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2025-01-10 17:03:33科學(xué)技術(shù)研究: 關(guān)于“科學(xué)技術(shù)研究”，這是一項系統(tǒng)性的探索活動，旨在通過科學(xué)實驗、理論分析和技術(shù)創(chuàng)新，深入探究自然規(guī)律、解決科學(xué)難題、推動技術(shù)進(jìn)步。它涵蓋了基礎(chǔ)科學(xué)研究、應(yīng)用技術(shù)研究及開發(fā)研究等多個層面，是科技創(chuàng)新和社會發(fā)展的核心驅(qū)動力。科學(xué)技術(shù)研究不僅增進(jìn)人類對自然界的認(rèn)識，還促進(jìn)新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生，對社會經(jīng)濟(jì)、文化教育等領(lǐng)域產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。在儀器領(lǐng)域，先進(jìn)的研究工具和方法不斷推動科學(xué)技術(shù)研究向更深層次邁進(jìn)。

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科學(xué)技術(shù)研究資訊

2022年基金委與土耳其科學(xué)技術(shù)研究理事會合作研究項目指南

根據(jù)國家自然科學(xué)基金委員會(NSFC)與土耳其科學(xué)技術(shù)研究理事會(TüB?TAK)簽署的合作協(xié)議及后續(xù)達(dá)成的共識，2022年雙方將繼續(xù)共同資助合作研究項目，以促進(jìn)兩國科學(xué)家之間的合作與交流。

1553
2022-03-08
土耳其科學(xué)技術(shù)研究理事會合作研究項目
2021年國家基金委員會與土耳其科學(xué)技術(shù)研究理事會合作研究項目指南

2021年雙方將共同資助跨學(xué)科合作研究項目，以促進(jìn)兩國科學(xué)家之間的合作與交流。

836
2021-06-07
土耳其科學(xué)技術(shù)研究理事會
上海支持開展關(guān)鍵核心設(shè)備研究儀器行業(yè)有望得到大力扶持

上海印發(fā)《支持國家重大科技基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)發(fā)展的若干政策措施（試行）》，包括六部分共14條措施。推動設(shè)施多元化投資和高效建設(shè)，鼓勵設(shè)施建設(shè)資金多元化融資。

2215
2023-12-25
核心儀器設(shè)備儀器行業(yè)發(fā)展科學(xué)技術(shù)研究
安捷倫與ZG海關(guān)科學(xué)技術(shù)研究ZX簽署合作協(xié)議

 安捷倫科技（中國）有限公司 613
2021-07-05
島津集團(tuán)又一實驗室科學(xué)儀器設(shè)備專業(yè)“認(rèn)證認(rèn)可關(guān)鍵技術(shù)研究與示范”項目完成初步驗收

 島津集團(tuán)（香港）有限公司 2719
2018-05-07

科學(xué)技術(shù)研究產(chǎn)品

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: WIC紅外熱成像儀（動物科學(xué)）; 國外歐洲; 面議; 北京易科泰生態(tài)技術(shù)有限公司
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科學(xué)技術(shù)研究問答

