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2025-01-10 10:53:44無損干燥箱: 無損干燥箱是一種專門設計用于在不損害樣品質量的前提下進行干燥處理的設備。它采用溫和的加熱和氣流控制技術，確保樣品在干燥過程中不受熱損傷或變形。無損干燥箱廣泛應用于電子元件、生物樣品、食品藥品等領域，能夠精確控制溫度、濕度和時間，實現(xiàn)高效、均勻的干燥效果。其密封性能和溫度均勻性優(yōu)異，為科研、生產(chǎn)和質量控制提供了可靠的工具。

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無損干燥箱問答

2021-07-20 17:14:48EDX9000A 無損測定無損測定 Ni-Mn-Co 催化: EDXRF 能量色散熒光光譜儀 EDX9000A 無損測定 Ni-Mn-Co 催化劑合金成分使用一系列已知Ni、Mn、Co含量的催化劑合金片標準樣品，在能量色散X射線熒光光譜儀EDX9000A上直接測量Ni-Mn-Co的特征X射線強度，并比較含量Ni、Mn 和 Co 及其特征 X 射線強度擬合并建立工作曲線。測量未知樣品時，利用測得的 Ni、Mn 和 Co 的特征 X 射線強度，通過工作曲線獲得 Ni、Mn 和 Co 的含量。采用EDXRF法測定Ni-Mn-Co催化劑合金中Ni、Mn、Co的含量范圍分別為65%~88%、10%~35%、1%~10%，測定Ni、Mn、Co（n=6）精度分別為0.3%、1%、4%

2023-06-26 14:52:50無損無接觸定量評價！GaN晶體質量評估新思路——ODPL法！: 隨著疫情三年的結束，大家又開始馬不停蹄出差、旅游、返鄉(xiāng)，生活的壓力讓人喘不過氣。更別提出行的時候，還需要背一個很沉的電腦，以及與它適配的、同樣很沉的、形狀不規(guī)律的、看著就很糟心的電源適配器！有沒有一種東西，能夠讓大家的出行變得更加輕松（物理上）？那必須是現(xiàn)在越來越流行的氮化鎵（GaN）充電器了！一個氮化鎵充電器幾乎可以滿足所有出行充電的需求，并且占地空間小，簡直是出行神器！圖1 氮化鎵（GaN）充電器氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，一種直接能隙（direct bandgap）的半導體材料。GaN材料具有寬禁帶、高臨界電場強度和高電子飽和速度等特點，其器件耐高溫、耐高壓、高頻和低損耗，大大提升電力器件集成度，簡化了電路設計和散熱支持，具有重要的價值和廣泛的應用，是現(xiàn)在最火熱的第三代半導體材料，沒有之一。GaN的應用不止在流行的充電器上，早在2014年日本科學家天野浩就憑借基于GaN材料的藍光LED獲得了諾貝爾獎。不過GaN就沒有缺點了嗎？或者說GaN沒有改善的地方了嗎？并不是， GaN技術的難點在于晶圓制備工藝。由于制備GaN的單晶材料無法從自然界中直接獲取，所以GaN的主要制備方法是在藍寶石、碳化硅、硅等異質襯底上進行外延。而現(xiàn)在由異質外延生長的GaN普遍存在大量缺陷的問題。缺陷的存在勢必會影響到晶體的質量，從而影響到材料和器件的電學性能，最終影響到未來半導體科技的快速發(fā)展。因此，降低GaN晶體里面的缺陷量，提高晶體質量，是當前第三代半導體領域研究很重要的一個課題。GaN晶體質量/缺陷評估的方法GaN晶體里面的雜質、缺陷是非常錯綜復雜的，無法單純通過某一項缺陷濃度或者雜質含量來定量描述GaN晶體是否是高質量，因此現(xiàn)在評價GaN晶體質量的手段比較有限。根據(jù)現(xiàn)有的報道，大致有以下幾種：多光子激發(fā)光致發(fā)光法（Multiphoton-excitation photoluminescence method，簡稱MPPL）、蝕坑觀察法（Etch pit method）以及二次離子質譜（Secondary-ion mass spectrometry，簡稱SIMS)。MPPL法多光子激發(fā)光致發(fā)光法采用長波長激發(fā)，遠大于帶邊熒光波長。激發(fā)過程需要同時吸收二個或者多個光子。