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2025-01-21 09:33:05無(wú)損測(cè)量技術(shù): 無(wú)損測(cè)量技術(shù)是一種在不破壞被測(cè)物體原有狀態(tài)或性能的前提下，獲取其內(nèi)部或外部相關(guān)信息的檢測(cè)技術(shù)。該技術(shù)廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、機(jī)械工程、航空航天等領(lǐng)域，用于評(píng)估材料的完整性、性能及結(jié)構(gòu)狀態(tài)。常見(jiàn)的無(wú)損測(cè)量方法包括超聲檢測(cè)、射線檢測(cè)、磁粉檢測(cè)、滲透檢測(cè)等。這些技術(shù)能夠確保產(chǎn)品質(zhì)量、預(yù)防事故發(fā)生，并在不中斷生產(chǎn)流程的情況下實(shí)現(xiàn)高效檢測(cè)。

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無(wú)損測(cè)量技術(shù)資訊

南京理工大召開(kāi)“制造基礎(chǔ)技術(shù)與關(guān)鍵部件”重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)

南京理工大學(xué)順利召開(kāi)國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃 “制造基礎(chǔ)技術(shù)與關(guān)鍵部件”重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)“硅基 MEMS 高深寬比三維結(jié)構(gòu)的干涉顯微無(wú)損測(cè)量技術(shù)”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)。

808
2020-08-08
干涉顯微無(wú)損測(cè)量技術(shù)
【行業(yè)應(yīng)用】高光譜成像技術(shù)對(duì)靈芝實(shí)體中的多糖含量快速、無(wú)損測(cè)量

來(lái)自華南農(nóng)業(yè)大學(xué)電子工程學(xué)院的應(yīng)用分享！

江蘇雙利合譜科技有限公司 144
2023-10-30

無(wú)損測(cè)量技術(shù)產(chǎn)品

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無(wú)損測(cè)量技術(shù)問(wèn)答

2021-07-20 17:14:48EDX9000A 無(wú)損測(cè)定無(wú)損測(cè)定 Ni-Mn-Co 催化: EDXRF 能量色散熒光光譜儀 EDX9000A 無(wú)損測(cè)定 Ni-Mn-Co 催化劑合金成分使用一系列已知Ni、Mn、Co含量的催化劑合金片標(biāo)準(zhǔn)樣品，在能量色散X射線熒光光譜儀EDX9000A上直接測(cè)量Ni-Mn-Co的特征X射線強(qiáng)度，并比較含量Ni、Mn 和 Co 及其特征 X 射線強(qiáng)度擬合并建立工作曲線。測(cè)量未知樣品時(shí)，利用測(cè)得的 Ni、Mn 和 Co 的特征 X 射線強(qiáng)度，通過(guò)工作曲線獲得 Ni、Mn 和 Co 的含量。采用EDXRF法測(cè)定Ni-Mn-Co催化劑合金中Ni、Mn、Co的含量范圍分別為65%~88%、10%~35%、1%~10%，測(cè)定Ni、Mn、Co（n=6）精度分別為0.3%、1%、4%