2022-11-25 16:10:30離子束刻蝕（IBE）技術(shù)研究: 離子束刻蝕（IBE）技術(shù)研究 1.離子束刻蝕（IBE）技術(shù)的原理？離子束刻蝕（IBE，Ion Beam Etching）也稱為離子銑（IBM，Ion Beam Milling），也有人稱之為離子濺射刻蝕，是利用輝光放電原理將氬氣分解為氬離子，氬離子經(jīng)過陽極電場的加速對樣品表面進(jìn)行物理轟擊，以達(dá)到刻蝕的作用?？涛g過程即把Ar氣充入離子源放電室并使其電離形成等離子體，然后由柵極將離子呈束狀引出并加速，具有一定能量的離子束進(jìn)入工作室，射向固體表面轟擊固體表面原子，使材料原子發(fā)生濺射，達(dá)到刻蝕目的，屬純物理刻蝕。工件表面有制備溝槽的掩膜，最后裸露的部分就會被刻蝕掉，而掩膜部分則被保留，形成所需要的溝槽圖形。離子束刻蝕使高方向性的中性離子束能夠控制側(cè)壁輪廓，優(yōu)化納米圖案化過程中的徑向均勻性和結(jié)構(gòu)形貌。另外傾斜結(jié)構(gòu)可以通過傾斜樣品以改變離子束的撞擊方向這一獨特能力來實現(xiàn)。在離子束刻蝕過程中，通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。為了便于后面光刻膠的剝離清洗，一般需要對樣品臺進(jìn)行冷卻處理，使整個刻蝕過程中溫度控制在一個比較好的范圍。圖1 離子束刻蝕設(shè)備結(jié)構(gòu)圖圖2 離子束刻蝕工藝原理圖 2.離子束刻蝕（IBE）適合的材料體系？可用于刻蝕加工各種金屬（Ni、Cu、Au、Al、Pb、Pt、Ti等）及其合金，以及非金屬、氧化物、氮化物、碳化物、半導(dǎo)體、聚合物、陶瓷、紅外和超導(dǎo)等材料。目前離子束刻蝕在非硅材料方面優(yōu)勢明顯，在聲表面波、薄膜壓力傳感器、紅外傳感器等方面具有廣泛的用途。 3. 離子束刻蝕（IBE）技術(shù)的優(yōu)點和缺點？a 優(yōu)點：（1）方向性好、無鉆蝕、陡直度高；（2）刻蝕速率可控性好，圖形分辨率高，可達(dá)0.01um；（3）屬于物理刻蝕，可以刻蝕各種材料（Si、SiO2、GaAs、Ag、Au、光刻膠等）；（4）刻蝕過程中可改變離子束入射角來控制圖形輪廓，加工特殊的結(jié)構(gòu)；b 缺點：（1）刻蝕速率慢、效率比ICP更低；（2）難以完成晶片的深刻蝕；（3）屬于物理刻蝕，常常會有過刻的現(xiàn)象。 4.反應(yīng)離子束刻蝕（RIBE）技術(shù)簡介及優(yōu)點？反應(yīng)離子束刻蝕（RIBE）是在離子束刻蝕的基礎(chǔ)上，增加了腐蝕性氣體，因此它不但保留了離子束物理刻蝕能力，還增加了腐蝕性氣體（氟基氣體、O2）離化后對樣品的化學(xué)反應(yīng)能力（反應(yīng)離子束刻蝕：RIBE），也支持腐蝕性氣體非離化態(tài)的化學(xué)輔助刻蝕能力（化學(xué)輔助離子束刻蝕：CAIBE），對適用于化學(xué)輔助的材料可以大幅度提升刻蝕速率，提高刻蝕質(zhì)量。 5. 離子束刻蝕（IBE）的案例展示典型應(yīng)用：1、三族和四族光學(xué)零件2、激光光柵3、高深寬比的光子晶體刻蝕4、在二氧化硅、硅和金屬上深溝刻蝕5、微流體傳感器電極6、測熱式微流體傳感器

