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二氧化硅拋光液文章

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  專(zhuān)業(yè)指南 | 如何挑選合適的拋光液？氧化鋁與二氧化硅拋光液深度解析!

  針對(duì)電子樣品，常規(guī)的終拋拋光液有0.02 μm-1 μm粒徑的氧化鋁拋光液、二氧化硅拋光液等可以選擇。要對(duì)最終拋光液做出正確的選擇，我們首先要了解，氧化鋁拋光液和二氧化硅拋光液的特性和區(qū)別。

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  氧化鋁拋光液二氧化硅拋光液金相磨拋機(jī)

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二氧化硅拋光液?jiǎn)柎?/h2>

2023-06-05 09:39:20傅立葉變換紅外光譜儀測(cè)定粉塵中游離二氧化硅含量

關(guān)鍵詞：紅外光譜儀 定量檢測(cè) 游離二氧化硅        在電力、煤炭等行業(yè)生產(chǎn)環(huán)境中，粉塵中游離二氧化硅含量較高,粉塵的分散度也比較高，即多為呼吸性粉塵，因此對(duì)作業(yè)人員的危害較大，主要包括鼻炎、咽炎、氣管炎、支氣管炎等呼吸系統(tǒng)疾病。因此，加強(qiáng)對(duì)粉塵中游離二氧化硅含量的檢測(cè)是一件非常重要和緊迫的工作。以往檢測(cè)均采用“焦磷酸重量法”，該方法存在操作步驟復(fù)雜、使用試劑種類(lèi)繁多、檢測(cè)周期長(zhǎng)、準(zhǔn)確性差、試驗(yàn)室條件要求苛刻等一系列問(wèn)題，難以滿足現(xiàn)場(chǎng)批量檢測(cè)的要求。為了提高檢測(cè)的準(zhǔn)確性，實(shí)現(xiàn)批量檢測(cè)的目的，可選用FTIR920型傅立葉變換紅外光譜儀來(lái)檢測(cè)粉塵中游離二氧化硅含量。檢測(cè)原理：α-石英在紅外光譜中于 12.5μm（800cm-1）、12.8μm（780cm-1）及 14.4（694cm-1）μm處出現(xiàn)特異性強(qiáng)的吸收帶，在一定范圍內(nèi)，其吸光度值與α-石英質(zhì)量成線性關(guān)系。通過(guò)測(cè)量吸光度，進(jìn)行定量測(cè)定。儀器配置：制樣準(zhǔn)備：瓷坩堝和坩堝鉗；箱式電阻爐或低溫灰化爐；十萬(wàn)分之一天平；200目過(guò)濾篩；濾紙、稱量紙 若干；無(wú)水乙醇；手套、脫脂棉、小藥勺、玻璃取樣瓶；游離二氧化硅標(biāo)準(zhǔn)品(純度高于95%)；采集的粉塵樣品。樣品的采集：根據(jù)測(cè)定目的，樣品的采集方法參見(jiàn) GBZ 159 和 GBZ/T 192.2 或 GBZ/T 192.1，濾膜上采集的粉塵量大于 0.1mg 時(shí)，可直接用于本法測(cè)定游離二氧化硅含量。測(cè)定：1、樣品處理準(zhǔn)確稱量采有粉塵的濾膜上粉塵的質(zhì)量（G）。然后將受塵面向內(nèi)對(duì)折 3 次，放在瓷坩堝內(nèi)，置于低溫灰化爐或電阻爐（小于 600℃）內(nèi)灰化，冷卻后，放入干燥器內(nèi)待用。稱取 250mg 溴化鉀和灰化后的粉塵樣品一起放入瑪瑙乳缽中研磨混勻后，連同壓片模具一起放入干燥箱（110℃±5℃）中10min。將干燥后的混合樣品置于壓片模具中，加壓25MPa，持續(xù) 3min，制備出的錠片作為測(cè)定樣品。同時(shí)，取空白濾膜一張，同樣處理，作為空白對(duì)照樣品。2、石英標(biāo)準(zhǔn)曲線的繪制 精確稱取不同質(zhì)量的標(biāo)準(zhǔn)α-石英塵（0.01mg ~1.00mg），分別加入250mg 溴化鉀，置于瑪瑙乳缽中充分研磨均勻，按上述樣品制備方法做出透明的錠片。將不同質(zhì)量的標(biāo)準(zhǔn)石英錠片置于樣品室光路中進(jìn)行掃描，紅外軟件以 X 軸橫坐標(biāo)記錄 1000cm-1~600cm-1 的譜圖，在 900cm-1 處校正零點(diǎn)和 100%，以 Y 軸縱坐標(biāo)表示吸光度。以 800cm-1、780cm-1 及 694cm-1 三處的吸光度值為縱坐標(biāo)，以石英質(zhì)量（mg）為橫坐標(biāo)，繪制三條不同波長(zhǎng)的α-石英標(biāo)準(zhǔn)曲線，并求出標(biāo)準(zhǔn)曲線的回歸方程式。在無(wú)干擾的情況下，一般選用 800 cm-1標(biāo)準(zhǔn)曲線進(jìn)行定量分析。3、樣品測(cè)定分別將樣品錠片與空白對(duì)照樣品錠片置于樣品室光路中進(jìn)行掃描，記錄800cm-1（或 694cm-1）處的吸光度值，重復(fù)掃描測(cè)定 3 次，測(cè)定樣品的吸光度均值減去空白對(duì)照樣品的吸光度均值后，由α-石英標(biāo)準(zhǔn)曲線得樣品中游離二氧化硅的質(zhì)量（m）。計(jì)算 按以下公式計(jì)算粉塵中游離二氧化硅的含量：SiO2(F)= m/G× 100公式中：SiO2（F）——粉塵中游離二氧化硅（α-石英）的含量，%；m——測(cè)得的粉塵樣品中游離二氧化硅的質(zhì)量，mg；G——粉塵樣品質(zhì)量，mg。注意事項(xiàng)1、本法的α-石英檢出量為 0.01mg；相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)差（RSD）為 0.64%~1.41%。2、粉塵粒度大小對(duì)測(cè)定結(jié)果有一定影響，因此，樣品和制作標(biāo)準(zhǔn)曲線的石英塵應(yīng)充分研磨，使其粒度小于 5μm 者占 95%以上，方可進(jìn)行分析測(cè)定。3、灰化溫度對(duì)煤礦塵樣品定量結(jié)果有一定影響，若煤塵樣品中含有大量高嶺土成分，在高于 600℃灰化時(shí)發(fā)生分解，于 800cm-1 附近產(chǎn)生干擾，如灰化溫度小于 600℃時(shí)，可消除此干擾帶。4、在粉塵中若含有粘土、云母、閃石、長(zhǎng)石等成分時(shí)，可在 800cm-1 附近產(chǎn)生干擾，則可用 694cm-1 的標(biāo)準(zhǔn)曲線進(jìn)行定量分析。5、為降低測(cè)量的隨機(jī)誤差，實(shí)驗(yàn)室溫度應(yīng)控制在 18℃~24℃，相對(duì)濕度小于 50%為宜。制備石英標(biāo)準(zhǔn)曲線樣品的分析條件應(yīng)與被測(cè)樣品的條件完全一致，以減少誤差。

