- 2025-01-10 10:47:35二氧化硅納米粒子
- 二氧化硅納米粒子是一種具有納米級尺寸的二氧化硅顆粒。它們具有高比表面積、優(yōu)異的化學穩(wěn)定性和良好的生物相容性。二氧化硅納米粒子在藥物傳遞、生物標記、催化劑載體、光學材料等領(lǐng)域有廣泛應用。其小尺寸效應和表面效應使得它們在化學反應、生物識別等方面表現(xiàn)出獨特的性能。此外，二氧化硅納米粒子還具有良好的分散性和可修飾性，便于進行表面功能化改性，以滿足不同領(lǐng)域的應用需求。
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二氧化硅納米粒子問答
- 2023-06-05 09:39:20傅立葉變換紅外光譜儀測定粉塵中游離二氧化硅含量
- 關(guān)鍵詞：紅外光譜儀 定量檢測 游離二氧化硅 在電力、煤炭等行業(yè)生產(chǎn)環(huán)境中，粉塵中游離二氧化硅含量較高,粉塵的分散度也比較高，即多為呼吸性粉塵，因此對作業(yè)人員的危害較大，主要包括鼻炎、咽炎、氣管炎、支氣管炎等呼吸系統(tǒng)疾病。因此，加強對粉塵中游離二氧化硅含量的檢測是一件非常重要和緊迫的工作。以往檢測均采用“焦磷酸重量法”，該方法存在操作步驟復雜、使用試劑種類繁多、檢測周期長、準確性差、試驗室條件要求苛刻等一系列問題，難以滿足現(xiàn)場批量檢測的要求。為了提高檢測的準確性，實現(xiàn)批量檢測的目的，可選用FTIR920型傅立葉變換紅外光譜儀來檢測粉塵中游離二氧化硅含量。檢測原理：α-石英在紅外光譜中于 12.5μm（800cm-1）、12.8μm（780cm-1）及 14.4（694cm-1）μm處出現(xiàn)特異性強的吸收帶，在一定范圍內(nèi)，其吸光度值與α-石英質(zhì)量成線性關(guān)系。通過測量吸光度，進行定量測定。儀器配置：制樣準備：瓷坩堝和坩堝鉗；箱式電阻爐或低溫灰化爐；十萬分之一天平；200目過濾篩；濾紙、稱量紙 若干；無水乙醇；手套、脫脂棉、小藥勺、玻璃取樣瓶；游離二氧化硅標準品(純度高于95%)；采集的粉塵樣品。樣品的采集：根據(jù)測定目的，樣品的采集方法參見 GBZ 159 和 GBZ/T 192.2 或 GBZ/T 192.1，濾膜上采集的粉塵量大于 0.1mg 時，可直接用于本法測定游離二氧化硅含量。測定：1、樣品處理準確稱量采有粉塵的濾膜上粉塵的質(zhì)量（G）。然后將受塵面向內(nèi)對折 3 次，放在瓷坩堝內(nèi)，置于低溫灰化爐或電阻爐（小于 600℃）內(nèi)灰化，冷卻后，放入干燥器內(nèi)待用。稱取 250mg 溴化鉀和灰化后的粉塵樣品一起放入瑪瑙乳缽中研磨混勻后，連同壓片模具一起放入干燥箱（110℃±5℃）中10min。將干燥后的混合樣品置于壓片模具中，加壓25MPa，持續(xù) 3min，制備出的錠片作為測定樣品。同時，取空白濾膜一張，同樣處理，作為空白對照樣品。2、石英標準曲線的繪制 精確稱取不同質(zhì)量的標準α-石英塵（0.01mg ~1.00mg），分別加入250mg 溴化鉀，置于瑪瑙乳缽中充分研磨均勻，按上述樣品制備方法做出透明的錠片。將不同質(zhì)量的標準石英錠片置于樣品室光路中進行掃描，紅外軟件以 X 軸橫坐標記錄 1000cm-1~600cm-1 的譜圖，在 900cm-1 處校正零點和 100%，以 Y 軸縱坐標表示吸光度。以 800cm-1、780cm-1 及 694cm-1 三處的吸光度值為縱坐標，以石英質(zhì)量（mg）為橫坐標，繪制三條不同波長的α-石英標準曲線，并求出標準曲線的回歸方程式。在無干擾的情況下，一般選用 800 cm-1標準曲線進行定量分析。3、樣品測定分別將樣品錠片與空白對照樣品錠片置于樣品室光路中進行掃描，記錄800cm-1（或 694cm-1）處的吸光度值，重復掃描測定 3 次，測定樣品的吸光度均值減去空白對照樣品的吸光度均值后，由α-石英標準曲線得樣品中游離二氧化硅的質(zhì)量（m）。