2023-10-18 10:54:18試驗儀器，讓科學(xué)觸手可及

2022-10-15 17:15:47低場核磁技術(shù)研究硅膠老化: 低場核磁技術(shù)研究硅膠老化由于硅膠制品的使用越來越頻繁，硅膠產(chǎn)品在多數(shù)人的印象中是性能優(yōu)異且各方面使用體驗都很好，許多老客戶也慢慢感覺到硅膠制品老化的現(xiàn)象，硅膠制品為什么會出現(xiàn)老化現(xiàn)象。硅膠產(chǎn)品為什么會出現(xiàn)老化？硅橡膠樹脂的粘合性比許多橡膠都要高，但硅膠同其它橡膠一樣，也會發(fā)生老化現(xiàn)象，由于內(nèi)部分子鏈斷裂，使硅膠的性能發(fā)生了很大的變化。對于橡塑制品來說，硅膠產(chǎn)品危害蕞大的就是紫外線，紫外線會直接導(dǎo)致橡膠分子鏈的斷裂，這是因為硅膠制品可吸收光能使橡膠內(nèi)產(chǎn)生自由分子。硅膠產(chǎn)品老化的原因主要有以下三點：1. 經(jīng)常有高溫或高溫環(huán)境。高溫度會加速硅膠材料的氧化環(huán)境，從而導(dǎo)致老化。2. 化學(xué)因素。歸根結(jié)底，硅膠材料是一種化學(xué)物質(zhì)，有些化學(xué)因素會加速其老化。3. 臭氧。硅材料很怕臭氧，會使硅膠制品的性能迅速下降，老化得很快。硅膠老化的試驗方法：硅膠老化是硅膠性能受損的主要原因之一。由于產(chǎn)品的配方和使用條件各異，老化歷程快慢不一，所以，需要通過檢測技術(shù)對硅膠樣品進(jìn)行測試，以評定硅膠老化的程度及其對性能的影響。低場核磁技術(shù)可用于硅膠老化檢測。低場核磁技術(shù)研究硅膠老化基本原理：低場核磁共振技術(shù)是通過測定恒定磁場強度下樣品中1H的弛豫時間,從而獲得分子結(jié)構(gòu)動態(tài)信息的方法。其基本原理是通過施加射頻脈沖給予處于恒定磁場中的樣品,使氫質(zhì)子發(fā)生共振,質(zhì)子所吸收的射頻波能量以非輻射的方式釋放后返回到基態(tài),此過程被稱為弛豫過程。弛豫又可分為橫向弛豫和縱向弛豫,樣品內(nèi)部氫質(zhì)子所處物理化學(xué)環(huán)境及存在狀態(tài)決定了弛豫時間的長短。從物理機制上,核磁弛豫過程是自旋氫原子核與環(huán)境之間通過相互作用進(jìn)行能量交換的過程。核磁共振是自旋不為零的原子在靜磁場中被磁化后,與特定射頻場產(chǎn)生共振吸收現(xiàn)象,吸收射頻脈沖能量后自旋核與周圍物質(zhì)相互作用,釋放能量,并恢復(fù)初始狀態(tài)過程。硅膠老化是交聯(lián)體系發(fā)生變化的綜合過程,核磁共振的弛豫機制對這種變化具有高敏感性,其主要表現(xiàn)為橫向弛豫時間T2隨反應(yīng)時間延長的規(guī)律性變化。因此通過研究老化過程中硅膠樣品的弛豫時間變化規(guī)律及其與老化性能的關(guān)系,就可以間接評估硅膠老化的特性。f

2022-12-21 15:24:34低場核磁共振技術(shù)研究國產(chǎn)cmp研磨液: 低場核磁共振技術(shù)研究國產(chǎn)cmp研磨液什么是cmp研磨液？CMP 全稱為 Chemical Mechanical Polishing，即化學(xué)機械拋光。該技術(shù)是半導(dǎo)體晶圓制造的比備流程之一，對高精度、高性能晶圓制造至關(guān)重要。拋光液的主要成分包括研磨顆粒、PH值調(diào)節(jié)劑、氧化劑、分散劑等。從成分中我們就大概知道了拋光液是一種對分散要求很高的納米材料懸浮液，所以研磨過程中對顆粒的尺寸變化以及顆粒在懸浮液中的分散性都有著極其嚴(yán)苛的要求。低場核磁共振技術(shù)研究國產(chǎn)cmp研磨液低場核磁弛豫技術(shù)以水分子（溶劑）為探針，可以實時檢測懸浮液體系中水分子的狀態(tài)變化。低場核磁弛豫技術(shù)可以區(qū)分出納米顆粒與溶劑的固液界面間那一層薄薄的表面溶劑分子，當(dāng)顆粒尺寸或顆粒分散性發(fā)生變化時，顆粒表面的溶劑分子也會發(fā)生相應(yīng)的變化。低場核磁弛豫技術(shù)可以靈敏的檢測到這這種變化狀態(tài)和變化過程，從而可以快速地評價例如拋光液以及相關(guān)懸浮液樣品的分散性和懸浮液中顆粒尺寸的變化過程。低場核磁弛豫技術(shù)與傳統(tǒng)氮氣吸附法有哪些差異？在低場核磁弛豫技術(shù)還未應(yīng)用于拋光液領(lǐng)域之前，蕞常用的方法是用氮氣吸附法來表征顆粒的比表面積。但是在實際的研發(fā)與生產(chǎn)過程中，研究人員發(fā)現(xiàn)就算氮氣吸附法表征的研磨顆粒的比表面積非常穩(wěn)定，拋光過程中還是會發(fā)生拋光液性能不穩(wěn)定的情況。而這種情況很可能是研磨顆粒在溶劑體系中發(fā)生了團(tuán)聚，進(jìn)而發(fā)生了尺寸上的變化而導(dǎo)致蕞終研磨性能的問題。低場核磁弛豫技術(shù)可直接用于研磨液原液的分散性檢測，可以快速評價懸浮液體系的分散性而被廣泛應(yīng)用于CMP拋光液的研發(fā)與生產(chǎn)控制中。低場核磁弛豫技術(shù)還能用于哪些領(lǐng)域？低場核磁弛豫技術(shù)除了用于半導(dǎo)體CMP拋光液，還可以用于國家正大力扶持的新能源電池漿料，光伏產(chǎn)業(yè)的導(dǎo)電銀漿，石墨烯漿料，電子漿料等新材料領(lǐng)域。這些方向都非常適合采用低場核磁弛豫技術(shù)來研究其原液的分散性、穩(wěn)定性。