2023-06-26 14:52:50無(wú)損無(wú)接觸定量評(píng)價(jià)！GaN晶體質(zhì)量評(píng)估新思路——ODPL法！: 隨著疫情三年的結(jié)束，大家又開(kāi)始馬不停蹄出差、旅游、返鄉(xiāng)，生活的壓力讓人喘不過(guò)氣。更別提出行的時(shí)候，還需要背一個(gè)很沉的電腦，以及與它適配的、同樣很沉的、形狀不規(guī)律的、看著就很糟心的電源適配器！有沒(méi)有一種東西，能夠讓大家的出行變得更加輕松（物理上）？那必須是現(xiàn)在越來(lái)越流行的氮化鎵（GaN）充電器了！一個(gè)氮化鎵充電器幾乎可以滿(mǎn)足所有出行充電的需求，并且占地空間小，簡(jiǎn)直是出行神器！圖1 氮化鎵（GaN）充電器氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體材料。GaN材料具有寬禁帶、高臨界電場(chǎng)強(qiáng)度和高電子飽和速度等特點(diǎn)，其器件耐高溫、耐高壓、高頻和低損耗，大大提升電力器件集成度，簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)和散熱支持，具有重要的價(jià)值和廣泛的應(yīng)用，是現(xiàn)在最火熱的第三代半導(dǎo)體材料，沒(méi)有之一。GaN的應(yīng)用不止在流行的充電器上，早在2014年日本科學(xué)家天野浩就憑借基于GaN材料的藍(lán)光LED獲得了諾貝爾獎(jiǎng)。不過(guò)GaN就沒(méi)有缺點(diǎn)了嗎？或者說(shuō)GaN沒(méi)有改善的地方了嗎？并不是， GaN技術(shù)的難點(diǎn)在于晶圓制備工藝。由于制備GaN的單晶材料無(wú)法從自然界中直接獲取，所以GaN的主要制備方法是在藍(lán)寶石、碳化硅、硅等異質(zhì)襯底上進(jìn)行外延。而現(xiàn)在由異質(zhì)外延生長(zhǎng)的GaN普遍存在大量缺陷的問(wèn)題。缺陷的存在勢(shì)必會(huì)影響到晶體的質(zhì)量，從而影響到材料和器件的電學(xué)性能，最終影響到未來(lái)半導(dǎo)體科技的快速發(fā)展。因此，降低GaN晶體里面的缺陷量，提高晶體質(zhì)量，是當(dāng)前第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域研究很重要的一個(gè)課題。GaN晶體質(zhì)量/缺陷評(píng)估的方法GaN晶體里面的雜質(zhì)、缺陷是非常錯(cuò)綜復(fù)雜的，無(wú)法單純通過(guò)某一項(xiàng)缺陷濃度或者雜質(zhì)含量來(lái)定量描述GaN晶體是否是高質(zhì)量，因此現(xiàn)在評(píng)價(jià)GaN晶體質(zhì)量的手段比較有限。根據(jù)現(xiàn)有的報(bào)道，大致有以下幾種：多光子激發(fā)光致發(fā)光法（Multiphoton-excitation photoluminescence method，簡(jiǎn)稱(chēng)MPPL）、蝕坑觀察法（Etch pit method）以及二次離子質(zhì)譜（Secondary-ion mass spectrometry，簡(jiǎn)稱(chēng)SIMS)。MPPL法多光子激發(fā)光致發(fā)光法采用長(zhǎng)波長(zhǎng)激發(fā)，遠(yuǎn)大于帶邊熒光波長(zhǎng)。激發(fā)過(guò)程需要同時(shí)吸收二個(gè)或者多個(gè)光子。通過(guò)吸收多個(gè)脈沖光子，在導(dǎo)帶和價(jià)帶形成電子空穴對(duì)，隨后非輻射馳豫到導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂,最后產(chǎn)生帶邊發(fā)光和缺陷發(fā)光。通過(guò)濾波片獲得帶邊和缺陷發(fā)光光譜和光強(qiáng)，改變?nèi)肷涔獍叩奈恢?，從而得到樣品的熒光信?hào)三維分布，即三維成像。多光子熒光三維成像技術(shù)可以識(shí)別和區(qū)分不同類(lèi)型的位錯(cuò)，但是無(wú)法定量評(píng)估GaN的晶體質(zhì)量，而且多光子激發(fā)的系統(tǒng)造價(jià)高。圖2 (a) Optical microscope image of etch pits. (b) 42 × 42 μm2 2D MPPL image taken at a depth of 22 μm. (c) 42 × 42 × 42 μm3 3D MPPL image, shown with contrast inverted參考文獻(xiàn)：Identification of Burgers vectors of threading dislocations in free-standing GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping' by Mayuko Tsukakoshi et al; Applied Physics Express, Volume 14, Number 5 (2021)蝕坑觀察法蝕坑觀察法通過(guò)適當(dāng)?shù)那治g可以看到位錯(cuò)的表面露頭，產(chǎn)生比較深的腐蝕坑，借助顯微鏡可以觀察晶體中的位錯(cuò)多少及其分布。