計算 按以下公式計算粉塵中游離二氧化硅的含量：SiO2(F)= m/G× 100公式中：SiO2（F）——粉塵中游離二氧化硅（α-石英）的含量，%；m——測得的粉塵樣品中游離二氧化硅的質(zhì)量，mg；G——粉塵樣品質(zhì)量，mg。注意事項1、本法的α-石英檢出量為 0.01mg；相對標準差（RSD）為 0.64%~1.41%。2、粉塵粒度大小對測定結(jié)果有一定影響，因此，樣品和制作標準曲線的石英塵應充分研磨，使其粒度小于 5μm 者占 95%以上，方可進行分析測定。3、灰化溫度對煤礦塵樣品定量結(jié)果有一定影響，若煤塵樣品中含有大量高嶺土成分，在高于 600℃灰化時發(fā)生分解，于 800cm-1 附近產(chǎn)生干擾，如灰化溫度小于 600℃時，可消除此干擾帶。4、在粉塵中若含有粘土、云母、閃石、長石等成分時，可在 800cm-1 附近產(chǎn)生干擾，則可用 694cm-1 的標準曲線進行定量分析。5、為降低測量的隨機誤差，實驗室溫度應控制在 18℃~24℃，相對濕度小于 50%為宜。制備石英標準曲線樣品的分析條件應與被測樣品的條件完全一致，以減少誤差。
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- 2022-11-11 22:42:17納米二氧化硅表面改性研究-低場核磁技術(shù)
- 納米二氧化硅表面改性研究-低場核磁技術(shù)納米二氧化硅具有常規(guī)材料難以比擬的優(yōu)異性能，在先進陶瓷、微電子、航天航空、生物制藥、光學檢測等領(lǐng)域獲得了廣泛的應用，但由于穩(wěn)定性低、易發(fā)生團聚和難于分散，需要對超細粉體進行適當?shù)谋砻嫣幚硪愿纳祁w粒的表面特性和提高其分散性能，達到應用要求。納米二氧化硅表面改性方法納米二氧化硅表面改性方法是指改變非金屬礦物粉體表面或界面的物理化學性質(zhì)的方法，主要有表面物理涂覆、化學包覆、無機沉淀包覆或薄膜、機械力化學、化學插層等。目前工業(yè)上粉體表面改性常用的方法主要有表面化學包覆改性法、沉淀反應改性法、機械化學改性法和復合法。在實際生產(chǎn)過程中，正確評價表面改性效果，對及時調(diào)整改性劑、工藝與設備參數(shù)等至關(guān)重要。低場核磁共振技術(shù)可用于粉體表面改性研究，特別是懸浮體系的表面特性研究。低場核磁技術(shù)用于納米二氧化硅表面改性劑研究的基本原理：對于潤濕的顆粒體系，顆粒表面會附著一層液相分子，這些液相分子因無機相表面的吸附作用而運動受限。但未與顆粒相接觸的液相分子運動是自由的，液相分子的馳豫時間（relaxation time）與它所處的運動狀態(tài)密切相關(guān)，自由狀態(tài)的液相分子的核磁馳豫時間要比束縛狀態(tài)的液相分子的馳豫時間長得多，顆粒分散性更好的體系吸附溶劑量相對更多，弛豫時間也就更短。因此，可以利用低場核磁共振技術(shù)來測量懸浮液體系的馳豫時間，并計算顆粒的濕潤比表面積（可利用的吸附表面積），進而用來研究顆粒的團聚狀態(tài)、分散性穩(wěn)定性、親和性以及潤濕性等問題。
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- 2023-06-16 10:55:37成都客戶體驗中心開放日粉塵中游高二氧化硅會量測定高級培訓班
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- 2018-12-17 23:02:08納米二氧化硅分散液和納米二氧化硅粒子的區(qū)別
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- 2018-11-30 06:43:58為什么納米粒子需要測定臨界膠束濃度？
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