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2025-01-21 09:33:41重離子輻照: 重離子輻照是一種利用重離子束對材料或生物體進行照射的技術。重離子具有高質量和高電荷，能夠深入物質內部，產生強烈的電離效應和能量沉積，從而引發(fā)一系列物理、化學和生物學變化。在材料科學領域，重離子輻照可用于改性、合成新材料或研究材料性能。在生物學和醫(yī)學研究中，它則常用于誘變育種、細胞生物學研究及癌癥治療等領域。該技術具有高精度、高效率和可調控性等優(yōu)點，是現代科技研究中的重要手段之一。

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重離子輻照石墨烯調制電學性能有望成為新電子器件基材

二維材料的全名為二維原子晶體材料，是伴隨著曼切斯特大學成功分離出單原子層的石墨材料—石墨烯而提出的。

4213
2019-09-15
二維材料石墨烯電子元器件重離子輻照

重離子輻照產品

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重離子輻照問答

2022-07-13 10:35:20OHSP-350UVS紫外輻照計定制波長180-450nm: OHSP-350UVS紫外輻照計可測量參數： 1. 紫外危害輻照度(mW/m2); 2. UVA輻照度(mW/m2); 3. UVB輻照度(mW/m2); 4. UVC輻照度(mW/m2); 5. Euv輻照度(mW/m2); 6. Eb藍光輻照度(mW/m2); 7. Eg綠光輻照度(mW/m2); 8. Ec自定義輻照度(mW/m2); 9. 輻射照度 Ee（W/m2）; 10. 主波長; 11. 峰值波長; 12. 中心波長; 13. 質心波長; 14. 半寬度; 15. 更多功能參數可定制OHSP-350UVS紫外輻照計技術參數：OHSP-350UVS紫外輻照計優(yōu)點： ◆體積小，重量輕，便于攜帶； ◆長焦交叉非對稱 CT 分光系統(tǒng)具有良好的測量線性和測量準確度； ◆集光譜、照度/亮度、色度等測量功能于一體； ◆自主研發(fā)操作系統(tǒng)，界面友好，操作簡單順暢； ◆自動溫漂校零技術，無需在使用前進行校正零位，無需擔心使用中溫度漂移導致測試結果失準；

2023-06-21 13:55:48《Small》：精確調控樣品磁性！氦離子輻照改善磁疇壁動力學: 近年來，人們在不斷探索新型低能耗，高存儲密度的新型磁存儲材料。特別是對于磁疇壁動力學、斯格明子等方面的研究吸引了大批科研人員的目光。隨著研究的深入，制備出具有特定磁各項異性的材料并且進行精細的調控變的尤為重要。在對樣品特性精細調控的技術中，利用氦離子輻照是對樣品無損壞的一種高精度手段。氦離子輻照具有精度高、均勻性好、條件更加靈活、易于控制等優(yōu)勢，與其它改性方法相比，有利于器件或集成電路的大規(guī)模生產。基于此，法國Spin-Ion 公司經多年研發(fā)推出離子輻照磁性精細調控系統(tǒng)Helium-S?。該系統(tǒng)采用創(chuàng)新的離子束技術，可以通過超緊湊和快速的氦離子束設備精確控制原子間的位移，使其能夠在原子尺度上加工材料，并通過離子束工藝來調控薄膜和異質結構。設備一經推出，便受到廣大科學家的關注，截止目前已有20多家科研和工業(yè)用戶以及合作伙伴使用該技術，國內也在北航和復旦等高校安裝該系統(tǒng)，其獨有的技術正受到來自相關科研圈和工業(yè)領域越來越多的認可。近期，來自于法國格勒諾布爾-阿爾卑斯大學CNRS-Institut Néel實驗室的Stefania Pizzini團隊聯(lián)合法國Spin-Ion Technologies公司的兩名工程師利用離子輻照磁性精細調控系統(tǒng)Helium-S?對Pt/Co/AlOx磁性薄膜進行了磁性調控研究。文章以“Improving Néel Domain Walls Dynamics and Skyrmion Stability Using He Ion Irradiation”為題發(fā)表在Small上。氦離子輻照量對樣品的磁各向異性的影響文章討論了使用離子輻照磁性精細調控系統(tǒng)Helium-S?對Pt/Co/AlOx三層膜的磁性能產生的影響。研究人員發(fā)現，氦離子輻照可以改善Néel磁疇壁的動力學和斯格明子的穩(wěn)定性。輻照可以降低垂直磁各向異性（PMA），而不影響界面Dzyaloshinskii-Moriya相互作用（DMI）的強度。這使得磁疇壁可以在較低的磁場下達到更大的速度。該研究表明，將PMA與DMI分離對于基于磁疇壁動力學的低能耗設備的設計是有益的。同時，輻照還可以調節(jié)斯格明子的大小和穩(wěn)定性，使其更加穩(wěn)定并且可以在更高的磁場下存在。這些結果表明氦離子輻照可以對基于磁疇壁動力學和斯格明子的低能耗設備的設計產生積極影響。氦離子輻照量對樣品的磁疇壁和斯格明子的影響該項工作中使用的離子輻照磁性精細調控系統(tǒng)Helium-S?