該方法只適合于位錯(cuò)密度低的晶體，如果位錯(cuò)密度高，蝕坑互相重疊，就很難將它們區(qū)分。并且該方法是對(duì)晶體有損傷的，做不到無(wú)損無(wú)接觸。圖3 蝕坑觀察法SIMS技術(shù)SIMS是利用質(zhì)譜法分辨一次離子入射到測(cè)試樣品表面濺射生成的二次離子而得到材料表面元素含量及分布的一種方法。SIMS可以進(jìn)行包括氫在內(nèi)的全元素分析，并分辨出同位素、化合物組分和部分分子結(jié)構(gòu)的信息。二次離子質(zhì)譜儀具有ppm量級(jí)的靈敏度，最高甚至達(dá)到ppb的量級(jí)，還具有進(jìn)行微區(qū)成分成像和深度剖析的功能。但是SIMS對(duì)晶體有損傷，無(wú)法做到無(wú)損。圖4 SIMS技術(shù)以上三種技術(shù)均是評(píng)估GaN晶體缺陷的方法，但是每一種都有其缺憾的地方，它們無(wú)法做到定量的去評(píng)價(jià)GaN晶體的質(zhì)量，而且具有破壞性。為了更好地定量評(píng)估GaN晶體質(zhì)量，濱松公司和日本Tohoku University的Kazunobu Kojima教授以及Shigefusa Chichibu教授從2016年開(kāi)始合作研發(fā)了一套基于積分球的全向光致發(fā)光系統(tǒng)（Omnidirectional Photoluminescence，以下簡(jiǎn)稱(chēng)ODPL），該系統(tǒng)是第一個(gè)無(wú)損無(wú)接觸定量去評(píng)價(jià)GaN晶體質(zhì)量的方法/系統(tǒng)。ODPL系統(tǒng)ODPL系統(tǒng)是首個(gè)無(wú)接觸無(wú)損評(píng)價(jià)半導(dǎo)體材料晶體質(zhì)量的方法，通過(guò)積分球法測(cè)量半導(dǎo)體材料、鈣鈦礦材料的內(nèi)量子效率。該產(chǎn)品可以直接測(cè)量材料 IQE，具有制冷型背照式 CCD 高靈敏度以及高信噪比。圖5 ODPL測(cè)量方法示意圖傳統(tǒng)光致發(fā)光的量子效率測(cè)量指的是晶體的PLQY，即光致發(fā)光量子效率，其定義為：PLQY = 樣品發(fā)射的光子數(shù)/樣品吸收的光子數(shù)圖6 GaN樣品在積分球下的發(fā)射光譜PLQY是表征晶體發(fā)光效率最常見(jiàn)的參數(shù)之一，對(duì)于絕大多數(shù)的發(fā)光材料，PLQY都是黃金標(biāo)準(zhǔn)。但是對(duì)于GaN晶體，PLQY的表征顯得不足。上圖可見(jiàn)，GaN的光致發(fā)射光譜呈雙峰形狀，這是由于GaN晶體中的缺陷等，會(huì)將GaN本身發(fā)射的PL再次吸收然后發(fā)射（光子回收Photon Recycling現(xiàn)象）。圖7 ( a ) PL and ODPL spectra of the HVPE / AT - GaN crystal and ( b ) detectable light - travelling passes considered in the simulation of light extraction :(1) direct escaping from the surface :( ii ) scattered at the bottom and escaping from the surface : and ( ii ) direct eseaping from the edge .( c ) Refractive index and absorption spectra of HVPE / AT - GaN .因?yàn)榇嬖赑hoton Recycling的現(xiàn)象，GaN的PLQY不足以表征其發(fā)光轉(zhuǎn)化效率，而真正可以表征GaN晶體發(fā)光轉(zhuǎn)化效率的定義是其真正的內(nèi)量子效率：IQE = 樣品產(chǎn)生的光子數(shù)/樣品吸收的光子數(shù)圖8 GaN樣品的標(biāo)準(zhǔn)發(fā)射光譜IQE是GaN晶體的PLQY考慮LEE和光子回收現(xiàn)象以后的參數(shù)，更能直觀、定量反映GaN晶體的質(zhì)量。圖9 高IQE和低IQE晶體的對(duì)比高IQE的GaN晶體通常表現(xiàn)為：高載流子濃度、低穿透位錯(cuò)密度、低雜質(zhì)濃度、低點(diǎn)缺陷濃度、高激發(fā)功率密度。圖10 不同穿透位錯(cuò)密度晶體的IQE結(jié)果對(duì)比免費(fèi)樣機(jī)預(yù)約ODPL現(xiàn)在ODPL樣機(jī)開(kāi)放免費(fèi)預(yù)約試用活動(dòng)，有意向的客戶(hù)請(qǐng)?jiān)谠u(píng)論區(qū)留言“樣機(jī)試用”小編看到之后會(huì)第一時(shí)間與您聯(lián)系，樣機(jī)數(shù)量有限，先到先得喲~圖11 ODPL樣機(jī)展示以上有關(guān)新品的信息已經(jīng)全部介紹完畢了，如有任何疑問(wèn)，歡迎在評(píng)論區(qū)留言喲。

