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2025-08-06 16:06:00多晶拋光液
多晶拋光液是一種專(zhuān)用于多晶材料拋光的化學(xué)溶液,主要由磨料、分散劑、pH調(diào)節(jié)劑等成分組成。它通過(guò)化學(xué)和機(jī)械作用的結(jié)合,有效去除多晶材料表面的不平整層,實(shí)現(xiàn)高精度、高光潔度的拋光效果。多晶拋光液適用于多種多晶材料,如硅、鍺等半導(dǎo)體材料,以及藍(lán)寶石、碳化硅等硬質(zhì)材料。其拋光性能穩(wěn)定,操作簡(jiǎn)便,是半導(dǎo)體制造、光學(xué)元件加工等領(lǐng)域不可或缺的重要材料。

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2021-03-24 13:10:02“細(xì)”之QMAXIS 金剛石拋光液
       談到細(xì)這個(gè)字的時(shí)候,人們下意識(shí)的會(huì)想到“細(xì)節(jié)”兩個(gè)字。       松下幸之助所言:“無(wú)視細(xì)節(jié)的企業(yè),它的發(fā)展必定在粗糙的礫石中停滯”。不少成功人士的實(shí)踐經(jīng)歷告訴我們,關(guān)注細(xì)節(jié)不一定能使企業(yè)管理成功,但成功的管理必定在于細(xì)節(jié)處用心。從現(xiàn)在的企業(yè)管理中,很多管理者以身作則,向我們踐行、引導(dǎo)著“見(jiàn)微知著,從細(xì)節(jié)了解員工;言傳身教,用細(xì)節(jié)糾正員工的粗心習(xí)慣;潛移默化,用細(xì)節(jié)感染員工”的理念。任何事情,只要用心去做,不要有絲毫的放松,就能達(dá)到理想的效果,相反,輕率敷衍,得過(guò)且過(guò),則一事無(wú)成。       天下難事,必做于易;天下大事,必做于細(xì)。——老子       細(xì)---究竟是什么概念,每一行都會(huì)有每行的一把標(biāo)尺。       今天我們就來(lái)討論一下衡量金剛石拋光液的標(biāo)尺,它細(xì)到何種程度,在這之前我們先看一下單位的換算和圖片。         對(duì)于這種微米級(jí),金剛石拋光液磨料顆粒分布在溶劑中無(wú)法靠肉眼看見(jiàn)的,但它具有(濃度高,純度高,微粉粒徑一致,分散均勻,性能穩(wěn)定)等特性,從而保證了在工作中磨削能力強(qiáng)、拋光表面效果好的性能。同時(shí)它還具有著無(wú)毒環(huán)保的特性,讓工程師們?cè)谑褂脮r(shí)候安全放心。應(yīng)用廣泛,能滿足各種材料的金相研磨、拋光需求。       好的產(chǎn)品,無(wú)需用過(guò)多華麗辭藻來(lái)修飾,真正的說(shuō)服力還是使用后所給予的滿意度。差之毫厘,謬以千里,細(xì)致入微,方能立身根本。
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2022-07-27 09:48:22cmp研磨液廠家使用低場(chǎng)核磁技術(shù)研究CMP拋光液的原位分散性
cmp研磨液廠家使用低場(chǎng)核磁技術(shù)研究CMP拋光液的原位分散性CMP 全稱(chēng)為 Chemical Mechanical Polishing,即化學(xué)機(jī)械拋光。該技術(shù)是半導(dǎo)體晶圓制造的比備流程之一,對(duì)高精度、高性能晶圓制造至關(guān)重要。拋光液的主要成分包括研磨顆粒、PH值調(diào)節(jié)劑、氧化劑、分散劑等。從成分中我們就大概知道了拋光液是一種對(duì)分散要求很高的納米材料懸浮液,所以研磨過(guò)程中對(duì)顆粒的尺寸變化以及顆粒在懸浮液中的分散性都有著極其嚴(yán)苛的要求。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)用于懸浮液中顆粒尺寸變化和顆粒分散性檢測(cè)低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)以水分子(溶劑)為探針,可以實(shí)時(shí)檢測(cè)懸浮液體系中水分子的狀態(tài)變化。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)可以區(qū)分出納米顆粒與溶劑的固液界面間那一層薄薄的表面溶劑分子,當(dāng)顆粒尺寸或顆粒分散性發(fā)生變化時(shí),顆粒表面的溶劑分子也會(huì)發(fā)生相應(yīng)的變化。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)可以靈敏的檢測(cè)到這這種變化狀態(tài)和變化過(guò)程,從而可以快速地評(píng)價(jià)例如拋光液以及相關(guān)懸浮液樣品的分散性和懸浮液中顆粒尺寸的變化過(guò)程。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)與傳統(tǒng)氮?dú)馕椒ㄓ心男┎町??在低?chǎng)核磁弛豫技術(shù)還未應(yīng)用于拋光液領(lǐng)域之前,蕞常用的方法是用氮?dú)馕椒▉?lái)表征顆粒的比表面積。但是在實(shí)際的研發(fā)與生產(chǎn)過(guò)程中,研究人員發(fā)現(xiàn)就算氮?dú)馕椒ū碚鞯难心ヮw粒的比表面積非常穩(wěn)定,拋光過(guò)程中還是會(huì)發(fā)生拋光液性能不穩(wěn)定的情況。