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2025-01-10 10:52:35輻照探測(cè)器: 輻照探測(cè)器是一種用于測(cè)量電離輻射強(qiáng)度和劑量的儀器。它能夠感知并響應(yīng)核輻射、X射線、γ射線等電離輻射，將輻射能量轉(zhuǎn)換成可測(cè)量的信號(hào)，如電流、電壓或計(jì)數(shù)率等。輻照探測(cè)器廣泛應(yīng)用于核能、核醫(yī)學(xué)、環(huán)境監(jiān)測(cè)、放射防護(hù)、食品安全等領(lǐng)域，是確保輻射安全、監(jiān)測(cè)輻射污染和進(jìn)行科學(xué)研究的重要工具。

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輻照探測(cè)器資訊

解鎖新技能！我國開啟高分辨耐輻照硅探測(cè)器研制模式

國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“重大科學(xué)儀器設(shè)備開發(fā)”重點(diǎn)專項(xiàng)目——《高分辨耐輻照硅探測(cè)器項(xiàng)目》2018年度正式通過了科技部的立項(xiàng)，中央財(cái)政撥發(fā)研究經(jīng)費(fèi)為428萬元，研發(fā)實(shí)施周期為3年。

11417
2017-04-07
高壓耐輻照硅探測(cè)器高分辨國防特殊輻射測(cè)量設(shè)備射線探測(cè)技術(shù)

輻照探測(cè)器文章

應(yīng)用分享 | Lexsyg釋光探測(cè)器：YO陶瓷對(duì)太陽光和X射線輻照的熱釋光響應(yīng)

隨著紫外線（UV）輻射對(duì)人體健康的影響日益受到關(guān)注，開發(fā)高靈敏度的紫外線劑量材料成為科研熱點(diǎn)。近期，拉脫維亞大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在《AlN+Y?O?陶瓷對(duì)太陽光與X射線輻照的熱釋光響應(yīng)》研究中取得重要進(jìn)展，揭

 束蘊(yùn)儀器（上海）有限公司 188
2025-06-18
光釋光 X射線輻照儀釋光探測(cè)器

輻照探測(cè)器產(chǎn)品

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輻照探測(cè)器問答

2024-10-18 21:46:35平板探測(cè)器分辨率: 平板探測(cè)器分辨率，現(xiàn)有平板探測(cè)器分辨率：49um/66um/90um/100um/125um/139um/150um/根據(jù)不同需求選擇！安竹光電！

2024-01-03 11:29:37cmos探測(cè)器: cmos探測(cè)器規(guī)格：50x73mm分辨率：18um

2022-07-13 10:35:20OHSP-350UVS紫外輻照計(jì)定制波長180-450nm: OHSP-350UVS紫外輻照計(jì)可測(cè)量參數(shù)： 1. 紫外危害輻照度(mW/m2); 2. UVA輻照度(mW/m2); 3. UVB輻照度(mW/m2); 4. UVC輻照度(mW/m2); 5. Euv輻照度(mW/m2); 6. Eb藍(lán)光輻照度(mW/m2); 7. Eg綠光輻照度(mW/m2); 8. Ec自定義輻照度(mW/m2); 9. 輻射照度 Ee（W/m2）; 10. 主波長; 11. 峰值波長; 12. 中心波長; 13. 質(zhì)心波長; 14. 半寬度; 15. 更多功能參數(shù)可定制OHSP-350UVS紫外輻照計(jì)技術(shù)參數(shù)：OHSP-350UVS紫外輻照計(jì)優(yōu)點(diǎn)： ◆體積小，重量輕，便于攜帶； ◆長焦交叉非對(duì)稱 CT 分光系統(tǒng)具有良好的測(cè)量線性和測(cè)量準(zhǔn)確度； ◆集光譜、照度/亮度、色度等測(cè)量功能于一體； ◆自主研發(fā)操作系統(tǒng)，界面友好，操作簡單順暢； ◆自動(dòng)溫漂校零技術(shù)，無需在使用前進(jìn)行校正零位，無需擔(dān)心使用中溫度漂移導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果失準(zhǔn)；