2023-07-20 09:56:49易科泰呼吸代謝測(cè)量技術(shù)：昆蟲(chóng)對(duì)殺蟲(chóng)劑的響應(yīng): 昆蟲(chóng)與殺蟲(chóng)劑，是一場(chǎng)人類(lèi)與昆蟲(chóng)的戰(zhàn)爭(zhēng)。長(zhǎng)期使用殺蟲(chóng)劑易使昆蟲(chóng)產(chǎn)生不同程度的抗藥性、甚至產(chǎn)生交互抗性，從而不利于生態(tài)環(huán)境的保護(hù)和農(nóng)業(yè)生產(chǎn)成本的降低。目前已知昆蟲(chóng)對(duì)殺蟲(chóng)劑的響應(yīng)包括生態(tài)行為、發(fā)育、生理代謝、基因表達(dá)、神經(jīng)系統(tǒng)、表型適應(yīng)等方面，但昆蟲(chóng)響應(yīng)殺蟲(chóng)劑更深入的機(jī)制目前仍不清楚。易科泰昆蟲(chóng)呼吸代謝和行為監(jiān)測(cè)技術(shù)是深入評(píng)估殺蟲(chóng)劑對(duì)昆蟲(chóng)新陳代謝研究的創(chuàng)新型方案。案例一：玉米象甲蟲(chóng)抗藥性與適應(yīng)性代價(jià) 殺蟲(chóng)劑抗藥性研究不僅在害蟲(chóng)管理方案中具有實(shí)際重要性，而且作為害蟲(chóng)新適應(yīng)的表型及其相關(guān)的生理（和遺傳）變化的進(jìn)化模型也很重要。一般假設(shè)認(rèn)為，昆蟲(chóng)具備了抗藥性，往往是以其生理適合度（fitness）降低為代價(jià)的，一旦具備了對(duì)殺蟲(chóng)劑的抗藥性，其對(duì)環(huán)境適合度往往會(huì)降低。氧氣攝入代表了昆蟲(chóng)生理過(guò)程能量需求，可通過(guò)昆蟲(chóng)的呼吸速率（單位時(shí)間二氧化碳產(chǎn)生量VCO2或氧氣消耗量VO2）來(lái)評(píng)估昆蟲(chóng)種群對(duì)不同環(huán)境條件的適應(yīng)性。昆蟲(chóng)呼吸速率的變化有助于檢測(cè)與無(wú)殺蟲(chóng)劑環(huán)境中的殺蟲(chóng)劑抗藥性相關(guān)的可能適應(yīng)性代價(jià)，而脂肪體形態(tài)的改變表明在接觸有毒化合物時(shí)，生物體脂肪體形態(tài)能量?jī)?chǔ)備的可用性和動(dòng)員力。巴西維索薩聯(lián)邦大學(xué)Raul Narciso C. Guedes教授團(tuán)隊(duì)研究了殺蟲(chóng)劑敏感的（來(lái)自Sete Lagoas）和抗藥性種群（來(lái)自Jacarezinho和Juiz de Fora）成體玉米象發(fā)育速率、呼吸速率和脂肪體細(xì)胞形態(tài)學(xué)等指標(biāo)。實(shí)驗(yàn)中的呼吸速率測(cè)試使用了SSI昆蟲(chóng)呼吸代謝系統(tǒng)，結(jié)果顯示（上圖右），來(lái)自Jacarezinho的玉米象呼吸速率顯著高于其它兩個(gè)種群。來(lái)自Jacarezinho和Juiz de Fora的殺蟲(chóng)劑抗性種群之間的適應(yīng)性差異可能是由于其抗藥性的遺傳起源差異。研究認(rèn)為，當(dāng)前研究結(jié)果證實(shí)殺蟲(chóng)劑抗性與脂肪體細(xì)胞形態(tài)和呼吸速率之間存在關(guān)聯(lián)，導(dǎo)致更高的儲(chǔ)存能量，可以很容易地動(dòng)員起來(lái)用于殺蟲(chóng)劑抗性。