已經成為磁性薄膜研究與性能調控的重要手段。該系統(tǒng)可以對直徑1英寸的晶圓進行掃描輻照，具有精度高，可控性好等特點。應用領域：? 磁性隨機存儲器(MRAM)：自旋轉移矩磁性隨機存儲(STT-MRAM)，自旋軌道矩磁性隨機存儲(SOT-MRAM)，磁疇壁磁性隨機存儲(DW-MRAM)等；? 自旋電子學：斯格明子，磁性隧道結，磁傳感器等；? 磁學相關：磁性氧化物，多鐵性材料；? 其他方向：薄膜改性，芯片加工，仿神經器件，邏輯器件等。產品特點：? 可通過超緊湊和快速的氦離子束設備精確控制原子間的位移，通過氦離子輻照可精確調控磁性薄膜或晶圓的磁學性質。? 可提供能量范圍：1-30 keV的He+離子束? 采用創(chuàng)新的電子回旋共振（ECR）離子源? 可對25 mm的試樣進行快速的均勻輻照（幾分鐘）? 超緊湊的設計，節(jié)省實驗空間? 可與現有的超高真空設備互聯(lián)離子輻照磁性精細調控系統(tǒng)Helium-S? 測試數據：調控界面各向異性性質和DMI 低電流誘發(fā)的SOT轉換獲取控制斯格明子和磁疇壁的動態(tài)變化用戶單位已經購買該設備的國內外用戶單位：Beihang University (China)Fudan University (China)University of California San Diego (USA)University of California Davis (USA)New York University (USA)Georgetown University (USA)Northwestern University (USA)University of Lorraine (France)SPINTEC Grenoble (France)University of Cambridge (UK)University of Manchester (UK)Nanyang Technological University (Singapore)A*STAR (Singapore)University of Gothenburg (Sweden)Western Digital (USA)IBM (USA)Singulus Technologies (Germany) 文章列表：[1]. Tailoring magnetism by light-ion irradiation, J Fassbender, D Ravelosona, Y Samson, Journal of Physics D: Applied Physics 37 (2004)[2]. Ordering intermetallic alloys by ion irradiation: A way to tailor magnetic media, H Bernas & D Ravelosona, Physical review letters 91, 077203 (2003)[3]. Influence of ion irradiation on switching field and switching field distribution in arrays of Co/Pd-based bit pattern media, T Hauet & D Ravelosona, Applied Physics Letters 98, 172506 (2011)[4]. Ferromagnetic resonance study of Co/Pd/Co/Ni multilayers with perpendicular anisotropy irradiated with helium ions, J-M.Beaujour & A.D. Kent & D.Ravelosona &E.Fullerton, Journal of Applied Physics 109, 033917 (2011)[5]. Irradiation-induced tailoring of the magnetism of CoFeB/MgO ultrathin films, T Devolder & D Ravelosona, Journal of Applied Physics 113, 203912 (2013)[6]. Controlling magnetic domain wall motion in the creep regime in He-irradiated CoFeB/MgO films with perpendicular anisotropy, L.Herrera Diez & D.Ravelosona, Applied Physics Letter 107, 032401 (2015)[7]. Measuring the Magnetic Moment Density in Patterned Ultrathin Ferromagnets with Submicrometer Resolution, T.Hingant & D.Ravelosona & V.Jacques, Physical