2023-06-21 13:55:48《Small》：精確調(diào)控樣品磁性！氦離子輻照改善磁疇壁動(dòng)力學(xué): 近年來，人們?cè)诓粩嗵剿餍滦偷湍芎?，高存?chǔ)密度的新型磁存儲(chǔ)材料。特別是對(duì)于磁疇壁動(dòng)力學(xué)、斯格明子等方面的研究吸引了大批科研人員的目光。隨著研究的深入，制備出具有特定磁各項(xiàng)異性的材料并且進(jìn)行精細(xì)的調(diào)控變的尤為重要。在對(duì)樣品特性精細(xì)調(diào)控的技術(shù)中，利用氦離子輻照是對(duì)樣品無損壞的一種高精度手段。氦離子輻照具有精度高、均勻性好、條件更加靈活、易于控制等優(yōu)勢(shì)，與其它改性方法相比，有利于器件或集成電路的大規(guī)模生產(chǎn)?；诖?，法國Spin-Ion 公司經(jīng)多年研發(fā)推出離子輻照磁性精細(xì)調(diào)控系統(tǒng)Helium-S?。該系統(tǒng)采用創(chuàng)新的離子束技術(shù)，可以通過超緊湊和快速的氦離子束設(shè)備精確控制原子間的位移，使其能夠在原子尺度上加工材料，并通過離子束工藝來調(diào)控薄膜和異質(zhì)結(jié)構(gòu)。設(shè)備一經(jīng)推出，便受到廣大科學(xué)家的關(guān)注，截止目前已有20多家科研和工業(yè)用戶以及合作伙伴使用該技術(shù)，國內(nèi)也在北航和復(fù)旦等高校安裝該系統(tǒng)，其獨(dú)有的技術(shù)正受到來自相關(guān)科研圈和工業(yè)領(lǐng)域越來越多的認(rèn)可。近期，來自于法國格勒諾布爾-阿爾卑斯大學(xué)CNRS-Institut Néel實(shí)驗(yàn)室的Stefania Pizzini團(tuán)隊(duì)聯(lián)合法國Spin-Ion Technologies公司的兩名工程師利用離子輻照磁性精細(xì)調(diào)控系統(tǒng)Helium-S?對(duì)Pt/Co/AlOx磁性薄膜進(jìn)行了磁性調(diào)控研究。文章以“Improving Néel Domain Walls Dynamics and Skyrmion Stability Using He Ion Irradiation”為題發(fā)表在Small上。氦離子輻照量對(duì)樣品的磁各向異性的影響文章討論了使用離子輻照磁性精細(xì)調(diào)控系統(tǒng)Helium-S?對(duì)Pt/Co/AlOx三層膜的磁性能產(chǎn)生的影響。研究人員發(fā)現(xiàn)，氦離子輻照可以改善Néel磁疇壁的動(dòng)力學(xué)和斯格明子的穩(wěn)定性。輻照可以降低垂直磁各向異性（PMA），而不影響界面Dzyaloshinskii-Moriya相互作用（DMI）的強(qiáng)度。這使得磁疇壁可以在較低的磁場(chǎng)下達(dá)到更大的速度。該研究表明，將PMA與DMI分離對(duì)于基于磁疇壁動(dòng)力學(xué)的低能耗設(shè)備的設(shè)計(jì)是有益的。同時(shí)，輻照還可以調(diào)節(jié)斯格明子的大小和穩(wěn)定性，使其更加穩(wěn)定并且可以在更高的磁場(chǎng)下存在。這些結(jié)果表明氦離子輻照可以對(duì)基于磁疇壁動(dòng)力學(xué)和斯格明子的低能耗設(shè)備的設(shè)計(jì)產(chǎn)生積極影響。氦離子輻照量對(duì)樣品的磁疇壁和斯格明子的影響該項(xiàng)工作中使用的離子輻照磁性精細(xì)調(diào)控系統(tǒng)Helium-S?已經(jīng)成為磁性薄膜研究與性能調(diào)控的重要手段。該系統(tǒng)可以對(duì)直徑1英寸的晶圓進(jìn)行掃描輻照，具有精度高，可控性好等特點(diǎn)。應(yīng)用領(lǐng)域：? 磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)：自旋轉(zhuǎn)移矩磁性隨機(jī)存儲(chǔ)(STT-MRAM)，自旋軌道矩磁性隨機(jī)存儲(chǔ)(SOT-MRAM)，磁疇壁磁性隨機(jī)存儲(chǔ)(DW-MRAM)等；? 自旋電子學(xué)：斯格明子，磁性隧道結(jié)，磁傳感器等；? 磁學(xué)相關(guān)：磁性氧化物，多鐵性材料；? 其他方向：薄膜改性，芯片加工，仿神經(jīng)器件，邏輯器件等。產(chǎn)品特點(diǎn)：? 可通過超緊湊和快速的氦離子束設(shè)備精確控制原子間的位移，通過氦離子輻照可精確調(diào)控磁性薄膜或晶圓的磁學(xué)性質(zhì)。? 可提供能量范圍：1-30 keV的He+離子束? 采用創(chuàng)新的電子回旋共振（ECR）離子源? 可對(duì)25 mm的試樣進(jìn)行快速的均勻輻照（幾分鐘）? 超緊湊的設(shè)計(jì)，節(jié)省實(shí)驗(yàn)空間? 可與現(xiàn)有的超高真空設(shè)備互聯(lián)離子輻照磁性精細(xì)調(diào)控系統(tǒng)Helium-S? 測(cè)試數(shù)據(jù)：調(diào)控界面各向異性性質(zhì)和DMI 低電流誘發(fā)的SOT轉(zhuǎn)換獲取控制斯格明子和磁疇壁的動(dòng)態(tài)變化用戶單位已經(jīng)購買該設(shè)備的國內(nèi)外用戶單位：Beihang University (China)Fudan University (China)University of California San Diego (USA)University of California Davis (USA)New York University (USA)Georgetown University (USA)Northwestern University (USA)University of Lorraine (France)SPINTEC Grenoble (France)University of Cambridge (UK)University of Manchester (UK)Nanyang Technological University (Singapore)A*STAR (Singapore)University of Gothenburg (Sweden)Western Digital (USA)IBM (USA)Singulus Technologies (Germany) 文章列表：[1]. Tailoring magnetism by light-ion irradiation, J Fassbender, D Ravelosona, Y Samson, Journal of Physics D: Applied Physics 37 (2004)[2]. Ordering intermetallic alloys by ion irradiation: A way to tailor magnetic media, H Bernas & D Ravelosona, Physical