通過吸收多個脈沖光子，在導帶和價帶形成電子空穴對，隨后非輻射馳豫到導帶底和價帶頂,最后產(chǎn)生帶邊發(fā)光和缺陷發(fā)光。通過濾波片獲得帶邊和缺陷發(fā)光光譜和光強，改變入射光斑的位置，從而得到樣品的熒光信號三維分布，即三維成像。多光子熒光三維成像技術可以識別和區(qū)分不同類型的位錯，但是無法定量評估GaN的晶體質量，而且多光子激發(fā)的系統(tǒng)造價高。圖2 (a) Optical microscope image of etch pits. (b) 42 × 42 μm2 2D MPPL image taken at a depth of 22 μm. (c) 42 × 42 × 42 μm3 3D MPPL image, shown with contrast inverted參考文獻：Identification of Burgers vectors of threading dislocations in free-standing GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping' by Mayuko Tsukakoshi et al; Applied Physics Express, Volume 14, Number 5 (2021)蝕坑觀察法蝕坑觀察法通過適當?shù)那治g可以看到位錯的表面露頭，產(chǎn)生比較深的腐蝕坑，借助顯微鏡可以觀察晶體中的位錯多少及其分布。該方法只適合于位錯密度低的晶體，如果位錯密度高，蝕坑互相重疊，就很難將它們區(qū)分。并且該方法是對晶體有損傷的，做不到無損無接觸。圖3 蝕坑觀察法SIMS技術SIMS是利用質譜法分辨一次離子入射到測試樣品表面濺射生成的二次離子而得到材料表面元素含量及分布的一種方法。SIMS可以進行包括氫在內的全元素分析，并分辨出同位素、化合物組分和部分分子結構的信息。二次離子質譜儀具有ppm量級的靈敏度，最高甚至達到ppb的量級，還具有進行微區(qū)成分成像和深度剖析的功能。但是SIMS對晶體有損傷，無法做到無損。圖4 SIMS技術以上三種技術均是評估GaN晶體缺陷的方法，但是每一種都有其缺憾的地方，它們無法做到定量的去評價GaN晶體的質量，而且具有破壞性。為了更好地定量評估GaN晶體質量，濱松公司和日本Tohoku University的Kazunobu Kojima教授以及Shigefusa Chichibu教授從2016年開始合作研發(fā)了一套基于積分球的全向光致發(fā)光系統(tǒng)（Omnidirectional Photoluminescence，以下簡稱ODPL），該系統(tǒng)是第一個無損無接觸定量去評價GaN晶體質量的方法/系統(tǒng)。ODPL系統(tǒng)ODPL系統(tǒng)是首個無接觸無損評價半導體材料晶體質量的方法，通過積分球法測量半導體材料、鈣鈦礦材料的內量子效率。該產(chǎn)品可以直接測量材料 IQE，具有制冷型背照式 CCD 高靈敏度以及高信噪比。圖5 ODPL測量方法示意圖傳統(tǒng)光致發(fā)光的量子效率測量指的是晶體的PLQY，即光致發(fā)光量子效率，其定義為：PLQY = 樣品發(fā)射的光子數(shù)/樣品吸收的光子數(shù)圖6 GaN樣品在積分球下的發(fā)射光譜PLQY是表征晶體發(fā)光效率最常見的參數(shù)之一，對于絕大多數(shù)的發(fā)光材料，PLQY都是黃金標準。但是對于GaN晶體，PLQY的表征顯得不足。上圖可見，GaN的光致發(fā)射光譜呈雙峰形狀，這是由于GaN晶體中的缺陷等，會將GaN本身發(fā)射的PL再次吸收然后發(fā)射（光子回收Photon Recycling現(xiàn)象）。圖7 ( a ) PL and ODPL spectra of the HVPE / AT - GaN crystal and ( b ) detectable light - travelling passes considered in the simulation of light extraction :(1) direct escaping from the surface :( ii ) scattered at the bottom and escaping from the surface : and ( ii ) direct eseaping from the edge .