而這種情況很可能是研磨顆粒在溶劑體系中發(fā)生了團(tuán)聚,進(jìn)而發(fā)生了尺寸上的變化而導(dǎo)致蕞終研磨性能的問(wèn)題。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)可直接用于研磨液原液的分散性檢測(cè),可以快速評(píng)價(jià)懸浮液體系的分散性而被廣泛應(yīng)用于CMP拋光液的研發(fā)與生產(chǎn)控制中。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)還能用于哪些領(lǐng)域?低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)除了用于半導(dǎo)體CMP拋光液,還可以用于國(guó)家正大力扶持的新能源電池漿料,光伏產(chǎn)業(yè)的導(dǎo)電銀漿,石墨烯漿料,電子漿料等新材料領(lǐng)域。這些方向都非常適合采用低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)來(lái)研究其原液的分散性、穩(wěn)定性。低場(chǎng)核磁弛豫分析儀:
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2022-04-01 16:35:59低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)用于CMP拋光液的原位分散性檢測(cè)
低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)用于CMP拋光液的原位分散性檢測(cè)CMP 全稱(chēng)為 Chemical Mechanical Polishing,即化學(xué)機(jī)械拋光。該技術(shù)是半導(dǎo)體晶圓制造的必備流程之一,對(duì)高精度、高性能晶圓制造至關(guān)重要。拋光液的主要成分包括研磨顆粒、PH值調(diào)節(jié)劑、氧化劑、分散劑等。從成分中我們就大概知道了拋光液是一種對(duì)分散要求很高的納米材料懸浮液,所以研磨過(guò)程中對(duì)顆粒的尺寸變化以及顆粒在懸浮液中的分散性都有著極其嚴(yán)苛的要求。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)用于懸浮液中顆粒尺寸變化和顆粒分散性檢測(cè)低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)以水分子(溶劑)為探針,可以實(shí)時(shí)檢測(cè)懸浮液體系中水分子的狀態(tài)變化。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)可以區(qū)分出納米顆粒與溶劑的固液界面間那一層薄薄的表面溶劑分子,當(dāng)顆粒尺寸或顆粒分散性發(fā)生變化時(shí),顆粒表面的溶劑分子也會(huì)發(fā)生相應(yīng)的變化。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)可以靈敏的檢測(cè)到這這種變化狀態(tài)和變化過(guò)程,從而可以快速地評(píng)價(jià)例如拋光液以及相關(guān)懸浮液樣品的分散性和懸浮液中顆粒尺寸的變化過(guò)程。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)與傳統(tǒng)氮?dú)馕椒ㄓ心男┎町??在低?chǎng)核磁弛豫技術(shù)還未應(yīng)用于拋光液領(lǐng)域之前,最常用的方法是用氮?dú)馕椒▉?lái)表征顆粒的比表面積。但是在實(shí)際的研發(fā)與生產(chǎn)過(guò)程中,研究人員發(fā)現(xiàn)就算氮?dú)馕椒ū碚鞯难心ヮw粒的比表面積非常穩(wěn)定,拋光過(guò)程中還是會(huì)發(fā)生拋光液性能不穩(wěn)定的情況。而這種情況很可能是研磨顆粒在溶劑體系中發(fā)生了團(tuán)聚,進(jìn)而發(fā)生了尺寸上的變化而導(dǎo)致zui終研磨性能的問(wèn)題。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)可直接用于研磨液原液的分散性檢測(cè),可以快速評(píng)價(jià)懸浮液體系的分散性而被廣泛應(yīng)用于CMP拋光液的研發(fā)與生產(chǎn)控制中。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)還能用于哪些領(lǐng)域?低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)除了用于半導(dǎo)體CMP拋光液,還可以用于國(guó)家正大力扶持的新能源電池漿料,光伏產(chǎn)業(yè)的導(dǎo)電銀漿,石墨烯漿料,電子漿料等新材料領(lǐng)域。這些方向都非常適合采用低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)來(lái)研究其原液的分散性、穩(wěn)定性。低場(chǎng)核磁弛豫分析儀:
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