- 2026-03-24 13:24:23無損密封測試儀
- 無損密封測試儀是一種專業(yè)設備，用于檢測各種容器、包裝的密封性能，確保產品無泄漏。該儀器采用非破壞性測試原理，通過施加特定壓力并監(jiān)測壓力變化，判斷密封是否完好。它廣泛應用于食品、藥品、日化等行業(yè)，確保產品在生產、運輸過程中的密封安全性。無損密封測試儀具有測試速度快、結果準確、操作簡便等優(yōu)點，是質量控制環(huán)節(jié)中不可或缺的工具。通過該儀器，企業(yè)可有效降低因密封不良導致的損失，提升產品質量和客戶滿意度。
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- 容器密封完整性測試(CCIT)
- 容器密封完整性測試(CCIT)是對容器密封系統(tǒng)維持無菌屏障以防止污染的能力的關鍵評估，確保藥品、生物和疫苗產品的安全性和穩(wěn)定性。實施 CCIT 對于預防藥品問題至關重要。
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- 普創(chuàng)微泄漏無損密封測試儀MLT-V100
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- 水針劑塑料包裝無損密封測試儀
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- 微泄漏無損密封測試儀
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- ASTM F2338包裝無損密封測試儀
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- GB15171微泄漏無損密封測試儀
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無損密封測試儀問答
- 2021-07-20 17:14:48EDX9000A 無損測定無損測定 Ni-Mn-Co 催化
- EDXRF 能量色散熒光光譜儀 EDX9000A 無損測定 Ni-Mn-Co 催化劑合金成分使用一系列已知Ni、Mn、Co含量的催化劑合金片標準樣品，在能量色散X射線熒光光譜儀EDX9000A上直接測量Ni-Mn-Co的特征X射線強度，并比較含量Ni、Mn 和 Co 及其特征 X 射線強度擬合并建立工作曲線。測量未知樣品時，利用測得的 Ni、Mn 和 Co 的特征 X 射線強度，通過工作曲線獲得 Ni、Mn 和 Co 的含量。采用EDXRF法測定Ni-Mn-Co催化劑合金中Ni、Mn、Co的含量范圍分別為65%~88%、10%~35%、1%~10%，測定Ni、Mn、Co（n=6）精度分別為0.3%、1%、4%
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- 2023-06-26 14:52:50無損無接觸定量評價！GaN晶體質量評估新思路——ODPL法！
- 隨著疫情三年的結束，大家又開始馬不停蹄出差、旅游、返鄉(xiāng)，生活的壓力讓人喘不過氣。更別提出行的時候，還需要背一個很沉的電腦，以及與它適配的、同樣很沉的、形狀不規(guī)律的、看著就很糟心的電源適配器！有沒有一種東西，能夠讓大家的出行變得更加輕松（物理上）？那必須是現在越來越流行的氮化鎵（GaN）充電器了！一個氮化鎵充電器幾乎可以滿足所有出行充電的需求，并且占地空間小，簡直是出行神器！圖1 氮化鎵（GaN）充電器氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，一種直接能隙（direct bandgap）的半導體材料。GaN材料具有寬禁帶、高臨界電場強度和高電子飽和速度等特點，其器件耐高溫、耐高壓、高頻和低損耗，大大提升電力器件集成度，簡化了電路設計和散熱支持，具有重要的價值和廣泛的應用，是現在最 火熱的第三代半導體材料，沒有之一。GaN的應用不止在流行的充電器上，早在2014年日本科學家天野浩就憑借基于GaN材料的藍光LED獲得了諾貝爾獎。