此外，對(duì)抗性殺蟲(chóng)劑的高能量需求可能會(huì)帶來(lái)額外的能量代價(jià)，即在沒(méi)有殺蟲(chóng)劑的情況下阻止抗性表型的固化，除非其儲(chǔ)存能量?jī)?chǔ)備和動(dòng)員能量?jī)?chǔ)備的能力足以滿(mǎn)足潛在的相互沖突的生理過(guò)程（例如抗性和發(fā)育）。案例二：大豆夜蛾毒殺后的運(yùn)動(dòng)行為、呼吸代謝、食物消耗等研究毒死蜱（Chlorpyrifos）是一種中等毒性和廣譜有機(jī)磷殺蟲(chóng)劑，已被用于控制谷物、棉花、水果、蔬菜、谷物和觀賞植物的害蟲(chóng)。毒死蜱抑制乙酰膽堿酯酶，神經(jīng)元突觸中乙酰膽堿的增加。毒死蜱還影響其他神經(jīng)遞質(zhì)、酶和細(xì)胞信號(hào)通路，其劑量低于抑制乙酰膽堿酯酶的劑量。然而，這些影響的程度和機(jī)制尚不完全清楚。巴西維索薩聯(lián)邦大學(xué)Angelica Plata-Rueda博士等科研人員評(píng)估了攝入暴露于毒死蜱后大豆夜蛾的毒性、存活率和副作用（運(yùn)動(dòng)行為、呼吸速率、食物消耗和中腸組織病理學(xué)）。研究中使用SSI昆蟲(chóng)呼吸代謝測(cè)量技術(shù)、VISIR動(dòng)物視頻行為分析技術(shù)進(jìn)行大豆夜蛾的呼吸速率、運(yùn)動(dòng)行為狀態(tài)監(jiān)測(cè)分析。毒死蜱（LC50=0.58g L-1和LC90=0.85g L-1，LC50為半致死濃度，LC90為90%致死濃度）對(duì)大豆夜蛾有毒殺效應(yīng)，并且LC50毒死蜱下夜蛾存活率從對(duì)照99%降低到30%。研究認(rèn)為，該殺蟲(chóng)劑降低了大豆夜蛾的呼吸速率、食物消耗量，改變了行為反應(yīng)以及中腸組織病變損傷。北京易科泰生態(tài)技術(shù)有限公司與世界知名的美國(guó)Sable能量代謝技術(shù)公司等合作提供專(zhuān)業(yè)的能量代謝與行為監(jiān)測(cè)分析技術(shù)方案，如SSI昆蟲(chóng)呼吸代謝測(cè)量系統(tǒng)、VISIR動(dòng)物視頻行為監(jiān)測(cè)分析系統(tǒng)。參考文獻(xiàn)1. Angelica Plata-Rueda, Carlos Henrique Martins de Menezes, et al., Side-effects caused by chlorpyrifos in the velvetbean caterpillar Anticarsia gemmatalis (Lepidoptera: Noctuidae), Chemosphere,Volume 259,2020.2. Eugênio E.Oliveira,R N C.Guedes, Marcos R.Tótola, PauloDe MarcoJr. Competition between insecticide-susceptible and -resistant populations of the maize weevil, Sitophilus zeamais. Chemosphere,Volume 69, Issue1, August 2007, Pages 17-24.3. Guedes R N C, Oliveira E E, Guedes N M P, et al. Cost and mitigation of insecticide resistance in the maize weevil, Sitophilus zeamais[J]. Physiological Entomology, 2006, 31(1):30-38.

