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案例分享 | 從藍(lán)圖到現(xiàn)實(shí):澤攸科技無掩膜光刻如何成為科研創(chuàng)新的“即時(shí)打印機(jī)”?

來源:北京儀光科技有限公司 更新時(shí)間:2026-03-31 08:00:36 閱讀量:51
導(dǎo)讀:一種名為無掩膜光刻(Maskless Lithography)的技術(shù),正在以其革命性的“軟件定義、直接成形”理念,為科研工作者提供前所未有的自由與敏捷。

在當(dāng)今的微納制造與前沿科研領(lǐng)域,從半導(dǎo)體器件到生物芯片,從微機(jī)電系統(tǒng)到量子材料,幾乎每一項(xiàng)突破都離不開對(duì)微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行精確定義和加工的能力。傳統(tǒng)上,實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)依賴于光刻技術(shù),但其核心工具——物理掩模版,在當(dāng)今快速迭代、設(shè)計(jì)多變的研發(fā)環(huán)境中,逐漸顯露出成本高、周期長(zhǎng)、靈活性不足的短板。一種名為無掩膜光刻(Maskless Lithography)的技術(shù),正在以其革命性的“軟件定義、直接成形”理念,為科研工作者提供前所未有的自由與敏捷。        


范式轉(zhuǎn)移:從“實(shí)體膠片”到“數(shù)字投影

要理解無掩膜光刻的優(yōu)勢(shì),首先要看看其與傳統(tǒng)光刻的本質(zhì)區(qū)別。


傳統(tǒng)紫外光刻工藝就像使用一張實(shí)體膠片(掩模版)在暗房里沖洗照片。一旦這張價(jià)格不菲的“膠片”制作完成,其上的圖案就無法更改。每一次設(shè)計(jì)迭代,都意味著需要重新制作一張全新的掩模版,這無疑在時(shí)間和金錢上為科研探索設(shè)置了障礙。

傳統(tǒng)紫外光刻工藝示意圖

澤攸科技無掩膜光刻則徹底摒棄了物理掩模版。它的核心是一個(gè)被稱為數(shù)字微鏡器件(DMD)的可編程光學(xué)引擎。DMD由數(shù)百萬(wàn)個(gè)可獨(dú)立偏轉(zhuǎn)的微型反射鏡組成,每一面微鏡都像一個(gè)獨(dú)立的像素開關(guān)。計(jì)算機(jī)中的設(shè)計(jì)圖形被轉(zhuǎn)換為控制信號(hào),實(shí)時(shí)驅(qū)動(dòng)這些微鏡,從而在曝光光路中動(dòng)態(tài)生成圖案,并直接投影到涂有光刻膠的基底上。

基于數(shù)字微鏡器件(DMD)的無掩膜光刻系統(tǒng)示意圖

這意味著,研究人員在電腦上修改完設(shè)計(jì)文件后,可以立即啟動(dòng)下一次曝光,真正實(shí)現(xiàn)了“設(shè)計(jì)即加工”。這種從“制造掩?!钡穆L(zhǎng)循環(huán)到“數(shù)字投影”的瞬時(shí)轉(zhuǎn)換,是其靈活性的根本來源。


不止于平面:開啟三維微結(jié)構(gòu)制造

澤攸科技無掩膜光刻的強(qiáng)大之處不僅在于其二維圖形的快速定義,更在于它能輕松駕馭三維微納結(jié)構(gòu)的制造,這得益于其灰度光刻能力。


與傳統(tǒng)的“全有或全無”的曝光不同,灰度光刻可以精確控制每個(gè)像素點(diǎn)的曝光劑量,從而實(shí)現(xiàn)光刻膠厚度的連續(xù)、可控變化。經(jīng)過一次曝光和顯影,就能直接得到具有復(fù)雜三維形貌的結(jié)構(gòu)。

灰度光刻菲涅爾透鏡,3D灰度光刻實(shí)現(xiàn)菲涅爾透鏡,從掃面電鏡的截面圖中可以看出臺(tái)階連續(xù)變化

上圖中通過掃描電鏡(SEM)看到的菲涅爾透鏡截面,其臺(tái)階高度連續(xù)變化,成功模擬了傳統(tǒng)曲面透鏡的光學(xué)功能。這種能力在微光學(xué)(如衍射光學(xué)元件、微透鏡陣列)、微流控(如梯度深寬比通道)和生物仿生結(jié)構(gòu)制造中具有巨大應(yīng)用潛力。 


