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2025-01-10 17:03:33可控核聚變: 可控核聚變是一種利用磁約束或慣性約束等手段，將輕核加熱至極高溫度形成等離子體，并在嚴格控制的條件下實現(xiàn)核聚變反應(yīng)，從而釋放出巨大能量的過程。這一過程不產(chǎn)生溫室氣體排放，原料幾乎取之不盡，被視為未來理想的清潔能源解決方案。然而，可控核聚變技術(shù)難度極高，需要實現(xiàn)高溫、高密度等離子體的長時間穩(wěn)定約束，以及有效控制聚變反應(yīng)產(chǎn)生的能量輸出。目前，全球多個國家和科研機構(gòu)正致力于可控核聚變的研究，以期實現(xiàn)這一清潔能源技術(shù)的突破。

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可控核聚變技術(shù)迎領(lǐng)核電產(chǎn)業(yè)革新儀器能源變革還要走多少路

可控核聚變技術(shù)是一種模擬太陽內(nèi)部反應(yīng)，將輕元素聚合成重元素，釋放出巨大能量的技術(shù)。與現(xiàn)有的核裂變技術(shù)相比，核聚變技術(shù)具有許多優(yōu)勢。

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2024-01-07
可控核聚變能源革命儀器行業(yè)發(fā)展

可控核聚變文章

應(yīng)用探析|高速攝像機在可控核聚變EAST放電實驗中的應(yīng)用

中科視界旗下“千眼狼高速攝像機”憑借滿畫幅130萬像素數(shù)萬幀/秒采集幀率，抗強電磁干擾技術(shù)，實現(xiàn)對EAST放電實驗中等離子體形態(tài)的完整記錄。

合肥中科君達視界技術(shù)股份有限公司 143
2025-05-27

可控核聚變產(chǎn)品

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可控核聚變問答

2021-07-07 17:27:27液相法可控制備OVC相的GXCIGS太陽能電池: Cu(In,Ga)Se2（CIGS）是I-III-VI組化合物半導(dǎo)體材料，具備黃銅礦晶體結(jié)構(gòu)，以它為吸收層的太陽能電池為CIGS薄膜太陽能電池，具備光電轉(zhuǎn)換效率高、電池穩(wěn)定性好、抗輻照能力強、弱光性好等優(yōu)勢。液相法制備CIGS電池實現(xiàn)了17.3%轉(zhuǎn)換效率，雖然與真空法的23.35%相比仍有一定的差距，但由于液相法制備薄膜具有成本低、原料利用率高、可以實現(xiàn)卷對卷制備等優(yōu)點，仍具有巨大的潛在發(fā)展優(yōu)勢。研究表明，在GXCIGS電池的吸收層表面通常存在一層貧銅組分的有序缺陷化合物（2VCu+InCu，OVC），OVC相可以極大提高CIGS/CdS異質(zhì)結(jié)質(zhì)量，從而提升CIGS器件效率。在液相法制備薄膜中，由于無法實現(xiàn)元素在制備過程中的實時調(diào)控，很難實現(xiàn)CIGS表面OVC的可控形成。近期，河南大學(xué)武四新教授課題組通過分析OVC相的形成機理，設(shè)計了一種在吸收層表面沉積貧銅CIGS化合物的方式，利用在硒化成膜過程中Cu元素的擴散，實現(xiàn)CIGS表面OVC的制備。通過控制硒化溫度以及頂層和體相前驅(qū)體薄膜的Cu/(In+Ga)化學(xué)計量，可以實現(xiàn)Cu(In,Ga)Se2表面OVC相的可控制備（圖1）。圖1. OVC相制備過程示意圖圖2. CIGS器件的能帶結(jié)構(gòu)示意圖通過測試分析，武四新教授課題組發(fā)現(xiàn)表面OVC相提升CIGS電池效率的原因主要來源于以下幾點：（1）OVC相使CIGS表面的價帶能級位置向下移動，形成空穴往緩沖層傳輸?shù)膭輭?，YZ載流子在CIGS/CdS的復(fù)合。（2）OVC相的形成可以有效降低界面的缺陷濃度。（3）OVC相可以促進載流子的分離和收集。通過優(yōu)化OVC相含量，制備出了16.39%效率的CIGS太陽能電池，本研究工作對進一步提升液相法CIGS太陽能電池的效率提供了新的研究思路和技術(shù)手段。圖3 7種OVC結(jié)構(gòu)的拉曼光譜、J-V曲線和FF數(shù)圖4 有/無OVC結(jié)構(gòu)CIGS器件的Cu元素TOF-SIMS剖面、EQE曲線、USP光譜圖5 有/無OVC結(jié)構(gòu)CIGS器件在不同溫度下暗態(tài)J-V曲線文章信息這一成果以“Controllable Formation of Ordered Vacancy Compound for High Efficiency Solution Processed Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells”為題發(fā)表在Advanced functional materials上。河南大學(xué)趙云海為論文DY作者，武四新教授和袁勝杰博士為論文通訊作者文章鏈接https://dx.doi.org/10.1021/acs.analchem.0c04399本研究采用的是北京卓立漢光儀器有限公司SolarIV系列太陽能電池伏安特性測量系統(tǒng)，如需了解該產(chǎn)品，歡迎咨詢我司。河南大學(xué)武四新教授課題組簡介河南大學(xué)武四新教授課題組名稱：光電功能材料以及太陽能薄膜電池。課題組主要從事光電功能的設(shè)計、制備及光伏性能的研究，希望能改善薄膜太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。課題組期望通過對銅基薄膜太陽能電池各部分組件先進工藝和關(guān)鍵技術(shù)的探索和突破(薄膜微結(jié)構(gòu)設(shè)計、缺陷態(tài)調(diào)控、表/界面鈍化、能帶結(jié)構(gòu)優(yōu)化以及微觀動力學(xué)研究等方面)，ZZ開發(fā)出具有高結(jié)晶質(zhì)量吸收層體相材料和優(yōu)良電學(xué)性能接觸界面的GXCZTSSe以及CIGS光伏器件并豐富其應(yīng)用領(lǐng)域。截止目前，本課題組已承擔(dān)了各類項目10余項，其中，包括，國家自然科學(xué)基金、教育部新世紀優(yōu)秀人才支持計劃、教育部科學(xué)技術(shù)ZD項目、人事部歸國留學(xué)人員擇優(yōu)支持計劃項目、河南省科技廳基礎(chǔ)與前沿ZD項目、河南省高校知識創(chuàng)新工程支持計劃等，在國內(nèi)外著名學(xué)術(shù)期刊Energy Environ. Sci.，Adv. Funct. Mater.，Chem. Mater.以及J. Mater. Chem. A等發(fā)表學(xué)術(shù)論文50余篇。免責(zé)說明北京卓立漢光儀器有限公司公眾號所發(fā)布內(nèi)容（含圖片）來源于原作者提供或原文授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章版權(quán)、數(shù)據(jù)及所述觀點歸原作者原出處所有，北京卓立漢光儀器有限公司發(fā)布及轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息及用于網(wǎng)絡(luò)分享。如果您認為本文存在侵權(quán)之處，請與我們聯(lián)系，會及時處理。我們力求數(shù)據(jù)嚴謹準(zhǔn)確，如有任何疑問，敬請讀者不吝賜教。我們也熱忱歡迎您投稿并發(fā)表您的觀點和見解。