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2021-03-24 13:10:02“細(xì)”之QMAXIS 金剛石拋光液

       談到細(xì)這個(gè)字的時(shí)候，人們下意識(shí)的會(huì)想到“細(xì)節(jié)”兩個(gè)字。       松下幸之助所言：“無(wú)視細(xì)節(jié)的企業(yè)，它的發(fā)展必定在粗糙的礫石中停滯”。不少成功人士的實(shí)踐經(jīng)歷告訴我們，關(guān)注細(xì)節(jié)不一定能使企業(yè)管理成功，但成功的管理必定在于細(xì)節(jié)處用心。從現(xiàn)在的企業(yè)管理中，很多管理者以身作則，向我們踐行、引導(dǎo)著“見(jiàn)微知著，從細(xì)節(jié)了解員工；言傳身教，用細(xì)節(jié)糾正員工的粗心習(xí)慣；潛移默化，用細(xì)節(jié)感染員工”的理念。任何事情，只要用心去做，不要有絲毫的放松，就能達(dá)到理想的效果，相反，輕率敷衍，得過(guò)且過(guò)，則一事無(wú)成。       天下難事，必做于易；天下大事，必做于細(xì)。——老子       細(xì)---究竟是什么概念，每一行都會(huì)有每行的一把標(biāo)尺。       今天我們就來(lái)討論一下衡量金剛石拋光液的標(biāo)尺，它細(xì)到何種程度，在這之前我們先看一下單位的換算和圖片。         對(duì)于這種微米級(jí)，金剛石拋光液磨料顆粒分布在溶劑中無(wú)法靠肉眼看見(jiàn)的，但它具有（濃度高，純度高，微粉粒徑一致，分散均勻，性能穩(wěn)定）等特性，從而保證了在工作中磨削能力強(qiáng)、拋光表面效果好的性能。同時(shí)它還具有著無(wú)毒環(huán)保的特性，讓工程師們?cè)谑褂脮r(shí)候安全放心。應(yīng)用廣泛，能滿足各種材料的金相研磨、拋光需求。       好的產(chǎn)品，無(wú)需用過(guò)多華麗辭藻來(lái)修飾，真正的說(shuō)服力還是使用后所給予的滿意度。差之毫厘，謬以千里，細(xì)致入微，方能立身根本。