不過GaN就沒有缺點了嗎？或者說GaN沒有改善的地方了嗎？并不是， GaN技術的難點在于晶圓制備工藝。由于制備GaN的單晶材料無法從自然界中直接獲取，所以GaN的主要制備方法是在藍寶石、碳化硅、硅等異質襯底上進行外延。而現在由異質外延生長的GaN普遍存在大量缺陷的問題。缺陷的存在勢必會影響到晶體的質量，從而影響到材料和器件的電學性能，最 終影響到未來半導體科技的快速發(fā)展。因此，降低GaN晶體里面的缺陷量，提高晶體質量，是當前第三代半導體領域研究很重要的一個課題。GaN晶體質量/缺陷評估的方法GaN晶體里面的雜質、缺陷是非常錯綜復雜的，無法單純通過某一項缺陷濃度或者雜質含量來定量描述GaN晶體是否是高質量，因此現在評價GaN晶體質量的手段比較有限。根據現有的報道，大致有以下幾種：多光子激發(fā)光致發(fā)光法（Multiphoton-excitation photoluminescence method，簡稱MPPL）、蝕坑觀察法（Etch pit method）以及二次離子質譜（Secondary-ion mass spectrometry，簡稱SIMS)。MPPL法多光子激發(fā)光致發(fā)光法采用長波長激發(fā)，遠大于帶邊熒光波長。激發(fā)過程需要同時吸收二個或者多個光子。通過吸收多個脈沖光子，在導帶和價帶形成電子空穴對，隨后非輻射馳豫到導帶底和價帶頂,最 后產生帶邊發(fā)光和缺陷發(fā)光。通過濾波片獲得帶邊和缺陷發(fā)光光譜和光強，改變入射光斑的位置，從而得到樣品的熒光信號三維分布，即三維成像。多光子熒光三維成像技術可以識別和區(qū)分不同類型的位錯，但是無法定量評估GaN的晶體質量，而且多光子激發(fā)的系統(tǒng)造價高。圖2 (a) Optical microscope image of etch pits. (b) 42 × 42 μm2 2D MPPL image taken at a depth of 22 μm. (c) 42 × 42 × 42 μm3 3D MPPL image, shown with contrast inverted參考文獻：Identification of Burgers vectors of threading dislocations in free-standing GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping' by Mayuko Tsukakoshi et al; Applied Physics Express, Volume 14, Number 5 (2021)蝕坑觀察法蝕坑觀察法通過適當的侵蝕可以看到位錯的表面露頭，產生比較深的腐蝕坑，借助顯微鏡可以觀察晶體中的位錯多少及其分布。該方法只適合于位錯密度低的晶體，如果位錯密度高，蝕坑互相重疊，就很難將它們區(qū)分。并且該方法是對晶體有損傷的，做不到無損無接觸。圖3 蝕坑觀察法SIMS技術SIMS是利用質譜法分辨一次離子入射到測試樣品表面濺射生成的二次離子而得到材料表面元素含量及分布的一種方法。SIMS可以進行包括氫在內的全元素分析，并分辨出同位素、化合物組分和部分分子結構的信息。二次離子質譜儀具有ppm量級的靈敏度，最 高甚至達到ppb的量級，還具有進行微區(qū)成分成像和深度剖析的功能。但是SIMS對晶體有損傷，無法做到無損。圖4 SIMS技術以上三種技術均是評估GaN晶體缺陷的方法，但是每一種都有其缺憾的地方，它們無法做到定量的去評價GaN晶體的質量，而且具有破壞性。為了更好地定量評估GaN晶體質量，濱松公司和日本Tohoku University的Kazunobu Kojima教授以及Shigefusa Chichibu教授從2016年開始合作研發(fā)了一套基于積分球的全向光致發(fā)光系統(tǒng)（Omnidirectional Photoluminescence，以下簡稱ODPL），該系統(tǒng)是第 一個無損無接觸定量去評價GaN晶體質量的方法/系統(tǒng)。ODPL系統(tǒng)ODPL系統(tǒng)是首 個無接觸無損評價半導體材料晶體質量的方法，通過積分球法測量半導體材料、鈣鈦礦材料的內量子效率。