( c ) Refractive index and absorption spectra of HVPE / AT - GaN .因為存在Photon Recycling的現(xiàn)象，GaN的PLQY不足以表征其發(fā)光轉化效率，而真正可以表征GaN晶體發(fā)光轉化效率的定義是其真正的內量子效率：IQE = 樣品產(chǎn)生的光子數(shù)/樣品吸收的光子數(shù)圖8 GaN樣品的標準發(fā)射光譜IQE是GaN晶體的PLQY考慮LEE和光子回收現(xiàn)象以后的參數(shù)，更能直觀、定量反映GaN晶體的質量。圖9 高IQE和低IQE晶體的對比高IQE的GaN晶體通常表現(xiàn)為：高載流子濃度、低穿透位錯密度、低雜質濃度、低點缺陷濃度、高激發(fā)功率密度。圖10 不同穿透位錯密度晶體的IQE結果對比免費樣機預約ODPL現(xiàn)在ODPL樣機開放免費預約試用活動，有意向的客戶請在評論區(qū)留言“樣機試用”小編看到之后會第一時間與您聯(lián)系，樣機數(shù)量有限，先到先得喲~圖11 ODPL樣機展示以上有關新品的信息已經(jīng)全部介紹完畢了，如有任何疑問，歡迎在評論區(qū)留言喲。

2024-08-02 09:58:27高溫烤箱干燥箱實際操作標準對產(chǎn)品質量的影響: 摘要：本文深入探討了高溫烤箱干燥箱實際操作標準在產(chǎn)品加工過程中的關鍵作用，詳細闡述了如何通過遵循嚴格的操作標準來確保產(chǎn)品質量的一致性和穩(wěn)定性，同時，分析了不規(guī)范操作可能導致的質量問題，強調了操作標準對于提高產(chǎn)品合格率、優(yōu)化性能以及保障生產(chǎn)安全的重要性。一、引言高溫烤箱干燥箱廣泛應用于眾多行業(yè)，如電子、化工、食品等，用于干燥、固化、烘焙等工藝，在這些應用中，實際操作標準的嚴格執(zhí)行對于產(chǎn)品的質量有著直接且顯著的影響。二、高溫烤箱干燥箱的工作原理高溫烤箱干燥箱通過加熱元件產(chǎn)生熱量，使箱內溫度升高，同時通過通風系統(tǒng)保持空氣流通，以達到去除水分或實現(xiàn)特定化學和物理變化的目的。三、實際操作標準的主要內容（一）溫度設置與控制根據(jù)產(chǎn)品的特性和工藝要求，精確設定加熱溫度，并確保溫度在整個處理過程中的穩(wěn)定性和均勻性。（二）時間管理嚴格控制產(chǎn)品在烤箱內的停留時間，過長或過短的處理時間都可能影響產(chǎn)品質量。（三）裝載方式合理安排產(chǎn)品在烤箱內的擺放位置和間距，以保證熱量均勻傳遞，避免局部過熱或欠熱。（四）預熱操作在放入產(chǎn)品前，對烤箱進行充分預熱，以確保產(chǎn)品進入時能立即處于適宜的環(huán)境。四、操作標準對產(chǎn)品質量的影響（一）溫度控制的影響溫度過高可能導致產(chǎn)品燒焦、變形、變色，破壞其物理結構和化學性質。溫度過低無法達到預期的干燥、固化效果，產(chǎn)品可能殘留水分或未完全反應，影響性能和保質期。（二）時間管理的影響時間過長增加能源消耗，可能導致產(chǎn)品過度干燥、脆化，降低其柔韌性和強度。時間過短產(chǎn)品內部水分未完全去除，固化不完全，影響產(chǎn)品的硬度、粘結力等性能指標。（三）裝載方式的影響不均勻裝載導致熱量分布不均，部分產(chǎn)品質量合格，而部分產(chǎn)品存在缺陷。間距過小阻礙空氣流通，影響干燥效果，增加產(chǎn)品之間的相互污染風險。（四）預熱操作的影響未充分預熱會使產(chǎn)品進入烤箱后經(jīng)歷溫度波動，影響產(chǎn)品質量的一致性和穩(wěn)定性。五、不規(guī)范操作導致的質量問題案例分析（一）電子元件生產(chǎn)在干燥過程中由于溫度控制不當，導致部分電子元件引腳氧化，影響焊接性能和產(chǎn)品可靠性。（二）食品加工烘焙食品時，時間過長使食品表面烤焦，內部水分過度流失，口感變差；時間過短則食品未熟透，存在食品安全隱患。六、結論高溫烤箱干燥箱的實際操作標準是保障產(chǎn)品質量的關鍵因素，嚴格遵循操作標準可以有效地提高產(chǎn)品合格率，優(yōu)化產(chǎn)品性能，減少次品和廢品的產(chǎn)生，從而降低生產(chǎn)成本，提高企業(yè)的市場競爭力，同時，正確的操作還能確保生產(chǎn)過程的安全可靠，為企業(yè)的可持續(xù)發(fā)展奠定堅實基礎。