2022-09-01 15:11:11時(shí)間和測(cè)量技術(shù)不停步----- RGM手表公司影像測(cè)量系統(tǒng)案: RGM手表公司是由美國(guó)手表制造商羅蘭·墨菲創(chuàng)立的。他的職業(yè)生涯和對(duì)鐘表(計(jì)時(shí)設(shè)備的藝術(shù)或科學(xué))的興趣始于十幾歲時(shí)在一家鐘表公司做兼職工作時(shí)。后來(lái)，他進(jìn)入了鮑曼制表技術(shù)學(xué)校，1986年他被WOSTEP(瑞士制表師培訓(xùn)和教育計(jì)劃)錄取。完成WOSTEP后，他在漢密爾頓手表公司的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)工作，直到他創(chuàng)建了RGM手表。RGM手表銷(xiāo)售是在個(gè)人一對(duì)一的基礎(chǔ)上進(jìn)行的。參觀該公司的客戶(hù)和潛在客戶(hù)經(jīng)常會(huì)受到羅蘭?墨菲本人的歡迎。他在談到客戶(hù)經(jīng)常要求的定制設(shè)計(jì)功能時(shí)，分享了自己對(duì)經(jīng)典手表設(shè)計(jì)、創(chuàng)新和工藝的熱情。RGM擁有一支11人的團(tuán)隊(duì)，每年生產(chǎn)“幾百塊”手表，根據(jù)設(shè)計(jì)和材料的不同，手表的價(jià)格從3500美元到9.5萬(wàn)美元不等。進(jìn)入RGM工廠，您會(huì)立即被多個(gè)經(jīng)典的鐘表匠長(zhǎng)椅和一些古董玫瑰發(fā)動(dòng)機(jī)車(chē)床包圍。這些百年的車(chē)床可以生產(chǎn)復(fù)雜和華麗的金屬圖案使用切削雕刻技術(shù)。RGM表的這種水平的裝飾細(xì)節(jié)對(duì)客戶(hù)是非常誘惑的。在開(kāi)始時(shí)，由于缺乏合適的金屬加工機(jī)械來(lái)生產(chǎn)非常小的零件，也沒(méi)有精密的非接觸測(cè)量手段，RGM產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)往往非常緩慢。瑞士的公司有這些設(shè)備，但對(duì)與一家沒(méi)有經(jīng)驗(yàn)的初創(chuàng)公司合作沒(méi)有特別的興趣——尤其是這樣一家來(lái)自美國(guó)的公司。憑借進(jìn)取的決心，在當(dāng)?shù)匾患覚C(jī)械修理店和一批二手金屬加工機(jī)械的幫助下，墨菲于2007年推出了Caliber 801機(jī)械運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)?！霸谖覀兡軌蛞蕾?lài)可靠準(zhǔn)確的零部件之前，我們會(huì)制造小于名義尺寸孔的零件，然后制表師會(huì)修正夾具鏜床上的孔……這是一個(gè)非常耗時(shí)的過(guò)程……” 在一臺(tái)老式的光學(xué)比較儀上對(duì)Caliber 801的小零件進(jìn)行檢查和測(cè)量。這樣的檢查需要花費(fèi)相當(dāng)多的時(shí)間來(lái)定位和測(cè)量，并且不是非常自動(dòng)化，但對(duì)于處理最初幾個(gè)低等級(jí)的系列手表零組件已經(jīng)足夠了。今天，有七個(gè)版本的Caliber 801，需要對(duì)一系列復(fù)雜的零組件進(jìn)行測(cè)量。這時(shí)，使組成零件始終精確就變得至關(guān)重要了。這意味著制表師在組裝過(guò)程中通過(guò)使小孔變大來(lái)單獨(dú)制造太耗費(fèi)時(shí)間。墨菲解釋說(shuō)。那么他們是如何解決生產(chǎn)和檢測(cè)的問(wèn)題的呢？ 2016年6月，RGM購(gòu)買(mǎi)了QVI?StarLite150影像測(cè)量系統(tǒng)，用于完成之前由光學(xué)投影儀測(cè)量的尺寸和檢查任務(wù)。“StarLite 150很快就展示了優(yōu)勢(shì)所在，這個(gè)系統(tǒng)可以在不需要操作人員干預(yù)的情況下持續(xù)測(cè)量小而復(fù)雜的手表部件，”微機(jī)械設(shè)計(jì)總監(jiān)Benoit Barbe說(shuō)。近年來(lái)，生產(chǎn)和機(jī)型需求增加，StarLite 150通過(guò)其與公司的3D CAD系統(tǒng)和數(shù)控銑床的兼容性，已經(jīng)成為開(kāi)發(fā)過(guò)程中不可或缺的檢測(cè)手段的一部分。一旦CAD模型完成，它可以下載到影像測(cè)量系統(tǒng)，在幾秒鐘內(nèi)完成測(cè)量?！拔覀儗?duì)測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性有很高的信心，而在使用光學(xué)比較儀時(shí)是存有疑慮的，”Barbe評(píng)論道。 “我們對(duì)StarLite 150測(cè)量系統(tǒng)了解得越多，我們的工作效率就越高?！盨tarLite150特別受到RGM制造團(tuán)隊(duì)贊賞的一個(gè)特點(diǎn)是它的VectorLightTMLED可編程環(huán)形燈。Barbe說(shuō):“高亮度的光源使得在兩個(gè)盲孔之間檢查尺寸變得非?？焖俸秃?jiǎn)單“?！倍ㄖ剖直砉δ艿男枨笤絹?lái)越大，需要獨(dú)特的，復(fù)雜的設(shè)計(jì)與數(shù)控機(jī)床生產(chǎn)運(yùn)行的數(shù)量越多?！拔覀儸F(xiàn)在定期測(cè)量和檢查定制的微型機(jī)蝕刻，用小到0.02毫米的立銑刀。用了StarLite以后，測(cè)量變得從來(lái)沒(méi)有這么簡(jiǎn)單，也沒(méi)有這么準(zhǔn)確。