該產品可以直接測量材料 IQE，具有制冷型背照式 CCD 高靈敏度以及高信噪比。圖5 ODPL測量方法示意圖傳統(tǒng)光致發(fā)光的量子效率測量指的是晶體的PLQY，即光致發(fā)光量子效率，其定義為：PLQY = 樣品發(fā)射的光子數/樣品吸收的光子數圖6 GaN樣品在積分球下的發(fā)射光譜PLQY是表征晶體發(fā)光效率最 常見的參數之一，對于絕大多數的發(fā)光材料，PLQY都是黃金標準。但是對于GaN晶體，PLQY的表征顯得不足。上圖可見，GaN的光致發(fā)射光譜呈雙峰形狀，這是由于GaN晶體中的缺陷等，會將GaN本身發(fā)射的PL再次吸收然后發(fā)射（光子回收Photon Recycling現象）。圖7 ( a ) PL and ODPL spectra of the HVPE / AT - GaN crystal and ( b ) detectable light - travelling passes considered in the simulation of light extraction :(1) direct escaping from the surface :( ii ) scattered at the bottom and escaping from the surface : and ( ii ) direct eseaping from the edge .( c ) Refractive index and absorption spectra of HVPE / AT - GaN .因為存在Photon Recycling的現象，GaN的PLQY不足以表征其發(fā)光轉化效率，而真正可以表征GaN晶體發(fā)光轉化效率的定義是其真正的內量子效率：IQE = 樣品產生的光子數/樣品吸收的光子數圖8 GaN樣品的標準發(fā)射光譜IQE是GaN晶體的PLQY考慮LEE和光子回收現象以后的參數，更能直觀、定量反映GaN晶體的質量。圖9 高IQE和低IQE晶體的對比高IQE的GaN晶體通常表現為：高載流子濃度、低穿透位錯密度、低雜質濃度、低點缺陷濃度、高激發(fā)功率密度。圖10 不同穿透位錯密度晶體的IQE結果對比免費樣機預約ODPL現在ODPL樣機開放免費預約試 用活動，有意向的客戶請在評論區(qū)留言“樣機試 用”小編看到之后會第 一時間與您聯系，樣機數量有限，先到先得喲~圖11 ODPL樣機展示以上有關新品的信息已經全部介紹完畢了，如有任何疑問，歡迎在評論區(qū)留言喲。
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- 2021-10-12 12:44:32料酒包裝袋耐壓密封測試儀
- 料酒包裝袋耐壓密封測試儀在塑料包裝或者紙質包裝中，耐壓性是非常重要的性能指標。這是因為在運輸或者倉儲過程中產品包裝難免會發(fā)生擠壓，影響到產品的成品包裝質量，影響產品的銷售。所以，對于包裝袋，通常需要對它們進行耐壓強度試驗，以確保產品包裝在運輸和倉儲過程中的不受損壞。濟南三泉中石實驗儀器生產的NLY-03包裝袋耐壓強度試驗儀適用于各種充氮包裝袋、液態(tài)奶包裝袋、藥品輸液袋等的耐壓性能測試，該儀器微電腦控制，大液晶實時顯示試驗過程，操作簡單方便，可滿足客戶的不同需求。用于各種充氮包裝袋、液態(tài)奶包裝袋、藥品輸液袋等進行耐壓性能測試。 包裝耐壓強度檢測儀技術特征·大液晶顯示實驗過程曲線，耐壓過程清晰明了·定制傳感器，測試結果準確，可靠·可進行保壓試驗和爆破試驗雙重試驗功能·實驗結果統(tǒng)計分析，滿足客戶的不同需要·限位保護、過載保護、自動回位、以及掉電記憶等智能配置，保證用戶的操作安全·配備微型打印機快速打印測試結果，儀器自動判斷實驗結果 包裝耐壓強度檢測儀技術參數 測試范圍 1000N 分 辨 率 0.01N 試樣高度 10mm-100mm（其他尺寸可定制）試樣尺寸 ＜400mmx300mm（其他尺寸可定制） 主機外形尺寸 500mm×400×570mm (長寬高) 重 量 36kg 工作溫度 23℃±2℃ 相對濕度 高80%,無凝露 電 源 220V 50Hz 包裝耐壓強度檢測儀產品配置主機、耐壓夾具、微型打印機、防護桶 料酒包裝袋耐壓密封測試儀