2022-04-06 12:51:45真空干燥箱與普通干燥箱的區(qū)別: 真空干燥箱是一種真空狀態(tài)下改變水的沸點，加快干燥的一種烘箱，它與傳統(tǒng)的干燥箱有些區(qū)別，最主要的區(qū)別便在于真空這二字，在真空環(huán)境中，有許多普通環(huán)境無法達到的效果，這也是眾多選用真空干燥箱用戶的直接理由，那么有哪些條件下，在普通干燥箱中是無法達到效果，而在真空烘箱中可以達到效果呢？1、在食品烘干時，含有糖份較大的食品原料因在烘干過程中與空氣接觸而發(fā)生反應，變的粘稠，甚至焦黑即燒焦現(xiàn)象，而在真空干燥的技術條件下，這些變的很好控制。2、金屬粉或金屬制品需要高溫干燥，此時使用普通干燥技術雖然可以將其烘干，然而卻無法阻止因高溫而與空氣中的氧氣發(fā)生的氧化反應，真空烘箱南京華奧干燥因空氣被真空泵抽的緣故，因此不論在多高的溫度下都不會被氧化，普通烘箱無法做到。3、具有需回收特性的原料烘干，如含有酒精，乙醇之類的物料，干燥時使用普通干燥箱，極具危險性，因酒精、已醇為可燃性氣體，與南京華奧干燥空氣接觸在高溫的狀態(tài)下容易產(chǎn)生爆炸的危險，且也不易回收，而處于真空狀態(tài)下，不易與空氣接觸的乙醇，降低了爆炸產(chǎn)生的風險，同時真空設備是密封性非常好的設備，可利用其特性進行回收。我們可以觀察上述一些特殊情況下使用真空干燥設備大多是在與空氣接觸的原因下產(chǎn)生不利因素的情況，因此我們可以總結得出結論，不易與空氣接觸干燥的物料必須使用真空干燥箱設備，有回收需要的情況下需要使用真空干燥設備。

2021-06-07 16:41:29MK-1000全自動無損密封試驗儀: MK-1000無損密封性測試儀，又稱真空衰減法檢漏儀，采用非破壞性測試方法，也稱為真空衰減法，專業(yè)適用于安瓿瓶、西林瓶、注射劑瓶、凍干粉針劑瓶和預灌封包裝樣品的微泄漏檢測。產(chǎn)品特征采用非破壞性檢測方法對成品包裝進行微泄漏檢測，測試后樣品無損傷不影響正常使用，有效降低了測試成本用于檢測微小漏孔，也可鑒別大漏孔樣品，系統(tǒng)根據(jù)泄漏情況自動判斷合格與不合格真空衰減法精度可達0.21ccm（大約5微米）應用范圍廣，針對不同樣品可選配對應的測試腔，用戶可輕松更換試驗結束自動打印測試結果，無需人工參與，保證數(shù)據(jù)準確性與客觀性；10寸彩色觸摸屏，人性化操作更便捷配備微型打印機，USB數(shù)據(jù)接口，支持PC軟件測控運行，mbar、Pa單位互換自動保存歷史試驗記錄，本地查詢，并可導出EXCEL格式保存用戶分級權限設置，滿足GMP要求、測試記錄審計、追蹤功能測試標準該儀器符合多項國家和國際標準：YY/T 0681.18-2020:《無菌醫(yī)用器械包裝試驗方法第18部分：用真空衰減法無損檢驗包裝泄漏》、ASTM F2338-13 包裝泄漏的標準檢測方法-真空衰減法、SP1207美國藥典標準測試應用基礎應用適用于安瓿瓶、西林瓶、注射劑瓶、凍干粉針劑瓶和預灌封包裝樣品的微泄漏檢測技術指標指標參數(shù)屏幕尺寸10英寸觸摸屏真空度低至10Pa優(yōu)良真空精　　度0.25級檢測孔徑精度5 μm測試腔尺寸、種類根據(jù)試樣特殊定制真空來源真空泵測試系統(tǒng)雙傳感器技術外形尺寸470 mm (L) × 360 mm (B) × 300 mm (H)電源AC 220 V 50 Hz凈　　重12 kg產(chǎn)品配置標準配置：主機、真空泵、測試腔1套（按需求定制）選購件：微型流量校準器、陽性試樣、不同規(guī)格測試腔