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2022-11-11 22:42:17納米二氧化硅表面改性研究-低場(chǎng)核磁技術(shù)

納米二氧化硅表面改性研究-低場(chǎng)核磁技術(shù)納米二氧化硅具有常規(guī)材料難以比擬的優(yōu)異性能，在先進(jìn)陶瓷、微電子、航天航空、生物制藥、光學(xué)檢測(cè)等領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用，但由于穩(wěn)定性低、易發(fā)生團(tuán)聚和難于分散，需要對(duì)超細(xì)粉體進(jìn)行適當(dāng)?shù)谋砻嫣幚硪愿纳祁w粒的表面特性和提高其分散性能，達(dá)到應(yīng)用要求。納米二氧化硅表面改性方法納米二氧化硅表面改性方法是指改變非金屬礦物粉體表面或界面的物理化學(xué)性質(zhì)的方法，主要有表面物理涂覆、化學(xué)包覆、無(wú)機(jī)沉淀包覆或薄膜、機(jī)械力化學(xué)、化學(xué)插層等。目前工業(yè)上粉體表面改性常用的方法主要有表面化學(xué)包覆改性法、沉淀反應(yīng)改性法、機(jī)械化學(xué)改性法和復(fù)合法。在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，正確評(píng)價(jià)表面改性效果，對(duì)及時(shí)調(diào)整改性劑、工藝與設(shè)備參數(shù)等至關(guān)重要。低場(chǎng)核磁共振技術(shù)可用于粉體表面改性研究，特別是懸浮體系的表面特性研究。低場(chǎng)核磁技術(shù)用于納米二氧化硅表面改性劑研究的基本原理：對(duì)于潤(rùn)濕的顆粒體系，顆粒表面會(huì)附著一層液相分子，這些液相分子因無(wú)機(jī)相表面的吸附作用而運(yùn)動(dòng)受限。但未與顆粒相接觸的液相分子運(yùn)動(dòng)是自由的，液相分子的馳豫時(shí)間（relaxation time）與它所處的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)密切相關(guān)，自由狀態(tài)的液相分子的核磁馳豫時(shí)間要比束縛狀態(tài)的液相分子的馳豫時(shí)間長(zhǎng)得多，顆粒分散性更好的體系吸附溶劑量相對(duì)更多，弛豫時(shí)間也就更短。因此，可以利用低場(chǎng)核磁共振技術(shù)來(lái)測(cè)量懸浮液體系的馳豫時(shí)間，并計(jì)算顆粒的濕潤(rùn)比表面積（可利用的吸附表面積），進(jìn)而用來(lái)研究顆粒的團(tuán)聚狀態(tài)、分散性穩(wěn)定性、親和性以及潤(rùn)濕性等問(wèn)題。

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2022-07-27 09:48:22cmp研磨液廠家使用低場(chǎng)核磁技術(shù)研究CMP拋光液的原位分散性