2022-09-04 20:25:27低場核磁技術(shù)研究濕顆粒團(tuán)聚: 低場核磁技術(shù)研究濕顆粒團(tuán)聚顆粒的團(tuán)聚根據(jù)其作用機理可分為三種狀態(tài)：凝聚體：指以面相接的原級粒子，其表面積比其單個粒子組成之和小得多，這種狀態(tài)再分散十分困難。附聚體：指以點、角相接的原級粒子團(tuán)族或小顆粒在大顆粒上的附著，其總表面積比凝聚體大，但小于單個粒子組成之和，再分散比較容易。凝聚體和附聚體也稱二次粒子。絮凝：指由于體系表面積的增加、表面能增大，為了降低表面能而生成的更加松散的結(jié)構(gòu)。一般是由于大分子表面活性劑或水溶性高分子的架橋作用，把顆粒串聯(lián)成結(jié)構(gòu)松散似棉絮的團(tuán)狀物。在這種結(jié)構(gòu)中，離子間的距離比凝聚體或附聚體大得多。顆粒在液體中的團(tuán)聚與分散顆粒表面濕潤性對粉體的分散具有重要意義，是粉體分散、固液分離、表面改性和造粒等工藝的理論基礎(chǔ)。固體顆粒被液體潤濕的過程主要基于顆粒表面的潤濕性。固體表面的濕潤性由其化學(xué)組成和微觀結(jié)構(gòu)決定。固體表面自由能越大，越容易被液體濕潤；反之亦然。因而，尋求和制備高表面自由能的固體表面成為制備超親水表面和超疏水表面的前提條件。低場核磁技術(shù)研究濕顆粒團(tuán)聚的基本原理：對于潤濕的顆粒體系，顆粒表面會附著一層液相分子，這些液相分子因無機相表面的吸附作用而運動受限。但未與顆粒相接觸的液相分子運動是自由的，液相分子的馳豫時間（relaxation time）與它所處的運動狀態(tài)密切相關(guān)，自由狀態(tài)的液相分子的核磁馳豫時間要比束縛狀態(tài)的液相分子的馳豫時間長得多，顆粒分散性更好的體系吸附溶劑量相對更多，弛豫時間也就更短。因此，可以利用低場核磁共振技術(shù)來測量懸浮液體系的馳豫時間，并計算顆粒的濕潤比表面積（可利用的吸附表面積），進(jìn)而用來研究顆粒的團(tuán)聚狀態(tài)、分散性穩(wěn)定性、親和性以及潤濕性等問題。