Review Applied 4, 014003 (2015)[8]. Suppression of all-optical switching in He+ irradiated Co/Pt multilayers: influence of the domain-wall energy, M El Hadri & S Mangin & D Ravelosona, J. Phys. D: Appl. Phys. 51, 215004 (2018)[9]. Tuning the magnetodynamic properties of all-perpendicular spin valves using He+ irradiation, Sheng Jiang & D.Ravelosona & J.Akerman, AIP Advances 8, 065309 (2018)[10]. Enhancement of the Dzyaloshinskii-Moriya Interaction and domain wall velocity through interface intermixing in Ta/CoFeB/MgO, L Herrera Diez & D Ravelosona, Physical Review B 99, 054431 (2019)[11]. Enhancing domain wall velocity through interface intermixing in W-CoFeB-MgO films with perpendicular anisotropy, X Zhao & W.Zhao & D Ravelosona, Applied Physics Letter 115, 122404 (2019)[12]. Controlling magnetism by interface engineering, L Herrera Diez & D Ravelosona, Book Magnetic Nano- and Microwires 2nd Edition, Elsevier (2020)[13]. Reduced spin torque nano-oscillator linewidth using He+ irradiation, S Jiang & D Ravelosona & J Akerman, Appl. Phys. Lett. 116, 072403 (2020)[14]. Spin–orbit torque driven multi-level switching in He+ irradiated W–CoFeB–MgO Hall bars with perpendicular anisotropy, X.Zhao & M.Klaui & W.Zhao & D.Ravelosona, Appl. Phys. Lett 116, 242401 (2020)[15]. Magnetic field frustration of the metal-insulator transition in V2O3, J.Trastoy & D.Ravelosona & Y.Schuller, Physical Review B 101, 245109 (2020)[16]. Tailoring interfacial effect in multilayers with Dzyaloshinskii–Moriya interaction by helium ion irradiation, A.Sud & D.Ravelosona &M.Cubukcu, Scientific report 11, 23626 (2021)[17]. Ion irradiation and implantation modifications of magneto-ionically induced exchange bias in Gd/NiCoO, Christopher J. Jensen & Dafiné Ravelosona, Kai Liu, Journal of Magnetism and Magnetic Materials 540, 168479 (2021)[18]. Helium Ions Put Magnetic Skyrmions on the Track, R.Juge & D.Ravelosona & O.Boulle, Nano Lett. 2021 Apr 14;21(7):2989-2996參考文獻：[1]. Cristina Balan, Johannes W. van de Jagt, et al. Improving Néel Domain Walls Dynamics and Skyrmion Stability Using He Ion Irradiation. Small, 2023. https://doi.org/10.1002/smll.202302039

