：VOC、ISC、Pmax、Vmax、Imax、FF、η、Rs、Rsh

LD/LED/OLED：Iop、Popt、VF、Ith、VR、IR、LIV/IVL曲線

傳感器/憶阻器：V-t、I-t、R-t、直流/脈沖/交流IV測試

特色優(yōu)勢

模塊化配置：可靈活配置多種測量單元，預(yù)留升級(jí)空間，方便后期升級(jí)

圖形化界面：內(nèi)置常用器件模板，可直接調(diào)用，并且支持輸出三種模式測試報(bào)告

自動(dòng)化測試：內(nèi)嵌低漏電矩陣開關(guān)，可自動(dòng)切換測試電路，實(shí)現(xiàn)一鍵測試功能

夾具可定制：支持二極管、三極管、Si及SiC  MOS管、IGBT等器件

多設(shè)備聯(lián)動(dòng)：可與探針臺(tái)、溫控模塊等搭配使用，溫控范圍：室溫~250℃