賦能前沿探索:從新材料到微型系統(tǒng)

澤攸科技無掩膜光刻的“快速原型”能力,使其成為多個(gè)前沿研究領(lǐng)域的利器。

1

探索分辨極限與新材料器件:

通過優(yōu)化系統(tǒng),澤攸科技無掩膜光刻能夠?qū)崿F(xiàn)亞微米級(jí)的分辨率。例如,在相關(guān)測(cè)試中已成功制作出線寬約200納米、排列規(guī)則的高分辨率圖形。

圖 200nm線寬300nm間隔

圖 200nm線寬500nm間隔


在新型二維材料(如石墨烯、二硫化鉬)的研究中,無掩膜光刻能夠快速、精準(zhǔn)地在原子層薄的材料上定義電極圖形,為制備高性能晶體管、光電探測(cè)器等原型器件提供了極大便利,加速了新材料性能的探索和驗(yàn)證。

二維材料光刻電極,光刻前投影與顯影后的結(jié)果

2

加速M(fèi)EMS與微流控芯片研發(fā):

在微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)和微流控芯片的開發(fā)中,設(shè)計(jì)需要反復(fù)驗(yàn)證和調(diào)整。澤攸科技無掩膜光刻無需制作掩模版,可直接在硅片或光刻膠上加工出懸臂梁、電容器、微腔室或流道等結(jié)構(gòu)原型。

MEMS器件制作,電容器(鍍銀)與光電探測(cè)器

微流控芯片制作,陽(yáng)模制作與PDMS脫模后

這種方法將原型制造周期從數(shù)周縮短至數(shù)小時(shí),極大降低了前期研發(fā)成本和風(fēng)險(xiǎn),使快速迭代成為可能。


  強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合:混合光刻策略

在實(shí)際科研中,澤攸科技無掩膜光刻并非要取代所有技術(shù),而是與其他技術(shù)優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。例如,它可以與分辨率更高但速度較慢的電子束光刻結(jié)合,形成混合光刻方案。

澤攸科技混合光刻技術(shù)

在這種策略下,先用無掩膜光刻高效加工大面積的微米級(jí)基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)(如電極焊盤、引線),再用電子束光刻精雕細(xì)琢關(guān)鍵區(qū)域的納米級(jí)特征(如量子點(diǎn)、納米線間隙)。這種組合兼顧了加工效率和極致精度,是制備復(fù)雜多功能器件的有效途徑。                          


  桌面化革命:澤攸科技ZML系列

技術(shù)的普及離不開設(shè)備的進(jìn)步。以澤攸科技ZML系列DMD無掩膜光刻機(jī)為代表的桌面化設(shè)備,正將以往需要大型超凈間才能完成的微納加工能力,帶入普通的大學(xué)實(shí)驗(yàn)室和研發(fā)中心。

澤攸科技ZML系列DMD無掩膜光刻機(jī)

這種“桌面化”趨勢(shì)極大地降低了微納技術(shù)的入門門檻,使得材料、物理、化學(xué)、生物醫(yī)學(xué)等不同領(lǐng)域的研究者,都能便捷地將自己的創(chuàng)新想法快速轉(zhuǎn)化為可測(cè)試的微納器件原型,有力推動(dòng)了跨學(xué)科的融合創(chuàng)新。                       


  結(jié)語(yǔ)

澤攸科技無掩膜光刻不僅僅是一項(xiàng)技術(shù)改進(jìn),更是一種研發(fā)范式的革新。它將微納制造從依賴固定“模具”的批量復(fù)制模式,轉(zhuǎn)變?yōu)榭捎绍浖杂沈?qū)動(dòng)的“數(shù)字制造”模式。這把高效的“數(shù)字刻刀”,賦予了科研人員“所想即所得”的創(chuàng)造自由,正在成為連接創(chuàng)新思想與物理實(shí)體的關(guān)鍵橋梁,持續(xù)推動(dòng)著人類在微觀尺度上的認(rèn)知邊界和應(yīng)用前沿不斷拓展。

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