2020-07-15 10:49:24NTT——費米能級可控勢壘（FMB）二極管: 費米能級可控勢壘(FMB)二極管是一種基于InP/InGaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的超低噪聲THz探測器。FMB二極管用InGaAs/ InP異質(zhì)界面(InP勢壘~ 100mev)代替肖特基勢壘二極管(SBD)中的金屬/半導(dǎo)體界面。這種低的勢壘高度可提供低的二極管差分電阻（Rd），并在二極管和寬帶蝴蝶結(jié)型天線之間提供良好的阻抗匹配。產(chǎn)品特點? 超低噪聲等效功率（NEP）? 高電壓和電流靈敏度? 零偏置電壓操作? 常溫操作? 自互補蝴蝶結(jié)型天線? 集成準(zhǔn)光學(xué)探測器具體參數(shù)外形尺寸FMB二極管核心概念H.Ito et. al., Jpn. J. Appl. Phys., 56(1), pp. 014101-1-014101-7, 2017異質(zhì)勢壘結(jié)構(gòu)由n-InGaAs，未摻雜的InP和n-InP層組成。根據(jù)載流子密度，高摻雜n-InGaAs中的費米能級可以位于導(dǎo)帶邊緣以上（稱為“帶填充效應(yīng)”）?；谠撎卣鳜F(xiàn)象，可以將InP / InGaAs異質(zhì)界面處的勢壘高度（?Bn）降低至100meV以下。由于通過如此小的勢壘高度實現(xiàn)了低差分電阻，因此集成了寬帶扇形90°蝴蝶結(jié)型天線的FMB二極管可產(chǎn)生約5.0 pW / sqrt（Hz）的良好噪聲等效功率。平方律檢波H.Ito et.al.,Jpn.J.Appl.Phys.,56(1),pp.014101-1-014101-7,2017IOD-FMB-18001模塊非常適合應(yīng)用于超低噪聲的平方律檢波。所獲得的電壓靈敏度在300 GHz時高達2MV/W，在1THz時高達0.2MV/W。上圖顯示了IOD-FMB-18001的輸入功率和輸出電壓之間的關(guān)系。300GHz的動態(tài)范圍超過100dB（105）。噪聲等效功率（NEP）估計在300GHz時低至3.0pW/sqrt（Hz），在1THz時低至33pW/sqrt（Hz）。光外差探測H.Ito et. al., Electron. Lett., 54(18), pp.1080-1082, 2018外差檢測方案是實現(xiàn)低噪聲測量最有用的技術(shù)。IOD-FMB-19001專為外差檢測而設(shè)計，是帶有寬帶跨阻放大器（TIA）的準(zhǔn)光學(xué)FMB二極管模塊。該模塊在平方律檢波模式下在300GHz時表現(xiàn)出約21kV/W的差分電壓靈敏度，在外差檢測模式下顯示出約11GHz的IF帶寬。上圖顯示了300GHz附近NEP與LO功率之間的關(guān)系。此處獲得的ZDNEP約為1.1×10-18W/Hz，LO功率僅為6μW。