review letters 91, 077203 (2003)[3]. Influence of ion irradiation on switching field and switching field distribution in arrays of Co/Pd-based bit pattern media, T Hauet & D Ravelosona, Applied Physics Letters 98, 172506 (2011)[4]. Ferromagnetic resonance study of Co/Pd/Co/Ni multilayers with perpendicular anisotropy irradiated with helium ions, J-M.Beaujour & A.D. Kent & D.Ravelosona &E.Fullerton, Journal of Applied Physics 109, 033917 (2011)[5]. Irradiation-induced tailoring of the magnetism of CoFeB/MgO ultrathin films, T Devolder & D Ravelosona, Journal of Applied Physics 113, 203912 (2013)[6]. Controlling magnetic domain wall motion in the creep regime in He-irradiated CoFeB/MgO films with perpendicular anisotropy, L.Herrera Diez & D.Ravelosona, Applied Physics Letter 107, 032401 (2015)[7]. Measuring the Magnetic Moment Density in Patterned Ultrathin Ferromagnets with Submicrometer Resolution, T.Hingant & D.Ravelosona & V.Jacques, Physical Review Applied 4, 014003 (2015)[8]. Suppression of all-optical switching in He+ irradiated Co/Pt multilayers: influence of the domain-wall energy, M El Hadri & S Mangin & D Ravelosona, J. Phys. D: Appl. Phys. 51, 215004 (2018)[9]. Tuning the magnetodynamic properties of all-perpendicular spin valves using He+ irradiation, Sheng Jiang & D.Ravelosona & J.Akerman, AIP Advances 8, 065309 (2018)[10]. Enhancement of the Dzyaloshinskii-Moriya Interaction and domain wall velocity through interface intermixing in Ta/CoFeB/MgO, L Herrera Diez & D Ravelosona, Physical Review B 99, 054431 (2019)[11]. Enhancing domain wall velocity through interface intermixing in W-CoFeB-MgO films with perpendicular anisotropy, X Zhao & W.Zhao & D Ravelosona, Applied Physics Letter 115, 122404 (2019)[12]. Controlling magnetism by interface engineering, L Herrera Diez & D Ravelosona, Book Magnetic Nano- and Microwires 2nd Edition, Elsevier (2020)[13]. Reduced spin torque nano-oscillator linewidth using He+ irradiation, S Jiang & D Ravelosona & J Akerman, Appl. Phys. Lett. 116, 072403 (2020)[14]. Spin–orbit torque driven multi-level switching in He+ irradiated W–CoFeB–MgO Hall bars with perpendicular anisotropy, X.Zhao & M.Klaui & W.Zhao & D.Ravelosona, Appl. Phys. Lett 116, 242401 (2020)[15]. Magnetic field frustration of the metal-insulator transition in V2O3, J.Trastoy & D.Ravelosona & Y.Schuller, Physical Review B 101, 245109 (2020)[16]. Tailoring interfacial effect in multilayers with Dzyaloshinskii–Moriya interaction by helium ion irradiation, A.Sud & D.Ravelosona &M.Cubukcu, Scientific report 11, 23626 (2021)[17]. Ion irradiation and implantation modifications of magneto-ionically induced exchange bias in Gd/NiCoO, Christopher J. Jensen & Dafiné Ravelosona, Kai Liu, Journal of Magnetism and Magnetic Materials 540, 168479 (2021)[18]. Helium Ions Put Magnetic Skyrmions on the Track, R.Juge & D.Ravelosona & O.Boulle, Nano Lett. 2021 Apr 14;21(7):2989-2996參考文獻(xiàn)：[1]. Cristina Balan, Johannes W. van de Jagt, et al. Improving Néel Domain Walls Dynamics and Skyrmion Stability Using He Ion Irradiation. Small, 2023. https://doi.org/10.1002/smll.202302039