2022-06-24 13:57:31低場核磁法研究輻照交聯(lián)度: 低場核磁法研究輻照交聯(lián)度交聯(lián)，是指利用特定的技術手段，在聚合物高分子長鏈之間形成化學鍵或者圍觀鏹力物理結合點，從而使聚合物的物理性能、化學性能獲得改善并有可能引入新的性能。這里的“輻照交聯(lián)度”專指各種核輻射如電子束、γ射線、中子束、粒子束等等，光輻射如紫外光等的應用則屬于光化學領域，也可利用紫外光引發(fā)交聯(lián)反應，稱為光交聯(lián)。聚合物的分子鏈與鏈之間缺乏緊密的結合力，使得整體材料在經受外力及環(huán)境溫度影響時產生變形或發(fā)生破壞，限制了其應用。根據實際應用范圍和目的，有必要對聚合物進行改性,交聯(lián)被認為是行之有效的方法。聚合物交聯(lián)度一直都是行業(yè)難題,傳統(tǒng)的溶脹法測試精度低、受人為主觀因素較大。在核磁法中,聚合物弛豫衰減曲線隨樣品內部組分狀態(tài)的改變而改變,通過核磁弛豫技術可快速無損獲得交聯(lián)鏈與非交聯(lián)鏈信號以得到交聯(lián)度。高分子聚合物內的溶劑部分流動性蕞強,衰減最慢;非交聯(lián)段具有一定的分子運動特性,衰減相對較慢;而交聯(lián)段所受束縛程度大,分子運動特性小,衰減較快。相比傳統(tǒng)的SE或CPMG序列采集的不同,采用MSE-CPMG新序列采集時,通過施加組合脈沖使得核磁共振信號在死時間范圍內來回反轉從而盡量維持原始的核磁共振信號強度,以此實現更加短的弛豫信息采集,交聯(lián)度的測試準確性進一步提高。低場核磁法研究輻照交聯(lián)度的原理:低場核磁共振分析技術是利用脈沖激發(fā)材料樣品中的氫質子發(fā)生共振,停止脈沖后,氫質子發(fā)生弛豫。樣品中處于不同狀態(tài)的氫質子的弛豫時間是不同的。對其弛豫信號進行檢測分析研究可以直接或者間接檢測材料的某些特性。低場核磁法是利用低場核磁共振分析技術,通過對烴鏈上的H分子運動進行評價,根據弛豫分析模型解析出樣品的交聯(lián)度。測試過程無需化學品、對樣品無損,測試速度快,一般3分鐘以內即可完成測試。低場核磁共振分析儀的組成核磁交聯(lián)密度儀通常由以下幾部分組成：1)控制單元（控制核心，人機交互的界面）；2)磁體單元（產生射頻激勵并收集信號的部分）；3)樣品腔（測樣部分）。除以上部分，還有溫度控制、電源模塊等；

2023-06-21 13:22:15《Small》：精確調控樣品磁性！氦離子輻照改善磁疇壁動力學和斯格明子穩(wěn)定性，讓低能耗設備更高效！: 近年來，人們在不斷探索新型低能耗，高存儲密度的新型磁存儲材料。特別是對于磁疇壁動力學、斯格明子等方面的研究吸引了大批科研人員的目光。隨著研究的深入，制備出具有特定磁各項異性的材料并且進行精細的調控變的尤為重要。在對樣品特性精細調控的技術中，利用氦離子輻照是對樣品無損壞的一種高精度手段。氦離子輻照具有精度高、均勻性好、條件更加靈活、易于控制等優(yōu)勢，與其它改性方法相比，有利于器件或集成電路的大規(guī)模生產。基于此，法國Spin-Ion 公司經多年研發(fā)推出離子輻照磁性精細調控系統(tǒng)Helium-S?。該系統(tǒng)采用創(chuàng)新的離子束技術，可以通過超緊湊和快速的氦離子束設備精確控制原子間的位移，使其能夠在原子尺度上加工材料，并通過離子束工藝來調控薄膜和異質結構。設備一經推出，便受到廣大科學家的關注，截止目前全球已有20多家科研和工業(yè)用戶以及合作伙伴使用該技術，國內也在北航和復旦等高校安裝該系統(tǒng)，其獨有的技術正受到來自相關科研圈和工業(yè)領域越來越多的認可。文章導讀近期，來自于法國格勒諾布爾-阿爾卑斯大學CNRS-Institut Néel實驗室的Stefania Pizzini團隊聯(lián)合法國Spin-Ion Technologies公司的兩名工程師利用離子輻照磁性精細調控系統(tǒng)Helium-S?對Pt/Co/AlOx磁性薄膜進行了磁性調控研究。文章以“Improving Néel Domain Walls Dynamics and Skyrmion Stability Using He Ion Irradiation”為題發(fā)表在Small上。氦離子輻照量對樣品的磁各向異性的影響文章討論了使用離子輻照磁性精細調控系統(tǒng)Helium-S?對Pt/Co/AlOx三層膜的磁性能產生的影響。研究人員發(fā)現，氦離子輻照可以改善Néel磁疇壁的動力學和斯格明子的穩(wěn)定性。輻照可以降低垂直磁各向異性（PMA），而不影響界面Dzyaloshinskii-Moriya相互作用（DMI）的強度。這使得磁疇壁可以在較低的磁場下達到更大的速度。該研究表明，將PMA與DMI分離對于基于磁疇壁動力學的低能耗設備的設計是有益的。同時，輻照還可以調節(jié)斯格明子的大小和穩(wěn)定性，使其更加穩(wěn)定并且可以在更高的磁場下存在。這些結果表明氦離子輻照可以對基于磁疇壁動力學和斯格明子的低能耗設備的設計產生積極影響。氦離子輻照量對樣品的磁疇壁和斯格明子的影響離子輻照磁性精細調控系統(tǒng)Helium-S?