2018-11-30 17:51:18可控式單向閥: 有沒有可調(diào)式電磁閥的？就是我需要控制閥前壓力大于某一個壓力時閥門開啟，降壓到這個壓力時，閥門關(guān)閉，并且可以用電控制閥門工作。

2018-12-11 14:50:51磁約束核聚變的約束形態(tài):

2019-08-19 17:22:51如何使用Elveflow的MUX閥執(zhí)行可控的藥物切換？: 本應(yīng)用介紹了如何使用Elveflow MUX流量開關(guān)閥在化學(xué)或生物環(huán)境（藥物篩選或細胞培養(yǎng)）上輕松執(zhí)行可控的藥物切換，如下圖所示。對于灌注室中的藥物切換或一個入口的微流體芯片，請參閱我們的微流控灌注套裝(http://m.sdczts.cn/zt10926/article_2462.html)。（1）Elveflow MUX流量開關(guān)閥（2）Elveflow壓力和流量控制器OB1（3）樣品池（小型、中型和大型微流體樣品池），每個培養(yǎng)基樣品使用一個樣品池。（4）用于實驗裝置連接的微流體導(dǎo)管（5）微流體配件和連接器（6）微流體器件（三叉口型微流控芯片）本實驗中使用的軟件版本是Elveflow智能界面軟件ESI V2版。下圖是本應(yīng)用實驗的微流體裝置圖盡可能避免使用軟性導(dǎo)管如Tygon管，因為軟性導(dǎo)管會增加系統(tǒng)的響應(yīng)時間。使用Elveflow智能界面軟件ESI執(zhí)行可控的藥物切換。在開始實驗之前進行泄露測試并去除任何氣泡，以確保良好的流量調(diào)節(jié)。了解哪種配件Z適合您的需求是邁向成功的diyi步。Step1-把MUX和OB1壓力控制器連接到電腦上，然后在電腦上打開Elveflow智能界面軟件ESI。Step2-選擇OB1（示例案例中的“OB1 MixO1”）并為每種藥物和可控介質(zhì)(control medium)設(shè)置以mbar為單位的初始所需壓力值。在我們設(shè)置的示例案例中：Channel 2（control medium）：100 mbar（通道的）通過單擊“保存配置”菜單選項，可以保存此配置以供后續(xù)使用。可以通過直接編輯窗口左側(cè)的通道名稱顯示來更改通道的名稱。Step 4-單擊“See Instruments”按鈕并選擇MUX（示例中的“MUX-P-00”），單擊“advanced”按鈕并雙擊一個group以便打開其配置面板。Step 5-在“Selected valves”上，選擇將參與實驗的三個閥門。Step 7-在MUX序列的diyi步，選擇控制藥物注射的閥門（示例中的閥門A1和A3）。在MUX序列的第二步，選擇控制可控介質(zhì)注入的閥門（示例中為閥門A2）。Z后，設(shè)置每個步驟的持續(xù)時間（在示例情況下為5秒）。Step 9-在project window中，單擊“Add step to project”按鈕并選擇“Wait”按鈕以便設(shè)置執(zhí)行上面列出的儀器配置的時間長度（示例情況下為10秒）。Step 10-返回OB1主窗口，為每種藥物和可控培養(yǎng)基設(shè)置下一個所需要的壓力值，單位為mbar。在我們設(shè)置的示例案例中：Channel 2（control medium）：100 mbar（通道的）Step 11-為了將這些參數(shù)添加到scheduler中，單擊“Add step to scheduler”按鈕。Step 13-一旦完成序列的配置，我們將配置一個循環(huán)，以便從1到無線重復(fù)所需的次數(shù)。在project window中，單擊“add step to project”按鈕，然后選擇“Go to”操作。Step 14-選擇環(huán)路開始的步驟（示例中的Step 1）和循環(huán)重復(fù)的次數(shù)（在示例情況下為5次）。Step 15-Z后，按“Start”按鈕執(zhí)行預(yù)設(shè)的序列及其重復(fù)步驟。恭喜您！您已使用Elveflow的OB1壓力控制器和MUX流量開關(guān)閥實現(xiàn)了受控藥物的切換操作。