在 DC/DC 混合電路生產(chǎn)各工藝環(huán)節(jié)中會有不希望出現(xiàn)的物理接觸面狀態(tài)變化、相變等, 對質(zhì)量帶來不利影響, 對其生產(chǎn)中表面狀態(tài)的控制已成為必不可少的關(guān)鍵控制環(huán)節(jié).
某大型工廠在生產(chǎn)過程中采用 KRI 考夫曼平行型射頻離子源 RFICP220 輔助 DC/DC 混合電路生產(chǎn), 其主要目的是:
1. 去除處理物體表面的外來物層, 如沾污層、氧化層等
2. 改善物體表面狀態(tài), 提高物體表面活性, 提高物體表面能等

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):
離子源型號 | RFICP220 |
Discharge | RFICP 射頻 |
離子束流 | >800 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 20 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 10-40 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 30 cm |
直徑 | 41 cm |
中和器 | LFN 2000 |
客戶存在的問題:
客戶的背銀芯片很容易發(fā)生銀的硫化及氧化,將直接影響芯片的貼裝質(zhì)量.被硫化或氧化背銀的芯片采用導(dǎo)電膠粘接、氫氣燒結(jié)、再流焊貼裝均將有空洞率增大導(dǎo)致接觸電阻、熱阻增大和粘接強(qiáng)度下降等問題.
解決方案:
客戶采用 KRI 考夫曼平行型射頻離子源 RFICP220 , 氬氣作為清洗氣體, 清洗時間200~300 s, 氣體流量40 sccm, 經(jīng)過 KRI 考夫曼平行型射頻離子源 RFICP220 產(chǎn)生的離子束清洗芯片背面
運(yùn)行結(jié)果:
1. KRI 考夫曼平行型射頻離子源 RFICP220 有效去除背銀芯片硫化銀及氧化銀, 保證了芯片貼裝質(zhì)量
2. 可有效提高 DC/DC 混合電路組裝質(zhì)量及可靠性
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