該項工作中使用的離子輻照磁性精細調控系統(tǒng)Helium-S?已經成為磁性薄膜研究與性能調控的重要手段。該系統(tǒng)可以對直徑1英寸的晶圓進行掃描輻照，具有精度高，可控性好等特點。應用領域：磁性隨機存儲器(MRAM)：自旋轉移矩磁性隨機存儲(STT-MRAM)，自旋軌道矩磁性隨機存儲(SOT-MRAM)，磁疇壁磁性隨機存儲(DW-MRAM)等；自旋電子學：斯格明子，磁性隧道結，磁傳感器等；磁學相關：磁性氧化物，多鐵性材料；其他方向：薄膜改性，芯片加工，仿神經器件，邏輯器件等。產品特點：可通過超緊湊和快速的氦離子束設備精確控制原子間的位移，通過氦離子輻照可精確調控磁性薄膜或晶圓的磁學性質?？商峁┠芰糠秶?-30 keV的He+離子束采用創(chuàng)新的電子回旋共振（ECR）離子源可對25 mm的試樣進行快速的均勻輻照（幾分鐘）超緊湊的設計，節(jié)省實驗空間可與現有的超高真空設備互聯(lián)離子輻照磁性精細調控系統(tǒng)Helium-S?若您對設備有任何問題，歡迎掃碼咨詢！測試數據調控界面各向異性性質和DMI低電流誘發(fā)的SOT轉換獲取控制斯格明子和磁疇壁的動態(tài)變化用戶單位已經購買該設備的國內外用戶單位Beihang University (China)Fudan University (China)University of California San Diego (USA)University of California Davis (USA)New York University (USA)Georgetown University (USA)Northwestern University (USA)University of Lorraine (France)SPINTEC Grenoble (France)University of Cambridge (UK)University of Manchester (UK)Nanyang Technological University (Singapore)A*STAR (Singapore)University of Gothenburg (Sweden)Western Digital (USA)IBM (USA)Singulus Technologies (Germany)文章列表[1]. Tailoring magnetism by light-ion irradiation, J Fassbender, D Ravelosona, Y Samson, Journal of Physics D: Applied Physics 37 (2004)[2]. Ordering intermetallic alloys by ion irradiation: A way to tailor magnetic media, H Bernas & D Ravelosona, Physical review letters 91, 077203 (2003)[3]. Influence of ion irradiation on switching field and switching field distribution in arrays of Co/Pd-based bit pattern media, T Hauet & D Ravelosona, Applied Physics Letters 98, 172506 (2011)[4]. Ferromagnetic resonance study of Co/Pd/Co/Ni multilayers with perpendicular anisotropy irradiated with helium ions, J-M.Beaujour & A.D. Kent & D.Ravelosona &E.Fullerton, Journal of Applied Physics 109, 033917 (2011)[5]. Irradiation-induced tailoring of the magnetism of CoFeB/MgO ultrathin films, T Devolder & D Ravelosona, Journal of Applied Physics 113, 203912 (2013)[6]. Controlling magnetic domain wall motion in the creep regime in He-irradiated CoFeB/MgO films with perpendicular anisotropy, L.Herrera Diez & D.Ravelosona, Applied Physics Letter 107, 032401 (2015)[7]. Measuring the Magnetic Moment Density in Patterned Ultrathin Ferromagnets with Submicrometer Resolution, T.Hingant & D.Ravelosona & V.Jacques, Physical Review Applied 4, 014003 (2015)[8]. Suppression of all-optical switching in He+ irradiated Co/Pt multilayers: influence of the domain-wall energy, M El Hadri & S Mangin & D Ravelosona, J. Phys. D: Appl. Phys. 51, 215004 (2018)[9]. Tuning the magnetodynamic properties of all-perpendicular spin valves using He+ irradiation, Sheng Jiang & D.Ravelosona & J.Akerman, AIP Advances 8, 065309 (2018)[10]. Enhancement of the Dzyaloshinskii-Moriya Interaction and domain wall velocity through interface intermixing in Ta/CoFeB/MgO, L Herrera Diez & D Ravelosona, Physical Review B 99, 054431 (2019)[11]. Enhancing domain wall velocity through interface intermixing in W-CoFeB-MgO films with perpendicular anisotropy, X Zhao & W.Zhao & D Ravelosona, Applied Physics Letter 115, 122404 (2019)[12]. Controlling magnetism by interface engineering, L Herrera Diez & D Ravelosona, Book Magnetic Nano- and Microwires 2nd Edition, Elsevier (2020)[13]. Reduced spin torque nano-oscillator linewidth using He+ irradiation, S Jiang & D Ravelosona & J Akerman, Appl. Phys. Lett. 116, 072403 (2020)[14]. Spin–orbit torque driven multi-level switching in He+ irradiated W–CoFeB–MgO Hall bars with perpendicular anisotropy, X.Zhao & M.Klaui & W.Zhao & D.Ravelosona, Appl. Phys. Lett 116, 242401 (2020)[15]. Magnetic field frustration of the metal-insulator transition in V2O3, J.Trastoy & D.Ravelosona & Y.Schuller, Physical Review B 101, 245109 (2020)[16]. Tailoring interfacial effect in multilayers with Dzyaloshinskii–Moriya interaction by helium ion irradiation, A.Sud & D.Ravelosona &M.Cubukcu, Scientific report 11, 23626 (2021)[17]. Ion irradiation and implantation modifications of magneto-ionically induced exchange bias in Gd/NiCoO, Christopher J. Jensen & Dafiné Ravelosona, Kai Liu, Journal of Magnetism and Magnetic Materials 540, 168479 (2021)[18]. Helium Ions Put Magnetic Skyrmions on the Track, R.Juge & D.Ravelosona & O.Boulle, Nano Lett. 2021 Apr 14;21(7):2989-2996參考文獻：[1]. Cristina Balan, Johannes W. van de Jagt, et al. Improving Néel Domain Walls Dynamics and Skyrmion Stability Using He Ion Irradiation. Small, 2023. https://doi.org/10.1002/smll.202302039若您對設備有任何問題，歡迎掃碼咨詢！