2022-06-24 13:57:31低場(chǎng)核磁法研究輻照交聯(lián)度: 低場(chǎng)核磁法研究輻照交聯(lián)度交聯(lián)，是指利用特定的技術(shù)手段，在聚合物高分子長鏈之間形成化學(xué)鍵或者圍觀鏹力物理結(jié)合點(diǎn)，從而使聚合物的物理性能、化學(xué)性能獲得改善并有可能引入新的性能。這里的“輻照交聯(lián)度”專指各種核輻射如電子束、γ射線、中子束、粒子束等等，光輻射如紫外光等的應(yīng)用則屬于光化學(xué)領(lǐng)域，也可利用紫外光引發(fā)交聯(lián)反應(yīng)，稱為光交聯(lián)。聚合物的分子鏈與鏈之間缺乏緊密的結(jié)合力，使得整體材料在經(jīng)受外力及環(huán)境溫度影響時(shí)產(chǎn)生變形或發(fā)生破壞，限制了其應(yīng)用。根據(jù)實(shí)際應(yīng)用范圍和目的，有必要對(duì)聚合物進(jìn)行改性,交聯(lián)被認(rèn)為是行之有效的方法。聚合物交聯(lián)度一直都是行業(yè)難題,傳統(tǒng)的溶脹法測(cè)試精度低、受人為主觀因素較大。在核磁法中,聚合物弛豫衰減曲線隨樣品內(nèi)部組分狀態(tài)的改變而改變,通過核磁弛豫技術(shù)可快速無損獲得交聯(lián)鏈與非交聯(lián)鏈信號(hào)以得到交聯(lián)度。高分子聚合物內(nèi)的溶劑部分流動(dòng)性蕞強(qiáng),衰減最慢;非交聯(lián)段具有一定的分子運(yùn)動(dòng)特性,衰減相對(duì)較慢;而交聯(lián)段所受束縛程度大,分子運(yùn)動(dòng)特性小,衰減較快。相比傳統(tǒng)的SE或CPMG序列采集的不同,采用MSE-CPMG新序列采集時(shí),通過施加組合脈沖使得核磁共振信號(hào)在死時(shí)間范圍內(nèi)來回反轉(zhuǎn)從而盡量維持原始的核磁共振信號(hào)強(qiáng)度,以此實(shí)現(xiàn)更加短的弛豫信息采集,交聯(lián)度的測(cè)試準(zhǔn)確性進(jìn)一步提高。低場(chǎng)核磁法研究輻照交聯(lián)度的原理:低場(chǎng)核磁共振分析技術(shù)是利用脈沖激發(fā)材料樣品中的氫質(zhì)子發(fā)生共振,停止脈沖后,氫質(zhì)子發(fā)生弛豫。樣品中處于不同狀態(tài)的氫質(zhì)子的弛豫時(shí)間是不同的。對(duì)其弛豫信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)分析研究可以直接或者間接檢測(cè)材料的某些特性。低場(chǎng)核磁法是利用低場(chǎng)核磁共振分析技術(shù),通過對(duì)烴鏈上的H分子運(yùn)動(dòng)進(jìn)行評(píng)價(jià),根據(jù)弛豫分析模型解析出樣品的交聯(lián)度。測(cè)試過程無需化學(xué)品、對(duì)樣品無損,測(cè)試速度快,一般3分鐘以內(nèi)即可完成測(cè)試。低場(chǎng)核磁共振分析儀的組成核磁交聯(lián)密度儀通常由以下幾部分組成：1)控制單元（控制核心，人機(jī)交互的界面）；2)磁體單元（產(chǎn)生射頻激勵(lì)并收集信號(hào)的部分）；3)樣品腔（測(cè)樣部分）。除以上部分，還有溫度控制、電源模塊等；