cmp研磨液廠家使用低場(chǎng)核磁技術(shù)研究CMP拋光液的原位分散性CMP 全稱為 Chemical Mechanical Polishing，即化學(xué)機(jī)械拋光。該技術(shù)是半導(dǎo)體晶圓制造的比備流程之一，對(duì)高精度、高性能晶圓制造至關(guān)重要。拋光液的主要成分包括研磨顆粒、PH值調(diào)節(jié)劑、氧化劑、分散劑等。從成分中我們就大概知道了拋光液是一種對(duì)分散要求很高的納米材料懸浮液，所以研磨過(guò)程中對(duì)顆粒的尺寸變化以及顆粒在懸浮液中的分散性都有著極其嚴(yán)苛的要求。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)用于懸浮液中顆粒尺寸變化和顆粒分散性檢測(cè)低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)以水分子（溶劑）為探針，可以實(shí)時(shí)檢測(cè)懸浮液體系中水分子的狀態(tài)變化。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)可以區(qū)分出納米顆粒與溶劑的固液界面間那一層薄薄的表面溶劑分子，當(dāng)顆粒尺寸或顆粒分散性發(fā)生變化時(shí)，顆粒表面的溶劑分子也會(huì)發(fā)生相應(yīng)的變化。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)可以靈敏的檢測(cè)到這這種變化狀態(tài)和變化過(guò)程，從而可以快速地評(píng)價(jià)例如拋光液以及相關(guān)懸浮液樣品的分散性和懸浮液中顆粒尺寸的變化過(guò)程。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)與傳統(tǒng)氮?dú)馕椒ㄓ心男┎町?？在低?chǎng)核磁弛豫技術(shù)還未應(yīng)用于拋光液領(lǐng)域之前，蕞常用的方法是用氮?dú)馕椒▉?lái)表征顆粒的比表面積。但是在實(shí)際的研發(fā)與生產(chǎn)過(guò)程中，研究人員發(fā)現(xiàn)就算氮?dú)馕椒ū碚鞯难心ヮw粒的比表面積非常穩(wěn)定，拋光過(guò)程中還是會(huì)發(fā)生拋光液性能不穩(wěn)定的情況。而這種情況很可能是研磨顆粒在溶劑體系中發(fā)生了團(tuán)聚，進(jìn)而發(fā)生了尺寸上的變化而導(dǎo)致蕞終研磨性能的問(wèn)題。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)可直接用于研磨液原液的分散性檢測(cè)，可以快速評(píng)價(jià)懸浮液體系的分散性而被廣泛應(yīng)用于CMP拋光液的研發(fā)與生產(chǎn)控制中。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)還能用于哪些領(lǐng)域？低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)除了用于半導(dǎo)體CMP拋光液，還可以用于國(guó)家正大力扶持的新能源電池漿料，光伏產(chǎn)業(yè)的導(dǎo)電銀漿，石墨烯漿料，電子漿料等新材料領(lǐng)域。這些方向都非常適合采用低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)來(lái)研究其原液的分散性、穩(wěn)定性。低場(chǎng)核磁弛豫分析儀：

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2022-04-01 16:35:59低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)用于CMP拋光液的原位分散性檢測(cè)

低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)用于CMP拋光液的原位分散性檢測(cè)CMP 全稱為 Chemical Mechanical Polishing，即化學(xué)機(jī)械拋光。該技術(shù)是半導(dǎo)體晶圓制造的必備流程之一，對(duì)高精度、高性能晶圓制造至關(guān)重要。拋光液的主要成分包括研磨顆粒、PH值調(diào)節(jié)劑、氧化劑、分散劑等。從成分中我們就大概知道了拋光液是一種對(duì)分散要求很高的納米材料懸浮液，所以研磨過(guò)程中對(duì)顆粒的尺寸變化以及顆粒在懸浮液中的分散性都有著極其嚴(yán)苛的要求。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)用于懸浮液中顆粒尺寸變化和顆粒分散性檢測(cè)低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)以水分子（溶劑）為探針，可以實(shí)時(shí)檢測(cè)懸浮液體系中水分子的狀態(tài)變化。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)可以區(qū)分出納米顆粒與溶劑的固液界面間那一層薄薄的表面溶劑分子，當(dāng)顆粒尺寸或顆粒分散性發(fā)生變化時(shí)，顆粒表面的溶劑分子也會(huì)發(fā)生相應(yīng)的變化。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)可以靈敏的檢測(cè)到這這種變化狀態(tài)和變化過(guò)程，從而可以快速地評(píng)價(jià)例如拋光液以及相關(guān)懸浮液樣品的分散性和懸浮液中顆粒尺寸的變化過(guò)程。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)與傳統(tǒng)氮?dú)馕椒ㄓ心男┎町?？在低?chǎng)核磁弛豫技術(shù)還未應(yīng)用于拋光液領(lǐng)域之前，最常用的方法是用氮?dú)馕椒▉?lái)表征顆粒的比表面積。但是在實(shí)際的研發(fā)與生產(chǎn)過(guò)程中，研究人員發(fā)現(xiàn)就算氮?dú)馕椒ū碚鞯难心ヮw粒的比表面積非常穩(wěn)定，拋光過(guò)程中還是會(huì)發(fā)生拋光液性能不穩(wěn)定的情況。而這種情況很可能是研磨顆粒在溶劑體系中發(fā)生了團(tuán)聚，進(jìn)而發(fā)生了尺寸上的變化而導(dǎo)致zui終研磨性能的問(wèn)題。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)可直接用于研磨液原液的分散性檢測(cè)，可以快速評(píng)價(jià)懸浮液體系的分散性而被廣泛應(yīng)用于CMP拋光液的研發(fā)與生產(chǎn)控制中。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)還能用于哪些領(lǐng)域？低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)除了用于半導(dǎo)體CMP拋光液，還可以用于國(guó)家正大力扶持的新能源電池漿料，光伏產(chǎn)業(yè)的導(dǎo)電銀漿，石墨烯漿料，電子漿料等新材料領(lǐng)域。這些方向都非常適合采用低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)來(lái)研究其原液的分散性、穩(wěn)定性。低場(chǎng)核磁弛豫分析儀：

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