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考夫曼射頻離子源RFICP220輔助DC/DC 混合電路生產(chǎn)

來源:伯東企業(yè)(上海)有限公司 更新時間:2023-02-06 13:52:37 閱讀量:111

在 DC/DC 混合電路生產(chǎn)各工藝環(huán)節(jié)中會有不希望出現(xiàn)的物理接觸面狀態(tài)變化、相變等, 對質(zhì)量帶來不利影響, 對其生產(chǎn)中表面狀態(tài)的控制已成為必不可少的關(guān)鍵控制環(huán)節(jié).

 

某大型工廠在生產(chǎn)過程中采用 KRI 考夫曼平行型射頻離子源 RFICP220 輔助 DC/DC 混合電路生產(chǎn), 其主要目的是:

1. 去除處理物體表面的外來物層, 如沾污層、氧化層等

2. 改善物體表面狀態(tài), 提高物體表面活性, 提高物體表面能等

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

離子源型號

RFICP220

Discharge

RFICP 射頻

離子束流

>800 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

20 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

10-40 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

30 cm

直徑

41 cm

中和器

LFN 2000

 

客戶存在的問題:

客戶的背銀芯片很容易發(fā)生銀的硫化及氧化,將直接影響芯片的貼裝質(zhì)量.被硫化或氧化背銀的芯片采用導(dǎo)電膠粘接、氫氣燒結(jié)、再流焊貼裝均將有空洞率增大導(dǎo)致接觸電阻、熱阻增大和粘接強(qiáng)度下降等問題.

 

解決方案:

客戶采用 KRI 考夫曼平行型射頻離子源 RFICP220 , 氬氣作為清洗氣體, 清洗時間200~300 s, 氣體流量40 sccm, 經(jīng)過 KRI 考夫曼平行型射頻離子源 RFICP220 產(chǎn)生的離子束清洗芯片背面

 

運(yùn)行結(jié)果:

1. KRI 考夫曼平行型射頻離子源 RFICP220 有效去除背銀芯片硫化銀及氧化銀, 保證了芯片貼裝質(zhì)量

2. 可有效提高 DC/DC 混合電路組裝質(zhì)量及可靠性

 

 

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機(jī), 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.

 

 

若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:

上海伯東: 羅先生                               臺灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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