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- 2022-07-13 16:33:09泡罩包裝密封測試儀正壓與負壓有什么區(qū)別
- 正壓和負壓泡罩包裝密封測試儀在檢測鋁塑泡罩中的區(qū)別，由于方法和壓力不同，這兩種泡罩包裝密封測試儀的材料也不同。1.負壓泡罩包裝密封測試儀。負壓測試用途：根據軟包裝密封性能試驗方法的相關規(guī)定，對食品、制藥、日用化學品等行業(yè)的軟包裝進行密封試驗。軟包裝的密封工藝和密封性能可以通過試驗進行有效的比較和評價，從而為相關技術要求的確定提供科學依據。也可以進行跌落、耐壓后的密封試驗。負壓密封試驗原理：通過真空室抽真空，使浸泡在水中的樣品產生內外壓差，觀察樣品內氣體的外逸情況，確定樣品的密封性能：或通過真空室抽真空，使樣品產生內外壓差，觀察樣品的膨脹及釋放真空后樣品形狀恢復情況，以此判定樣品的密封性能。2.正壓泡罩包裝密封測試儀。正壓密封的用途：適用于食品、制藥、日用化學品等行業(yè)的軟包裝、半硬包裝、硬包裝密封試驗。為確定相關技術要求提供科學依據，可對瓶蓋或密封容器的密封工藝和密封性能進行有效的比較和評價。正壓密封原理：是利用微電腦控制壓力和時間，利用壓縮空氣源，對瓶蓋的密封性能和加工工藝進行檢測和檢驗。泡罩包裝密封測試儀提供了一種先進、實用、直觀、有效的測試方法，操作簡單、泡罩包裝密封測試儀外形設計新穎、便于觀察實驗結果，還可以使用測試夾具一次測試多個樣品，實現一機多效。濟南賽成儀器一直致力于為大部分國家客戶提供高性價比的整體解決方案，公司的核心宗旨就是持續(xù)創(chuàng)新，打造高精尖檢測儀器，滿足行業(yè)內不同客戶的品控需求，期待與行業(yè)內的企事業(yè)單位增進交流和合作。賽成儀器，賽出品質，成就未來！
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- 2021-06-07 16:41:29MK-1000全自動無損密封試驗儀
- MK-1000無損密封性測試儀，又稱真空衰減法檢漏儀，采用非破壞性測試方法，也稱為真空衰減法，專業(yè)適用于安瓿瓶、西林瓶、注射劑瓶、凍干粉針劑瓶和預灌封包裝樣品的微泄漏檢測。 產品特征采用非破壞性檢測方法對成品包裝進行微泄漏檢測，測試后樣品無損傷不影響正常使用，有效降低了測試成本用于檢測微小漏孔，也可鑒別大漏孔樣品，系統(tǒng)根據泄漏情況自動判斷合格與不合格真空衰減法精度可達0.21ccm（大約5微米）應用范圍廣，針對不同樣品可選配對應的測試腔，用戶可輕松更換試驗結束自動打印測試結果，無需人工參與，保證數據準確性與客觀性；10寸彩色觸摸屏，人性化操作更便捷配備微型打印機，USB數據接口，支持PC軟件測控運行，mbar、Pa單位互換自動保存歷史試驗記錄，本地查詢，并可導出EXCEL格式保存用戶分級權限設置，滿足GMP要求、測試記錄審計、追蹤功能測試標準該儀器符合多項國家和國際標準：YY/T 0681.18-2020:《無菌醫(yī)用器械包裝試驗方法 第18部分：用真空衰減法無損檢驗包裝泄漏》、ASTM F2338-13 包裝泄漏的標準檢測方法-真空衰減法、SP1207美國藥典標準測試應用基礎應用適用于安瓿瓶、西林瓶、注射劑瓶、凍干粉針劑瓶和預灌封包裝樣品的微泄漏檢測技術指標指標參數屏幕尺寸10英寸觸摸屏真 空 度低至10Pa優(yōu)良真空精 度0.25級檢測孔徑精度5 μm測試腔尺寸、種類根據試樣特殊定制真空來源真空泵測試系統(tǒng)雙傳感器技術外形尺寸470 mm (L) × 360 mm (B) × 300 mm (H)電源AC 220 V 50 Hz凈 重12 kg產品配置標準配置：主機、真空泵、測試腔1套（按需求定制）選購件：微型流量校準器、陽性試樣、不同規(guī)格測試腔
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滬公網安備 31011502008050號